Маркировка полевых SMD транзисторов
| Маркировка | Тип прибора | Маркировка | Тип прибора |
| 6A | MMBF4416 | C92 | SST4392 |
| 6B | MMBF5484 | C93 | SST4393 |
| 6C | MMBFU310 | H16 | SST4416 |
| 6D | MMBF5457 | I08 | SST108 |
| 6E | MMBF5460 | I09 | SST109 |
| 6F | MMBF4860 | I10 | SST110 |
| 6G | MMBF4393 | M4 | BSR56 |
| 6H | MMBF5486 | M5 | BSR57 |
| 6J | MMBF4391 | M6 | BSR58 |
| 6K | MMBF4932 | P01 | SST201 |
| 6L | MMBF5459 | P02 | SST202 |
| 6T | MMBFJ310 | P03 | SST203 |
| 6W | MMBFJ175 | P04 | SST204 |
| 6Y | MMBFJ177 | S14 | SST5114 |
| B08 | SST6908 | S15 | SST5115 |
| B09 | SST6909 | S16 | SST5116 |
| B10 | SST6910 | S70 | SST270 |
| C11 | SST111 | S71 | SST271 |
| C12 | SST112 | S74 | SST174 |
| C13 | SST113 | S75 | SST175 |
| C41 | SST4091 | S76 | SST176 |
| C42 | SST4092 | S77 | SST177 |
| C43 | SST4093 | TV | MMBF112 |
| C59 | SST4859 | Z08 | SST308 |
| C60 | SST4860 | Z09 | SST309 |
| C61 | SST4861 | Z10 | SST310 |
| C91 | SST4391 |
Разновидности SMD-транзистора BC807 и их особенности
Существует несколько разновидностей SMD-транзистора BC807 в зависимости от максимального значения тока коллектора (Iс) и напряжения коллектор-эмиттер (Uкэ):
| Модель | Максимальный ток коллектора (Iс) | Напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ) | Особенности |
|---|---|---|---|
| BC807-16 | 0.5 А | 45 В | Высокое усиление и низкий уровень шума |
| BC807-25 | 0.5 А | 45 В | Высокое усиление и низкий уровень шума |
| BC807-40 | 1 А | 45 В | Хорошие коммутационные характеристики и высокая надежность |
SMD-транзисторы BC807 имеют корпус типа TO-252, что обеспечивает удобную установку на поверхностный монтаж. Они также характеризуются низкими значениями паразитной емкости и утечки тока, что позволяет использовать их в высокочастотных приложениях.
BC807-16 и BC807-25 обладают высоким усилением и низким уровнем шума, что делает их идеальными для применения в усилителях сигнала и радиоприемниках.
BC807-40, с более высоким значением тока коллектора, обладает хорошими коммутационными характеристиками, что позволяет использовать его в переключающих схемах.
Применение SMD-транзистора BC807
Вот несколько областей применения SMD-транзистора BC807:
- Схемы усиления: BC807 может использоваться в схемах усиления малой мощности. Благодаря своей высокой скорости переключения и низкой емкости, он идеально подходит для усиления слабых сигналов.
- Схемы переключения: BC807 может использоваться в схемах переключения, где требуется небольшая мощность. Он обладает низким сопротивлением включения и выключения, что делает его идеальным для управления нагрузкой.
- Вентиляторные контроллеры: BC807 может использоваться в схемах контроля вентиляторов в компьютерах и других устройствах. Он позволяет эффективно управлять скоростью вентилятора, что помогает поддерживать нормальную температуру устройства.
- Коммутационные схемы: BC807 может использоваться в коммутационных схемах, где необходимо переключение между различными источниками энергии или сигналов. Он обеспечивает быстрое и надежное переключение между различными состояниями.
- Аналоговые схемы: BC807 может использоваться в аналоговых схемах для усиления и фильтрации сигналов. Он обладает низкими искажениями и шумом, что делает его идеальным для работы с аналоговыми сигналами.
В заключение, SMD-транзистор BC807 является универсальным компонентом, который может использоваться в различных электронных схемах. Он обладает хорошими характеристиками и может быть полезен для усиления слабых сигналов, переключения небольших нагрузок и других приложений.
Применение и особенности SMD-транзистора BC807
Одной из основных особенностей BC807 является его компактный размер и удобство монтажа. Этот транзистор имеет поверхностный монтаж (SMD) и устанавливается в специальную паяльную пасту, что делает его идеальным для массового производства электроники.
BC807 также отличается высокой рабочей частотой, что позволяет использовать его в схемах, требующих быстрой коммутации сигналов. Это особенно полезно в современных цифровых устройствах, где требуется точная и быстрая передача данных.
Среди других особенностей BC807 стоит отметить его низкий уровень шума и низкий коэффициент усиления тока. Это позволяет использовать его в аудиоустройствах, где требуется минимальное искажение звука.
Как и любой транзистор, BC807 имеет свои параметры, такие как максимальное рабочее напряжение и максимальный ток коллектора. Эти параметры могут быть важными при выборе транзистора для конкретной схемы.
Применение BC807 широко распространено в различных областях электроники, включая телекоммуникационное оборудование, цифровые устройства, аудиоусилители и другие. Благодаря своим характеристикам и удобству монтажа, BC807 находит применение во многих схемах, требующих эффективной и точной передачи сигнала.
Характеристики транзистора BC807 40 215
- Тип корпуса: SOT-23
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCEO): 45 В
- Максимальный ток коллектора (IC): 100 мА
- Коэффициент усиления по току (hFE): 100-630
- Рабочая частота: до 100 МГц
- Максимальная мощность потери (Ptot): 250 мВт
- Низкий уровень входного тока (IB): 100 нА
- Время переключения (ton, toff): 10 нс
Транзистор BC807 40 215 имеет низкую базовую емкость, что делает его применимым в высокочастотных устройствах. Он хорошо подходит для работы в схемах с низким уровнем шума и имеет низкую потерю мощности. Этот транзистор можно использовать в широком спектре электронных устройств, таких как радиоприемники, телевизоры, цифровые усилители и другие.
Характеристики
Все характеристики на BC337 приведены в техническом описании (datasheet) на устройство. Наиболее важные значения, находятся в таблицах “максимальные рейтинги” и “электрические параметры”. Они проверяются производителем при тестировании и выпуске продукции.
Максимальные рейтинги
В максимальных рейтингах отражены предельные эксплуатационные свойства bc337. Превышение этих значений, может привести к выводу устройства из строя. Вот их полный перечень:
- Напряжение между коллектором и эмиттером (при разомкнутой цепи базы) VCEO не более 45 В;
- Напряжение между коллектором и эмиттером (база соединена с эмиттером) VCES не более 50 В;
- Напряжение между эмиттером и базой VEBO не должно превышать 5 В;
- Ток коллектора IC не должен быть больше 800 мА;
- Максимальная мощность PC, которую транзистор может рассеять 625 мВт;
- Предельно допустимая температура 150 ОС;
- Диапазон рабочих температур TSTG от -55 ОС до 150 ОС.
Обычно, эти данные приводятся вместе с параметрами на транзистор bc338. У 338 они немного хуже по допустимому напряжению, между выводами коллектор-эммитер (до 30 В). В остальном же, это полная копия рассматриваемого экземпляра, ставшая результатом отбраковки по итогам тестирования на завершающем этапе производства.
Электрические параметры
Ниже приведены электрические характеристики транзистора ВС337. Они выведены в отдельную таблицу и приводятся совместно с условиями проверки, указанными в отдельном столбце. Все значения проверяются производителем при температуре окружающей среды +25 ОС:
Коэффициент усиления
Рассматриваемые изделия делятся на три группы по HFE: “-16”, “-25” и “-40”. Эти данные, наносятся на корпус транзистора при маркировке. Обозначение при этом выглядит так: BC337-16, BC337-25, BC337-40. Максимальным коэффициентом усиления по току обладает BC33740 (до 630 HFE).
Характеристики транзистора Bc807 smd
Основные характеристики транзистора Bc807 smd:
- Максимальное рабочее напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) составляет 45 В, что позволяет использовать транзистор в схемах с низкими и средними напряжениями.
- Максимальный ток коллектора (IC) составляет 0.5 А, что позволяет транзистору работать с небольшими электрическими нагрузками.
- Коэффициент усиления по току (hFE) имеет диапазон значений от 110 до 800, что позволяет более точно настроить усиление сигнала.
- Максимальная мощность потерь (Ptot) составляет 0.625 Вт, что обеспечивает надежную и стабильную работу транзистора.
- Время задержки переключения (tf) составляет 35 нс, что обеспечивает высокую скорость работы транзистора.
Транзистор Bc807 smd широко применяется в различных областях электроники, включая радиоэлектронику, автомобильную промышленность, промышленные контроллеры, аудиоусилители, а также другие схемы, требующие усиления и коммутации электрических сигналов.
Замена импортных транзисторов отечественными
| Аналоги и возможные замены | |||
| Тип | Аналог | Возможная замена | Примечания |
| MJEF34 | КТ816 | Любой мощный рпр-транзистор с максимальным током коллектора большим 3 А | |
| TIP42 | КТ816 | ||
| 2SK58 | КПС315А, Б | ||
| 2N5911 | Обычные ПТ | ||
| U441 | КП303Д, Е; КП307Г, Д;КПЗ12; КП323;КП329; КП341;КП364Д, Е | ||
| U444 | КП303Д, Е; КП307Г, Д;КП312; КП323,КП329; КП341;КП364Д, Е | ||
| MPF102 | КП303Д, Е | В этой схеме можно применить любой высокочастотный полевой транзистор с каналом ri-типа и изоляцией рп-переходом. При наладке схемы может понадобиться подобрать резисторы в цепях затворов и/или истоков. Предпочтение следует отдавать транзисторам с наибольшим и начальными токами стока, малым пороговым напряжением и уровнем шума на ВЧ | |
| MPS3866 | КТ368 | В этой схеме можно применить любой высокочастотный биполярный прп-транзистор. Предпочтение следует отдавать транзисторам с малым уровнем шума на ВЧ | |
| 25139 | КП327А,В | КП346А-9; КП382А | |
| 1N754 | КС162 | ||
| 1N757A | КС182 | ||
| 2N3563 | КТ6113; КТ375;КТ345; КТ315;КТ3142; КТ3102Г,Е | ||
| 2N3565 | КТ6113; КТ375;КТ345; КТ315;КТ3142; КТ3102Г,Е | ||
| 2N3569 | КТ6113; КТ375;КТ345; КТ315;КТ3142; КТ3102Г,Е | ||
| BFR90 | КТ3198А | КТ371А, КТ3190А | |
| MPS3866 | КТ939А | ||
| MRF557 | КТ948; КТ996Б-2;КТ9141; КТ9143;КТ919; КТ938 | ||
| MRF837 | КТ634; КТ640; КТ657Б-2 | ||
| MV2101 | KB102; KB107А,В | ||
| 2N4401 | КТ6103 | КТ504 | |
| 2N4403 | КТ6102, КТ6116 | КТ505 | |
| ВС547В | КТ3102 | ||
| ВС549С | КТ3102 | ||
| ВС557В | KТ3107 | ||
| BD139 | КТ815 | ||
| BD140 | КТ814 | ||
| 2N5771 | КТ363АМ | ||
| ВС548 | КТ3102 | ||
| ВС557 | КТ3107 | ||
| TIP111 | КТ716 | ||
| TIP116 | КТ852 | ||
| TIP33B | КТ865 | ||
| TIP34B | КТ864 | ||
| 2SC2092 | КТ981, КТ955А,КТ9166А, КТ9120 | ||
| MRF475 | КТ981, КТ955А,КТ9166А, КТ9120 | ||
| 40673 | КП350, КП306,КП327, КП347,КП382 | ||
| 2N4124 | КТ3102Д | ||
| J309 | КП303Д, Е; КП307Г, Д;КПЗ12, КП323;КП329; КП341;КП364Д, Е | ||
| MPS2907 | КТ313 | ||
| 2N3414 | КТ645 | ||
| 2N4403 | КТ6102, КТ6116 | КТ505 | |
| 3055Т | КТ8150А | ||
| ВС517 | КТ972 | ||
| IRF9Z30 | КП944 | ||
| TIP125 | КТ853, КТ8115 | ||
| BS250P | КП944 | ||
| 2N3391A | КТ3102 | Любые маломощные с большим h2fe | |
| BC184L | КТ3102 | Любые маломощные с большим h2fe | |
| ВС547В | КТ3102 | ||
| BUZ11 | КП150 | ||
| IRFL9110 | КП944 | ||
| 2N4401 | КТ6103, КТ6117 | КТ504 | |
| 2N4403 | КТ6102, КТ6116 | КТ505 | |
| ВС109С | КТ342 | ||
| ВС237 | КТ3102 | ||
| ВС547 | КТЗ102, КТ645А | ||
| 2N4401 | КТ6103, КТ6117 | КТ504 | |
| 2N4403 | КТ6102, КТ6116 | КТ505 | |
| MPS А18 | КТ342Б, Д | ||
| 2N3704 | КТ685 | ||
| 2N4393 | КП302ГМ | ||
| 2N5401 | КТ6116А | ||
| ВС487 | КТ342Б, Д; КТ630Е | ||
| IRFZ44 | КП723А | ||
| MPS2907 | КТ313 | КТ3107 | |
| MPSА14 | КТ685 | ||
| MPSA64 | КТ973 | ||
| 2N2222 | КТ3117Б | КТ315 | |
| 2N3904 | КТ6137А | КТ815 | |
| 2N3906 | КТ6136А | ||
| ECG-187 | ГТ906А | ||
| FPT-100 | фототранзистор | ||
| HRF-511 | КП904 | ||
| TIL 414 | фототранзистор |
Нужно заменить диод или стабилитрон? — аналоги и замены диодов и полупроводников.
Datasheet Download — General Semiconductor
| Номер произв | BC807 | ||
| Описание | Small Signal Transistors (PNP) | ||
| Производители | General Semiconductor | ||
| логотип | |||
|
1Page
BC807, BC808 PNP Silicon Epitaxial Planar Transistors for switching, AF driver and amplifier Especially suited for automatic insertion in thick- and thin-film circuits. These transistors are subdivided into three groups -16, -25 and -40 according to their current gain. As complementary types, the NPN transistors BC817 and BC818 are recommended. Case: SOT-23 Plastic Package Weight: approx. 0.008 g Marking code Power Dissipation at TSB = 50 °C Junction Temperature 1) Device on fiberglass substrate, see layout BC807 –VCES –VCES –VCEO –VCEO –VEBO –IC –ICM –IBM IEM Ptot Tj TS Value 3101) 150
BC807, BC808 at –VCE = 1 V, –IC = 100 mA Current Gain Group-16 at –VCE = 1 V, –IC = 300 mA -16 at –IC = 500 mA, –IB = 50 mA Base-Emitter Voltage at –VCE = 1 V, –IC = 300 mA Collector-Emitter Cutoff Current at –VCE = 45 V at –VCE = 25 V at –VCE = 25 V, Tj = 150 °C BC807 at –VEB = 4 V Gain-Bandwidth Product at –VCE = 5 V, –IC = 10 mA, f = 50 MHz Collector-Base Capacitance at –VCB = 10 V, f = 1 MHz 1) Device on fiberglass substrate, see layout .30 (7.5) hFE hFE hFE hFE hFE hFE RthSB RthJA –VCEsat –VBE –ICES –ICES –ICES –IEBO fT CCBO Min. .04 (1) .08 (2) .04 (1) Layout for RthJA test Thickness: Fiberglass 0.059 in (1.5 mm) 3201) 4501) 0.7 5 µA 100 nA
RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES BC807, BC808 |
|||
| Всего страниц | 5 Pages | ||
| Скачать PDF |
Аналоги транзистора BC807 40 215
Ниже представлены некоторые аналоги транзистора BC807 40 215:
- BC808: это аналог транзистора BC807 40 215 с аналогичными характеристиками и параметрами. Он также является PNP транзистором и широко используется в радиоэлектронике.
- BC817-40: этот транзистор также является PNP транзистором и имеет максимальный ток коллектора в 500 мА. Он является более доступным аналогом BC807 40 215, но может отличаться некоторыми параметрами.
- MPSA92: этот транзистор также является PNP транзистором и имеет максимальный ток коллектора в 500 мА. Он может использоваться в качестве аналога BC807 40 215 в некоторых случаях, но может иметь некоторые отличия по характеристикам.
Прежде чем заменять транзистор BC807 40 215 на его аналог, необходимо убедиться, что аналог имеет требуемые характеристики и параметры и совместим с предыдущей схемой или устройством.
Сравнение транзисторов BC807 и других моделей
В таблице 1 приведено сравнение технических характеристик транзисторов BC807, BC557, 2N3906 и 2N3904.
| Модель транзистора | Тип полупроводника | Максимальное напряжение коллектора, В | Максимальный ток коллектора, мА | Максимальная мощность, Вт | hfe (коэффициент передачи по току) | Максимальная частота переключения, МГц |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BC807 | PNP | 45 | 500 | 0.5 | 40-600 | 300 |
| BC557 | PNP | 45 | 200 | 0.625 | 110-800 | 100 |
| 2N3906 | PNP | 40 | 200 | 0.625 | 100-300 | 300 |
| 2N3904 | NPN | 40 | 200 | 0.625 | 100-300 | 300 |
Таблица 1. Сравнение технических характеристик транзисторов BC807, BC557, 2N3906 и 2N3904.
Из таблицы видно, что транзистор BC807 имеет достаточно высокий максимальный ток коллектора и небольшую максимальную мощность. Коэффициент передачи по току (hfe) для BC807 варьируется в довольно широком диапазоне, что может быть полезно в различных схемах. Максимальная частота переключения для BC807 составляет 300 МГц.
При выборе замены транзистора BC807 следует обращать внимание на соответствие максимальных характеристик, таких как напряжение коллектора, ток коллектора и мощность
Важно также учитывать коэффициент передачи по току и максимальную частоту переключения, если они критичны для конкретной схемы. Другими возможными заменами для транзистора BC807 могут быть транзисторы BC557, 2N3906 или 2N3904 с аналогичными характеристиками
Другими возможными заменами для транзистора BC807 могут быть транзисторы BC557, 2N3906 или 2N3904 с аналогичными характеристиками.
BC807: особенности и характеристики
BC807 имеет следующие особенности и характеристики:
| Особенность | Характеристика |
| Тип | PNP |
| Максимальное коллекторное напряжение (VCEO) | 45 В |
| Максимальный коллекторный ток (IC) | 500 мА |
| Максимальная мощность (Ptot) | 625 мВт |
| Максимальная рабочая частота (fT) | 100 МГц |
| Коэффициент усиления (hFE) | от 40 до 630 |
| Тип корпуса | SOT-23 |
| Температурный диапазон | от -55°C до +150°C |
BC807 обладает высоким коэффициентом усиления и хорошей рабочей частотой, что делает его идеальным для использования в усилительных схемах низкой и средней частоты. Кроме того, его небольшой размер и низкое энергопотребление позволяют эффективно использовать его в компактных устройствах.
Важно отметить, что BC807 является кремниевым транзистором, что означает, что он имеет более низкую насыщенную насыщенную Максимум-коллектороллекторном напряжении, чем обычные германиевые транзисторы. Поэтому для некоторых приложений может потребоваться предварительное усиление или буферное устройство, чтобы обеспечить достаточное усиление и стабильность сигнала
Напряжение и ток
Напряжение, также известное как VCE (коллектор-эмиттерное напряжение), определяет максимальное значение напряжения, которое может быть применено к коллектору и эмиттеру транзистора. Применение напряжения выше максимального значения может привести к выходу транзистора из строя. В случае Bc807 smd транзистора, типичное значение VCE составляет 45 В.
Ток, известный как IC (коллекторный ток), определяет максимальное значение тока, которое может протекать через коллектор и эмиттер транзистора. Превышение максимального значения тока может привести к перегреву и выходу транзистора из строя. Максимальное значение IC для Bc807 smd транзистора составляет 500 мА.
| Название параметра | Значение |
|---|---|
| VCE (коллектор-эмиттерное напряжение) | 45 В |
| IC (коллекторный ток) | 500 мА |
Описание и назначение SMD-транзистора BC807
Этот транзистор имеет миниатюрный корпус SOT-23, что делает его удобным для установки на печатные платы и поверхностного монтажа. BC807 обладает низким уровнем шума и низким напряжением насыщения, что делает его эффективным во многих электронных схемах.
BC807 предлагает следующие основные характеристики:
| Параметр | Значение | Единица измерения |
|---|---|---|
| Максимальный коллекторный ток (Ic) | 500 | миллиампер |
| Максимальное коллекторное напряжение (Vce) | 45 | вольт |
| Коэффициент усиления по току (hfe) | больше 100 | — |
| Частота переключения (ft) | 100 | мегагерц |
| Мощность потери | 300 | милливатт |
| Температурный диапазон | -55…+150 | градус Цельсия |
В электронных схемах SMD-транзистор BC807 может использоваться для усиления звуковых сигналов в усилителях и усилительных каскадах, а также для коммутации низкочастотных сигналов в высококачественных аудио и радиоустройствах.
Обзор и характеристики SMD-транзистора BC807
Основные характеристики SMD-транзистора BC807:
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCEO): 45 В
- Максимальный ток коллектора (IC): 500 мА
- Максимальная мощность (Ptot): 300 мВт
- Коэффициент усиления по току (hfe): от 100 до 600
- Скорость переключения (fT): 150 МГц
- Тип корпуса: SOT-23
BC807 обладает низким уровнем шума и хорошей линейностью при усиливающем режиме работы. Он широко применяется в различных схемах усиления, коммутации и импульсных приложениях.
Использование SMD-транзистора BC807 требует соблюдения правил статической и динамической защиты, а также правильного термического режима.
Выводы SMD-транзистора BC807 имеют контакт формата «SOT-23» и могут быть припаяны к плате с помощью паяльной станции или припоя.
