Маркировка биполярный SMD транзисторов
| Обозначение на корпусе | Тип транзистора | Условный аналог |
| 15 | MMBT3960 | 2N3960 |
| 1A | BC846A | BC546A |
| 1B | BC846B | BC546B |
| 1C | MMBTA20 | MPSA20 |
| 1D | BC846 | — |
| 1E | BC847A | BC547A |
| 1F | BC847B | BC547B |
| 1G | BC847C | BC547C |
| 1H | BC847 | — |
| 1J | BC848A | BC548A |
| 1K | BC848B | BC548B |
| 1L | BC848C | BC548C |
| 1M | BC848 | — |
| 1P | FMMT2222A | 2N2222A |
| 1T | MMBT3960A | 2N3960A |
| 1X | MMBT930 | — |
| 1Y | MMBT3903 | 2N3903 |
| 2A | FMMT3906 | 2N3906 |
| 2B | BC849B | BC549B |
| 2C | BC849C | BC549C / BC109C / MMBTA70 |
| 2E | FMMTA93 | — |
| 2F | BC850B | BC550B |
| 2G | BC850C | BC550C |
| 2J | MMBT3640 | 2N3640 |
| 2K | MMBT8598 | — |
| 2M | MMBT404 | — |
| 2N | MMBT404A | — |
| 2T | MMBT4403 | 2N4403 |
| 2W | MMBT8599 | — |
| 2X | MMBT4401 | 2N4401 |
| 3A | BC856A | BC556A |
| 3B | BC856B | BC556B |
| 3D | BC856 | — |
| 3E | BC857A | BC557A |
| 3F | BC857B | BC557B |
| 3G | BC857C | BC557C |
| 3J | BC858A | BC558A |
| 3K | BC858B | BC558B |
| 3L | BC858C | BC558C |
| 3S | MMBT5551 | — |
| 4A | BC859A | BC559A |
| 4B | BC859B | BC559B |
| 4C | BC859C | BC559C |
| 4E | BC860A | BC560A |
| 4F | BC860B | BC560B |
| 4G | BC860C | BC560C |
| 4J | FMMT38A | — |
| 449 | FMMT449 | — |
| 489 | FMMT489 | — |
| 491 | FMMT491 | — |
| 493 | FMMT493 | — |
| 5A | BC807-16 | BC327-16 |
| 5B | BC807-25 | BC327-25 |
| 5C | BC807-40 | BC327-40 |
| 5E | BC808-16 | BC328-16 |
| 5F | BC808-25 | BC328-25 |
| 5G | BC808-40 | BC328-40 |
| 549 | FMMT549 | — |
| 589 | FMMT589 | — |
| 591 | FMMT591 | — |
| 593 | FMMT593 | — |
| 6A | BC817-16 | BC337-16 |
| 6B | BC817-25 | BC337-25 |
| 6C | BC817-40 | BC337-40 |
| 6E | BC818-16 | BC338-16 |
| 6F | BC818-25 | BC338-25 |
| 6G | BC818-40 | BC338-40 |
| 9 | BC849BLT1 | — |
| AA | BCW60A | BC636 / BCW60A |
| AB | BCW60B | — |
| AC | BCW60C | BC548B |
| AD | BCW60D | — |
| AE | BCX52 | — |
| AG | BCX70G | — |
| AH | BCX70H | — |
| AJ | BCX70J | — |
| AK | BCX70K | — |
| AL | MMBTA55 | — |
| AM | BSS64 | 2N3638 |
| AS1 | BST50 | BSR50 |
| B2 | BSV52 | 2N2369A |
| BA | BCW61A | BC635 |
| BB | BCW61B | — |
| BC | BCW61C | — |
| BD | BCW61D | — |
| BE | BCX55 | — |
| BG | BCX71G | — |
| BH | BCX71H | BC639 |
| BJ | BCX71J | — |
| BK | BCX71K | — |
| BN | MMBT3638A | 2N3638A |
| BR2 | BSR31 | 2N4031 |
| C1 | BCW29 | — |
| C2 | BCW30 | BC178B / BC558B |
| C5 | MMBA811C5 | — |
| C6 | MMBA811C6 | — |
| C7 | BCF29 | — |
| C8 | BCF30 | — |
| CE | BSS79B | — |
| CEC | BC869 | BC369 |
| CF | BSS79C | — |
| CH | BSS82B / BSS80B | — |
| CJ | BSS80C | — |
| CM | BSS82C | — |
| D1 | BCW31 | BC108A / BC548A |
| D2 | BCW32 | BC108A / BC548A |
| D3 | BCW33 | BC108C / BC548C |
| D6 | MMBC1622D6 | — |
| D7 | BCF32 | — |
| D8 | BCF33 | BC549C / BCY58 / MMBC1622D8 |
| DA | BCW67A | — |
| DB | BCW67B | — |
| DC | BCW67C | — |
| DE | BFN18 | — |
| DF | BCW68F | — |
| DG | BCW68G | — |
| DH | BCW68H | — |
| E1 | BFS17 | BFY90 / BFW92 |
| EA | BCW65A | — |
| EB | BCW65B | — |
| EC | BCW65C | — |
| ED | BCW65C | — |
| EF | BCW66F | — |
| EG | BCW66G | — |
| EH | BCW66H | — |
| F1 | MMBC1009F1 | — |
| F3 | MMBC1009F3 | — |
| FA | BFQ17 | BFW16A |
| FD | BCV26 | MPSA64 |
| FE | BCV46 | MPSA77 |
| FF | BCV27 | MPSA14 |
| FG | BCV47 | MPSA27 |
| GF | BFR92P | — |
| H1 | BCW69 | — |
| H2 | BCW70 | BC557B |
| H3 | BCW89 | — |
| H7 | BCF70 | — |
| K1 | BCW71 | BC547A |
| K2 | BCW72 | BC547B |
| K3 | BCW81 | — |
| K4 | BCW71R | — |
| K7 | BCV71 | — |
| K8 | BCV72 | — |
| K9 | BCF81 | — |
| L1 | BSS65 | — |
| L2 | BSS70 | — |
| L3 | MMBC1323L3 | — |
| L4 | MMBC1623L4 | — |
| L5 | MMBC1623L5 | — |
| L6 | MMBC1623L6 | — |
| L7 | MMBC1623L7 | — |
| M3 | MMBA812M3 | — |
| M4 | MMBA812M4 | — |
| M5 | MMBA812M5 | — |
| M6 | BSR58 / MMBA812M6 | 2N4858 |
| M7 | MMBA812M7 | — |
| O2 | BST82 | — |
| P1 | BFR92 | BFR90 |
| P2 | BFR92A | BFR90 |
| P5 | FMMT2369A | 2N2369A |
| Q3 | MMBC1321Q3 | — |
| Q4 | MMBC1321Q4 | — |
| Q5 | MMBC1321Q5 | — |
| R1 | BFR93 | BFR91 |
| R2 | BFR93A | BFR91 |
| S1A | SMBT3904 | — |
| S1D | SMBTA42 | — |
| S2 | MMBA813S2 | — |
| S2A | SMBT3906 | — |
| S2D | SMBTA92 | — |
| S2F | SMBT2907A | — |
| S3 | MMBA813S3 | — |
| S4 | MMBA813S4 | — |
| T1 | BCX17 | BC327 |
| T2 | BCX18 | — |
| T7 | BSR15 | 2N2907A |
| T8 | BSR16 | 2N2907A |
| U1 | BCX19 | BC337 |
| U2 | BCX20 | — |
| U7 | BSR13 | 2N2222A |
| U8 | BSR14 | 2N2222A |
| U9 | BSR17 | — |
| U92 | BSR17A | 2N3904 |
| Z2V | FMMTA64 | — |
| ZD | MMBT4125 | 2N4125 |
Биполярный транзистор 2SC1384 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC1384
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100
MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора:
2SC1384
Datasheet (PDF)
..1. Size:47K panasonic 2sc1383 2sc1384.pdf
Transistor2SC1383, 2SC1384Silicon NPN epitaxial planer typeFor low-frequency power amplification and driver amplificationUnit: mmComplementary to 2SA683 and 2SA6845.9 0.2 4.9 0.2FeaturesLow collector to emitter saturation voltage VCE(sat).Complementary pair with 2SA683 and 2SA684.0.7 0.1Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)2.54 0.15Parameter Symbol Ratings Unit
..2. Size:276K utc 2sc1384.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SC1384 NPN SILICON TRANSISTOR NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SC1384 is power amplifier and driver. FEATURES * Low VCE(SAT) * 2~3W output in complementary pair with 2SA684 ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Halogen-Free 1 2 3- 2SC1384G-x-AB3-R SOT-89 B C E Tape Reel2SC138
..3. Size:377K jiangsu 2sc1383 2sc1384.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92L Plastic-Encapsulate Transistors2SC1383 TRANSISTOR (NPN)2SC1384 TO-92L FEATURES Low Collector to Emitter Saturation Voltage VCE(sat).1.EMITTER Complementary Pair with 2SA0683 and 2SA0684.2.COLLECTOR 3.BASE C1383=Device code C1383Solid dot = Green molding compound device, Equivalent Circuit if none,
..4. Size:193K lzg 2sc1384 3da1384.pdf
2SC1384(3DA1384) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: AF power amplifier and driver applications. :, 2SA684(3CA684) 23 Features: Low V ,23W output in complementary pair with 2SA684(3CA684). CE(sat)/Absolute maximum ratings(Ta=25)
..5. Size:166K tgs 2sc1383 2sc1384.pdf
TIGER ELECTRONIC CO.,LTD TO-92L Plastic-Encapsulate Transistors 2SC1383 TRANSISTOR (NPN) TO-92L 2SC1384 FEATURES 1.EMITTER Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). 2.COLLECTOR Complementary pair with 2SA0683 and 2SA0684. 3.BASE MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter 2SC1383 2SC1384 UnitsVCBO Collector-Base Voltage 30 60 V
0.1. Size:245K lge 2sc1383-2sc1384.pdf
2SC1383/2SC1384 TO-92L Transistor (NPN)TO-92L1.EMITTER 2.COLLECTOR 3.BASE 4.700 2 3 5.1001Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). 7.8008.200 Complementary pair with 2SA0683 and 2SA0684. 0.6000.800MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter 2SC1383 2SC1384 Units0.350VCBO Collector-Base Voltage 30 60 V 0.550
0.2. Size:245K lge 2sc1383-2sc1384 to-92mod.pdf
2SC1383/2SC1384 TO-92MOD Transistor (NPN)1.EMITTER TO-92MOD2.COLLECTOR 1 23.BASE 3 Features5.800 Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). 6.200 Complementary pair with 2SA0683 and 2SA0684. 8.4008.800MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 0.9001.100Symbol Parameter 2SC1383 2SC1384 Units0.4000.600VCBO Collector-Base Voltage 30
0.3. Size:514K semtech st2sc1383 st2sc1384.pdf
ST 2SC1383 / 2SC1384 NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor For low-frequency power amplification and driver Amplification. Complementary to 2SA683 to and 2SA684. On special request, these transistors can be manufactured in different pin configurations. 1. Emitter 2. Collector 3. Base TO-92 Plastic PackageAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25) Parameter Symbol Value UnitCo
Другие транзисторы… 2SC1378
, 2SC1379
, 2SC138
, 2SC1380
, 2SC1380A
, 2SC1381
, 2SC1382
, 2SC1383
, 2SC2073
, 2SC1385
, 2SC1385H
, 2SC1386
, 2SC1386H
, 2SC1387
, 2SC1388
, 2SC1388F
, 2SC138A
.
2sc2482-y Микрокоммерческие компоненты, 2sc2482-y Лист данных
Ревизия: 1
ВЫКЛ. ХАРАКТЕРИСТИКИ
I
I
ПО ХАРАКТЕРИСТИКАМ
МАЛОСИГНАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
КЛАССИФИКАЦИЯ H
Характеристики
Электрические характеристики @ 25
Максимальные рейтинги
•
•
В
В
В
I
Генеральный директор
EBO
ч
В
В
f
Початок
Символ
CBO
т
Коммерческие микрокомпоненты
Символ
FE (1)
(BR) Генеральный директор
(BR) CBO
(BR) EBO
CE (сб)
BE
В
В
В
т
-P
M C C
т
СТГ
Генеральный директор
CBO
EBO
I
С
Высокое напряжение: Vceo = 300 В
Выходная емкость малого коллектора: Cob = 3.0 пФ (тип.)
С
Дж
Диапазон
Рейтинг
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение пробоя коллектор-база
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Рассеиваемая мощность коллектора
Рабочая температура перехода
Температура хранения
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
Напряжение пробоя коллектор-база
Напряжение пробоя эмиттер-база
Ток отсечки коллектора
Ток отсечки коллектора
Ток отсечки эмиттера
Коэффициент усиления постоянного тока
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Частота транзистора
f = 30 МГц)
Напряжение насыщения база-эмиттер
Выходная емкость коллектора
В
(I
(I
(I
(В
(В
(В
(I
(I
(I
(I
CB
С
С
E
С
С
С
С
= 100 мкА постоянного тока, I
CB
CB
EB
= 3 мА постоянного тока, I
= 100 мкА постоянного тока, I
= 20 мА постоянного тока, В
= 10 мА постоянного тока, I
= 10 мА постоянного тока, I
= 20 мА постоянного тока, В
=
= 7 В постоянного тока, I
= 240 В постоянного тока, I
= 220 В постоянного тока, I
20В, я
FE (1)
E
= 0, f = 1 МГц
С
В
Параметр
= 0)
Рейтинг
= 0)
В
В
С
E
CE
CE
= 1 мА пост. Тока)
= 1 мА пост. Тока)
E
В
= 0)
= 0)
= 0)
= 0)
30-90
= 10 В постоянного тока)
= 10 В постоянного тока,
O
www.mccsemi.com
TM
O
C Если не указано иное
компоненты
20736 Марилла Стрит Чатсуорт
! »№
$
%! «#
-55 до +150
-55 до +150
300
300
7
30
мин.
50
Рейтинг
—
—
—
—
—
0,1
0.9
7,0
300
300
3
—
90–150
Макс
1,0
1,0
—
—
—
5,0
150
1,0
1,0
Я
1 из 4
Блок
пФ
В
МГц
Вт
O
O
А
В
Квартир
В
мкА постоянного тока
С
С
мкА постоянного тока
мкА постоянного тока
В постоянного тока
В постоянного тока
В постоянного тока
В постоянного тока
В постоянного тока
—
DIM
С
D
G
H
кв. м
N
А
В
E
F
Дж
К
л
I
Эпитаксиальный кремний
ДЮЙМОВ
МИН
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
2SC2482
2SC2482-O
2SC2482-Y
Транзистор
С
F
А
В
D
.050
0,050
. 100
0,039
К-92МОД
123
МАКС
0,030
0,039
.031
0,024
.201
.087
0,024
. 323
. 413
. 161
H
E
НПН
РАЗМЕРЫ
G
МИН
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
ММ
1.27
1,27
2,54
1,00
МАКС
10,50
1.
Аналоги КТ315
У транзистора имеется как отечественная замена, так и заграничная. Начнем с первой. Это КТ3102 (ТО-92). Он тоже кремниевый, с npn структурой, но с большей температурой (до +150 С), другим расположением диодов и более высокими электрическими возможностями. Можно сказать, что они, относительно, одинаковы.
Иностранные заменители: ВС547 (npn, высокочастотный (примерно в 300 МГц, когда у КТ315 — 250 МГц), расположение диодов как у КТ3102, температура до +150 С), PN2222 (300 МГц, цоколевка соответствует предыдущей, остальные характеристики примерно одинаковы с КТ315), 2SC9014 (температура от -55 С до +150 С, 270 МГц). Раньше зарубежные транзисторы выходили с корпусом КТ-13, но на данный момент таких уже не существует.
Мультивибратор на КТ315
Мультивибратор — это генератор широкой импульсной модуляции (или коротко ШИМ). Получается, что генератор будет выдавать сигнал либо постоянного плюса, либо постоянного минуса.
Принцип действий заключается в попеременном поступлении тока то к одному, то к другому светодиоду (их два). Частоту каждого из них можно менять (если резисторы будут разными, то и включение светодиодов тоже будет отличаться). Данная схема работает от напряжения 1,7 В до 16 В. Чтобы запустить схему понадобиться 3,2 В (этого будет достаточно, чтобы увидеть деятельность светодиодов).
Стоит отметить, что схема парная (2 конденсатора, 2 резистора, (2 RC-цепи), 2 светодиода), а вот значения транзисторов могут отличаться (от 220 Ом до 300 Ом), в таком случае схема все равно будет работать.
Надежная функциональность мультивибратора зависит от более высокого сопротивления одного из резисторов.
Отметим, что, чем больше сопротивление на переменном резисторе, тем больше будет мигать светодиод.
Транзистор C5353 ничего хорошего не принес и плохого
Новые книги Шпионские штучки: Новое и лучшее схем для радиолюбителей: Шпионские штучки и не только 2-е издание Arduino для изобретателей. Обучение электронике на 10 занимательных проектах Конструируем роботов. Руководство для начинающих Компьютер в лаборатории радиолюбителя Радиоконструктор 3 и 4 Шпионские штучки и защита от них. Сборник 19 книг Занимательная электроника и электротехника для начинающих и не только Arduino для начинающих: самый простой пошаговый самоучитель Радиоконструктор 1 Обновления Подавитель сотовой связи большой мощности. Перед тем как создавать тему на форуме, воспользуйтесь поиском! Пользователь создавший тему, которая уже была, будет немедленно забанен!
Основные технические характеристики
13003 – это высоковольтный силовой транзистор, прежде всего спроектированный для работы с большими токами и пропускаемым напряжением между коллектором и базой. Высокая скорость переключений и низким временем задержки включения/выключения позволяет использовать его преимущественно в импульсных схемах с индуктивной нагрузкой.
Предельные режимы эксплуатации
13003 рассчитан на работу с большими напряжениями и токами. Так, заявленные производителями максимально допустимые характеристики постоянного рабочего напряжения достигают (VCEO) 400 вольт, а порогового (VCEV) 700 вольт. Номинальное значение постоянного коллекторного тока коллектора (IC) 1.5 A, а импульсного пиковое (ICM), как у большинства силовых транзисторов, в два раза больше 3 A. Максимальная мощность рассеивания, при этом, не должна превышать 40 Ватт.
Предельные значения для пикового тока измерены при длительности импульса в 5 мс и величине обратной скважности не более 10%
Электрические характеристики
Следует учесть, что для расчета возможности применения 13003 в своих схемах, величины предельных режимов эксплуатации обычно уменьшают на 25-30%. Это связано с тем, что они рассчитаны на работу прибора при температуре Тс=25°С. Рабочая же температура устройства будет значительно выше. Зная это, производители в электрических характеристиках на 13003, указывают параметры его использования не только при температуре Тс=25°С.
Как мы видим, в таблице электрических параметров 13003, величины напряжений насыщения и времени переключения приведены и для температуры 100 градусов. Если внимательно присмотреться, то можно увидеть, что эти значения указаны при максимальном токе коллектора IC не превышающем 1 A. А это в 1.5 раза (на 33%) меньше, приведенного значения в предельно допустимых параметрах.
Туннельные транзисторы
Одной из главных задач производителей полупроводниковых устройств является проектирование транзисторов, которые можно переключать малыми напряжениями. Решить её способны туннельные транзисторы. Такие устройства управляются с помощью квантового туннельного эффекта. Таким образом, при наложении внешнего напряжения переключение транзистора происходит быстрее, так как электроны с большей вероятностью преодолевают диэлектрический барьер. В результате устройству требуется в несколько раз меньшее напряжение для работы.
Разработкой туннельных транзисторов занимаются ученые из МФТИ и японского университета Тохоку. Они использовали двухслойный графен, чтобы создать устройство, которое работает в 10–100 раз быстрее кремниевых аналогов. По словам инженеров, их технология позволит спроектировать процессоры, которые будут в двадцать раз производительнее современных флагманских моделей.
/ фото PxHere PD
В разное время прототипы туннельных транзисторов реализовывались с использованием различных материалов — помимо графена, ими были нанотрубки и кремний. Однако технология до сих пор не покинула стены лабораторий, и о масштабном производстве устройств на её основе речи не идет.
