BC850 SMD транзистор характеристики, аналоги, datasheet, параметры, цоколевка, маркировка

Транзистор s8050: характеристики (параметры), отечественные аналоги, цоколевка

Принцип функционирования стабилизационных диодов

Несмотря на то, что смд похож на диод, он по сути является иным элементом электросхемы. Конечно, он может выполнять функцию выпрямителя, но обычно используется для стабилизации напряжения. Данный элемент способен поддерживать в цепи постоянного тока постоянное напряжение. Этот его принцип работы применяется в питании различного радиотехнического оборудования.

Стабилитрон и диод

Внешне смд очень похож на стандартный полупроводник. Схожесть сохраняется и в конструкционных особенностях. Но при обозначении такого радиотехнического элемента, в отличие от диода, на схеме ставится буква Г. Если не вникать в математические расчеты и физические явления, то принцип функционирования smd будет достаточно понятным.

Проходя через этот элемент, небольшое напряжение цепи провоцирует сильный ток. При увеличении обратного напряжения ток так же растет, только в этом случае его рост будет наблюдаться слабо. Доходя до отметки, она может быть любой. Все зависит от типа устройства. При достижении отметки происходит «пробой». После случившегося «пробоя» через smd начинает течь обратный ток большого значения. Именно в этот момент и начинается работа данного элемента до времени превышения его допустимого предела.

Цветовая маркировка диодов в корпусах SOD-80

Корпус SOD-80, известный также как MELF, представляет из себя маленький стеклянный цилиндр с металлическими выводами.

Примеры маркировки диодов.

Маркировка 2Y4 к 75Y (E24 серия) BZV49 1W кремниевый стабилитрон (2.4 – 75V) Маркировка C2V4 к C75 (E24 серия) BZV55 500mW кремниевый стабилитрон (2.4 – 75V)

Катодный вывод помечен цветным кольцом.

Маркировка приборов цветными кольцами.

Вывод катода Прибор
Черный (Black) BAS32, BAS45, BAV105 LL4148, 50, 51,53, LL4448 BB241,BB249
Черный и кочичневый (Black Brown) LL4148, LL914
Черный и оранжевый (Black Orange) LL4150, BB219
Коричневый и зеленый (Brown Green) LL300
Коричневый и черный (Brown Black) LL4448
Красный (Red) BA682
Красный и оранжевый (Red Orange) BA683
Красный и зеленый (Red Green) BA423L
Красный и белый (Red White) LL600
Оранжевый и желтый (Orange Yellow) LL3595
Желтый (Yellow) BZV55,BZV80,BZV81 series zeners
Зеленый (Green) BAV105, BB240
Зеленый и черный (Green Black) BAV100
Зеленый и кочичневый (Green Brown) BAV101
Зеленый и красный (Green Red) BAV102
Зеленыый и оранжевый (Green Orange) BAV103
Серый (Gray) BAS81, 82, 83, 85, 86
Белый (White) BB219
Белый и зеленый (White Green) BB215

Некоторые SMD-диоды в цилиндрических корпусах MiniMELF (SOD80 / DO213AA / LL34) или MELF (DO213AB / LL41) часто маркируются цветными полосками (первая, ближняя к краю полоска расположена у катода) в соответствии с таблицей слева.

Таблица 2 – Зарубежные аналоги транзисторов КТ361, КТ361-1, КТ361-2 и КТ361-3

Отечественный
транзистор
Зарубежный
аналог
Возможность
купить
Предприятие
производитель
Страна
производитель
КТ361А
BC520A
нет
Fairchild
США
2SA778
нет
Hitachi
Япония
BF706
КТ361А1
2SA555
КТ361Б
BC250B
КТ361В
BCW58
BF441
КТ361Г
BC157
нет
Unitra CEMI
Польша
2N3905
есть ~ 0,4$
Diotec semiconductor
Германия
YTS4125
нет
Toshiba
Япония
КТ361Г1
BCW58
КТ361Д
BC557
есть ~ 0,23$
Philips
Нидерланды
BF441
КТ361Д1
BC157
нет
Unitra CEMI
Польша
КТ361Е
2SA566
YTS4125
нет
Toshiba
Япония
КТ361Ж
BC157
нет
Unitra CEMI
Польша
КТ361И
BC157
нет
Unitra CEMI
Польша
КТ361К
BCW62A
КТ361Л
2N3964
есть ~ 2,6$
Fairchild
США
КТ361М
BC157
нет
Unitra CEMI
Польша
КТ361Н
2SA556
КТ361П
КТ361А2
2N4126
есть ~ 0,4$
Philips
Нидерланды
2SA610
КТ361А3
2N4125
есть ~ 0,3$
Fairchild
США
КТ361Б2
BC250B
КТ361В2
2N3905
есть ~ 0,4$
Diotec semiconductor
Германия
КТ361Г2
2N3906
есть ~ 0,28$
Diotec semiconductor
Германия
КТ361Г3
BSW20
КТ361Д2
КТ361Д3
КТ361Е2
2SA555
КТ361Ж2
КТ361И2
KT361K2
КТ361Л2
KT361M2
КТ361Н2
КТ361П2

Мощность рассеивания стабилитрона

Мощность рассеивания стабилитрона Pст характеризует его способность не перегреваться выше определенной температуры на протяжении длительного времени. Чем выше значение Pст, тем больше тепла способен рассеять полупроводниковый прибор. Мощность рассеивания рассчитывается для самых неблагоприятных условий работы прибора, поэтому в ниже приведенную формулу подставляют максимально возможное в работе Uвх и наименьшие значения Rб и Iн:

Существует ряд стандартных номиналом по данному параметру: 0,3 Вт, 0,5 Вт, 1,3 Вт, 5 Вт и т.п. Чем больше Pст, тем больше габариты полупроводникового прибора.

Принцип работы

Когда на клеммы подается входное напряжение, некоторое количество тока (IB) начинает течь от базы к эмиттеру и управляет током на коллекторе (IC). Напряжение между базой и эмиттером (VBE) для NPN-структуры должно быть прямым. Т.е. на базу прикладывается положительный потенциал, а на эмиттер отрицательный. Полярность напряжения, приложенного к каждому выводу, показана на рисунке ниже.

Входной сигнал усиливается на базе, а затем передается на эмиттер. Меньшее количество тока в базе используется для управления большим, между коллектором и эмиттером (IC).

Когда транзистор открыт, он способен пропускать IC до 100 мА. Этот этап называется областью насыщения. При этом допустимое напряжение между коллектором и эмиттером (VBE) может составлять около 200 мВ,а VBE достигать 900 мВ. Когда ток базы перестает течь, транзистор полностью отключается, эта ступень называется областью отсечки, а VBE будет составлять около 650 мВ.

«Альтернативные» конструкции

  1. Очень низкое значение уровня нелинейных искажений в выходном сигнале.
  2. Высших гармоник меньше, чем в транзисторных конструкциях.

Но есть один огромный минус, который перевешивает все достоинства, – обязательно нужно ставить устройство для согласования. Дело в том, что у лампового каскада очень большое сопротивление – несколько тысяч Ом. Но сопротивление обмотки динамиков – 8 или 4 Ома. Чтобы их согласовать, нужно устанавливать трансформатор.

Конечно, это не очень большой недостаток – существуют и транзисторные устройства, в которых используются трансформаторы для согласования выходного каскада и акустической системы. Некоторые специалисты утверждают, что наиболее эффективной схемой оказывается гибридная – в которой применяются однотактные усилители, не охваченные отрицательной обратной связью. Причем все эти каскады функционируют в режиме УНЧ класса «А». Другими словами, применяется в качестве повторителя усилитель мощности на транзисторе.

Причем КПД у таких устройств достаточно высокий – порядка 50 %. Но не стоит ориентироваться только на показатели КПД и мощности – они не говорят о высоком качестве воспроизведения звука усилителем. Намного большее значение имеют линейность характеристик и их качество

Поэтому нужно обращать внимание в первую очередь на них, а не на мощность

Маркировка импортных smd

Маркировка импортных SMD транзисторов происходит в основном по нескольким принятым системам. Одна из них – это система маркировки полупроводниковых приборов JEDEC.Согласно ей первый элемент – это число п-н переходов, второй элемент – тип номинал, третий – серийный номер, при наличие четвертого – модификации.

Вторая распространенная система маркировка – европейская. Согласно ей обозначение SMD транзисторов происходит по следующей схеме: первый элемент – тип исходного материала, второй – подкласс прибора, третий элемент – определение применение данного элемента, четвертый и пятый – основную спецификацию элемента.

Третьей популярной системой маркировки является японская. Эта система скомбинировала в себе две предыдущие. Согласно ей первый элемент – класс прибора, второй – буква S, ставится на всех полупроводниках, третий – тип прибора по исполнению, четвертый – регистрационный номер, пятый – индекс модификации, шестой – (необязательный) отношение к специальным стандартам.

Что бы к Вам ни попало в руки, для полной идентификации данного элемента следует применять маркировочные таблицы и по ним определить все характеристики данного элемента. По оценкам специалистов соотношение между производством ЭРЭ в обычном и SMD-исполнении должно приблизиться к 30:70. Многие радиолюбители уже начинают с успехом осваивать применение SMD в своих конструкциях.

Маркировка SMD-компонентов

Мне иногда кажется, что маркировка современных электронных компонентов превратилась в целую науку, подобную истории или археологии, так как, чтобы разобраться какой компонент установлен на плату иногда приходитсяпровести целый анализ окружающих его элементов. В этом плане советские выводные компоненты, на которых текстом писался номинал и модель были просто мечтой для любителя, так как не надо было ворошить груды справочников, чтобы разобраться, что это за детали.

Причина кроется в автоматизации процесса сборки. SMD компоненты устанавливаются роботами, в которых установлены сециальные бабины (подобные некогда бабинам с магнитными лентами), в которых расположены чип-компоненты. Роботу все равно, что там в бабине и есть ли у деталей маркировка. Маркировка нужна человеку.

Биполярный транзистор 2SC3950 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SC3950

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2000
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30

Корпус транзистора:

2SC3950
Datasheet (PDF)

 ..1. Size:79K  sanyo 2sc3950.pdf

Ordering number:EN2441APNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor2SC3950High-Definition CRT DisplayVideo Output ApplicationsApplications Package Dimensions High-definition CRT display video output, wide-bandunit:mmamplifier.2042AFeatures High fT : fT=2.0GHz. Large current capacity : IC=500mA. Micaless type : TO-126 plastic package.B : BaseC

 8.1. Size:41K  sanyo 2sa1539 2sc3954.pdf

Ordering number:ENN2438BPNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1539/2SC3954High-Definition CRT DisplayVideo Output ApplicationsPackage DimensionsApplications High-definition CRT display video output, wide-bandunit:mmamplifier.2042B[2SA1539/SC3954]8.0Features4.03.31.0 1.0 High fT : fT=500MHz. High breakdown voltage : VCEO=120Vmin.3.0 Sm

 8.2. Size:41K  sanyo 2sa1536 2sc3951.pdf

Ordering number:ENN2435BPNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1536/2SC3951High-Definition CRT DisplayVideo Output ApplicationsApplications Package Dimensions High definition CRT display video output, wide-bandunit:mmamplifier.2042B[2SA1536/2SC3951]8.0Features4.03.31.0 1.0 High fT : fT=600MHz. High breakdown voltage : VCEO=70Vmin.3.0 Sma

 8.3. Size:39K  sanyo 2sa1541 2sc3956.pdf

Ordering number:ENN2440BPNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1541/2SC3956High-Definition CRT DisplayVideo Output ApplicationsApplications Package Dimensions High-definition CRT display video output, wide-bandunit:mmamplifier.2042B[2SA1541/2SC3956]8.0Features4.03.31.0 1.0 High gain-bandwidth product : fT=300MHz. High breakdown voltage : VCEO=2

 8.4. Size:41K  sanyo 2sa1537 2sc3952.pdf

Ordering number:ENN2436CPNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1537/2SC3952High-Definition CRT DisplayVideo Output ApplicationsApplications Package Dimensions High-definition CRT display video output, wide-bandunit:mmamplifier.2042B[2SA1537/2SC3952]8.0Features4.03.31.0 1.0 High fT : fT=700MHz. High breakdown voltage : VCEO=70Vmin.3.0 Sma

 8.5. Size:40K  sanyo 2sa1538 2sc3953.pdf

Ordering number:ENN2437BPNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1538/2SC3953High-Definition CRT DisplayVideo Output ApplicationsPackage DimensionsApplications High-definition CRT display video output, wide-bandunit:mmamplifier.2042B[2SA1538/2SC3953]8.0Features4.03.31.0 1.0 High fT : fT=400MHz. High breakdown voltage : VCEO=120Vmin.3.0 S

 8.6. Size:40K  sanyo 2sa1540 2sc3955.pdf

Ordering number:ENN2439BPNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1540/2SC3955High-Definition CRT DisplayVideo Output ApplicationsApplications Package Dimensions High-definition CRT display video output, wide-bandunit:mmamplifier.2042B[2SA1540/2SC3955]Features 8.04.03.31.0 1.0 High gain-bandwidth product : fT=300MHz. High breakdown voltage : VCEO=20

 8.7. Size:33K  hitachi 2sc3957.pdf

2SC3957Silicon NPN Epitaxial, DarlingtonApplicationHigh gain amplifierOutlineMPAK-4213311. Collector2. Emitter43. Base4. NC22SC3957Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitCollector to base voltage VCBO 40 VCollector to emitter voltage VCEO 30 VEmitter to base voltage VEBO 10 VCollector current IC 300 mACollector peak current

Другие транзисторы… 2SC3944
, 2SC3944A
, 2SC3945
, 2SC3946
, 2SC3947
, 2SC3948
, 2SC3949
, 2SC395
, 2SC4793
, 2SC3951
, 2SC3952
, 2SC3953
, 2SC3953C
, 2SC3953D
, 2SC3954
, 2SC3955
, 2SC3956
.

Понравилась статья? Поделиться с друзьями:
Пафос клуб
Добавить комментарий

;-) :| :x :twisted: :smile: :shock: :sad: :roll: :razz: :oops: :o :mrgreen: :lol: :idea: :grin: :evil: :cry: :cool: :arrow: :???: :?: :!: