Аналоги и комплементарная пара
Для замены транзистора необходимо использовать радиокомпоненты с наиболее близким техническими характеристиками.
| Аналог | VCEO | IC | PC | hFE | fT | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BC337 | 45 | 0,8 | 0,625 | 100 | 210 | ТО-92 |
| Отечественное производство | ||||||
| КТ504Б | 350 | 1 | 1 | 15 | 20 | КТ-2-7 |
| КТ660А | 45 | 0,8 | 0,5 | 110 | 200 | КТ-26 (ТО-92) |
| КТ928Б | 60 | 0,8 | 0,5 | 50 | 250 | КТ-2-7 |
| КТ3102БМ | 50 | 0,2 | 0,25 | 200 | — | КТ-26 (ТО-92) |
| Импорт | ||||||
| BC184 | 30 | 0,2 | 0,3 | 240 | 150 | ТО-92 |
| BC637 | 60 | 1 | 1 | 40 | 50 | ТО-92 |
| 2N4401 | 40 | 0,6 | 0,31 | 100 | 250 | ТО-92 |
| 2N5818 | 40 | 0,75 | 0,5 | 150 | 135 | ТО-92 |
| MPSA06 | 80 | 0,5 | 0,625 | 50 | 100 | ТО-92 |
| SE6022 | 60 | 1 | 0,22 | 100 | 250 | ТО-106 |
Примечание: характеристики аналогов в таблице взяты из даташип производителя.
Корпуса и цоколевка аналогов
Для комплементарной пары производители предлагают использовать ВС327.
BC637 Datasheet (PDF)
..1. Size:116K motorola bc635 bc637 bc639.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BC635/DHigh Current TransistorsBC635NPN SiliconBC637BC639COLLECTOR23BASE1EMITTER1MAXIMUM RATINGS23BC BC
..2. Size:153K philips bc637 bcp55 bcx55.pdf
BC637; BCP55; BCX5560 V, 1 A NPN medium power transistorsRev. 07 25 June 2007 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN medium power transistor series.Table 1. Product overviewType number Package PNP complementNXP JEITA JEDECBC637 SOT54 SC-43A TO-92 BC638BCP55 SOT223 SC-73 — BCP52BCX55 SOT89 SC-62 TO-243 BCX52 Valid for all available sel
..3. Size:47K philips bc635 bc637 bc639.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D186BC635; BC637; BC639NPN medium power transistorsProduct specification 2001 Oct 10Supersedes data of 1999 Apr 23Philips Semiconductors Product specificationNPN medium power transistors BC635; BC637; BC639FEATURES PINNING High current (max. 1 A)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 80 V).1 base2 collectorAPPLIC
..4. Size:49K philips bc635 bc637 bc639 3.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D186BC635; BC637; BC639NPN medium power transistors1999 Apr 23Product specificationSupersedes data of 1997 Mar 12Philips Semiconductors Product specificationNPN medium power transistors BC635; BC637; BC639FEATURES PINNING High current (max. 1 A)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 80 V).1 base2 collectorAPPLI
..5. Size:55K fairchild semi bc635 bc637 bc639.pdf
BC635/637/639Switching and Amplifier Applications Complement to BC636/638/640TO-9211. Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCER Collector-Emitter Voltage at RBE=1K : BC635 45 V: BC637 60 V: BC639 100 VVCES Collector-Emitter Voltage : BC635 45 V: BC637 6
..6. Size:92K onsemi bc637 bc639 bc63916.pdf
BC637, BC639, BC639-16High Current TransistorsNPN SiliconFeatures These are Pb-Free Devices* http://onsemi.comCOLLECTOR2MAXIMUM RATINGS3Rating Symbol Value UnitBASECollector — Emitter Voltage VCEO VdcBC637 601BC639 80EMITTERCollector — Base Voltage VCBO VdcBC637 60BC639 80Emitter — Base Voltage VEBO 5.0 VdcCollector Current — Continuous IC 1.0 AdcTO-
..7. Size:115K cdil bc635 bc636 bc637 bc638 bc639 bc640.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanySILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS BC635, 637, 639 NPNBC636, 638, 640 PNPTO-92Plastic PackageFor Lead Free Parts, Device Part # will be Prefixed with «T»BCEHigh Current TransistorABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C)BC635 BC637 BC639DESCRIPTION SYMBOLBC636 BC638 BC640 UNITVCE
..8. Size:596K jiangsu bc635 bc637 bc639.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate TransistorsTO-92 BC635 / BC637 / BC639 TRANSISTOR (NPN)1. EMITTERFEATURES High current transistors 2. COLLECTOR 3. BASEBC635 BC637 BC639 XXX XXX XXXEquivalent Circuit 1 1 1BC635,BC637,BC639=Device code Solid dot=Green molding compound device, if none,the normal deviceXXX=Code
..9. Size:28K kec bc637.pdf
SEMICONDUCTOR BC637TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORHIGH CURRENT TRANSISTORS.B CFEATURESComplementary to BC638.N DIM MILLIMETERSA 4.70 MAXEKB 4.80 MAXGC 3.70 MAXDMAXIMUM RATING (Ta=25 )D 0.45E 1.00CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT F 1.27G 0.85H 0.45VCBOCollector-Base Voltage 60 V_HJ 14.00 + 0.50K 0.55 MAXVCEO F FCollector-Emitte
..10. Size:154K lge bc635 bc637 bc639.pdf
BC635/637/639(NPN)TO-92 Bipolar TransistorsTO-92 1. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE Features High current transistors Dimensions in inches and (millimeters)MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Emitter Voltage BC635 45 V BC637 60 V BC639 100 VVCEO Collector-Emitter Voltage BC635 45 V BC637 60 V BC639 80 V
0.1. Size:96K onsemi bc637g bc639zl1g.pdf
BC637, BC639, BC639-16High Current TransistorsNPN SiliconFeatures These are Pb-Free Devices* http://onsemi.comCOLLECTOR2MAXIMUM RATINGS3Rating Symbol Value UnitBASECollector — Emitter Voltage VCEO VdcBC637 601BC639 80EMITTERCollector — Base Voltage VCBO VdcBC637 60BC639 80Emitter — Base Voltage VEBO 5.0 VdcCollector Current — Continuous IC 1.0 AdcTO-
Datasheet26.com — поиск даташит, даташитов скачивание
Номер в каталоге
Особенности
Производители
PDF
12D-XXD05N
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER
Yuan Dean Scientific
PDF
12D-XXD05N2
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER
Yuan Dean Scientific
PDF
12D-XXD09N
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER
Yuan Dean Scientific
PDF
12D-XXD09N2
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER
Yuan Dean Scientific
PDF
12D-XXD12N
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER
Yuan Dean Scientific
PDF
12D-XXD12N2
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER
Yuan Dean Scientific
PDF
12D-XXD15N
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER
Yuan Dean Scientific
PDF
12D-XXD15N2
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER
Yuan Dean Scientific
PDF
12D-XXS05N
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER
Yuan Dean Scientific
PDF
12D-XXS05N2
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER
Yuan Dean Scientific
PDF
12D-XXS09N
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER
Yuan Dean Scientific
PDF
12D-XXS09N2
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER
Yuan Dean Scientific
PDF
12D-XXS12N
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER
Yuan Dean Scientific
PDF
12D-XXS12N2
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER
Yuan Dean Scientific
PDF
Поэлементный разбор внутренностей простейшей микросхемы — ULN2003
Выглядит следующим образом. Цвета несколько усилены относительно натуральных, под контактными площадками металл поврежден кислотой (и приобрел такой коричневый цвет):
Как видим, 7 каналов абсолютно идентичны, потому будем рассматривать только один. К счастью для нас, схема каждого канала нам известна — и мы можем в неё подглядывать:
А теперь 1 канал с отмеченными элементами. Сопоставление конкретных элементов схеме — оставляю как домашнее задание для читателя.
Но как же сделан сам транзистор? Известно, что внутренняя структура планарного биполярного npn транзистора при производстве получается следующая:
Тонкая база — «подныривает» под эмиттер. Не смотря на то, что и на коллекторе и на эмиттере — кремний легирован в тип n, отличается концентрация легирующей примеси и толщина: это делают для того, чтобы оптимизировать транзистор для «усиления тока» в одном направлении.
Зная это — мы можем внимательнее посмотреть на 1 транзистор, и понять где там что. Кремний, легированный в разный тип — немного отличается по цвету. Невооруженному взгляду это практически не заметно — но тут насыщенность цветов и контраст выкручены почти на максимум. Пусть 2 эмиттера включенных параллельно вас не смущают — они работают как 1 бОльшей площади.
Для того, чтобы соединения не «закорачивали» то, что не нужно — поверхность кремния покрыта слоем прозрачного стекла (SiO2), в котором есть отверстия непосредственно над местами, где вывод соединяется с нужным местом на транзисторе. Это хорошо видно на следующей фотографии, т.к. глубина резкости на этом объективе меньше, и например соединение к базе — уже не в фокусе, т.к. расположено выше, над слоем стекла.
Коллекторы обоих транзисторов — это фактически единое целое, т.к. по схеме они соединены. Соседние каналы изолированы pn-переходом, можно увидеть прямоугольник немного отличающегося цвета вокруг каждого канала на .
Как видим, никакой магии внутри нет
Схема TL431
Рассмотрим схему, которая находится в официальном datasheet производителя Texas Instruments.
Схема довольно простая. На ней изображен самый обыкновенный операционный усилитель (выглядит, как треугольник на картинке), который подключен к транзистору на выходе.
Как работает TL431?
Здесь все элементарно. Операционному усилителю на вход стоит источник опорного напряжения на 2.5В, который подсоединен ко входу. Контакт под кодовым названием REF и коллектор и эмиттер транзистора связаны с контактами питания усилителя. А безопасность обеспечивает защитный диод, который сохранит и убережет микросхему от переполюсовки.
Чтобы открылся выходной транзистор, нужно на вход REF подать сигнал, вольтаж которого будет чуть больше, чем опорное. Так как достаточно превышения в пару милливольт, то смело можем считать, что подаем вольтаж, который равен опорному. В таком случае, на выходе с ОУ идет напряжение на базу транзистора, и он открывается.
Специально для особо любознательных в даташите TL431 также имеется изображение детализированной схемы:
Как вы видите, даже на показанной развернутой схеме, устройство TL431 не вызывает чувство страха.
Hoja de datos ( техническое описание в формате PDF ) электронных компонентов
Номер пьезы
Описание
Фабрикантес
ПДФ
1SMA10AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона с пиковой мощностью 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA11AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA12AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA13AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона с пиковой мощностью 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA14AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA15AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA16AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона с пиковой мощностью 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA17AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA18AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA20AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона с пиковой мощностью 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA22AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA24AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA26AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона с пиковой мощностью 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA28AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
Идея схемы Дарлингтона
Если один транзистор может усилить ток, улучшит ли нашу ситуацию использование двух транзисторов? Да, правильно, улучшит. Все, что нам нужно сделать, это объединить наши транзисторы в схему Дарлингтона, данная схема была разработана в 1953 году Сидни Дарлингтоном.
Примерное подключение двух биполярных транзисторов в схему Дарлингтона
При описании работы схемы Дарлингтона, мы предполагаем, что ток коллектора равен току эмиттера (для простоты здесь мы опускаем ток базы). Также будем учитывать, что в схеме используются однотипные биполярные транзисторы. Принцип работы следующий: ток, который подается на базу Т1, течет с его эмиттера усиленным. Обозначим коэффициент усиления этого транзистора по току β T1 .
T1 течет из эмиттера I BT1 · β T1 и напрямую влияет на базу T2. Транзистор Т2 усилен в β Т2 — кратно. В результате ток I BT1 · β T1 · β T2 протекает через коллектор T2. Гораздо большая часть тока проходит через T2, поэтому ток коллектора T1 можно считать незначительным.
| В результате общий коэффициент усиления по току этой системы составляет β D = β T1 · β T2. |
Распределение токов, протекающих в схеме Дарлингтона
Преобразовывая формулы, мы сделали несколько упрощений. Однако, они мало повлияют на результат (порядка одного процента). Коэффициент усиления по току транзисторов колеблется намного сильнее (температура, производитель).
| Если у вас возникли проблемы с пониманием приведенной выше схемы, попробуйте нарисовать её на листе бумаги самостоятельно (шаг за шагом). |
BC327 Datasheet (PDF)
BC327-xBK / BC328-xBK BC327-xBK / BC328-xBK General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors PNP PNP Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz Version 2010-06-23 ±0.1 Power dissipation 625 mW 4.6 Verlustleistung Plastic case TO-92 Kunststoffgehäuse (10D3) Weight approx. – Gewicht ca. 0.18 g Plastic material has UL classification 94V-0 C B E Gehäusematerial UL9
1.2. bc327 bc328.pdf Size:160K _motorola
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by BC327/D Amplifier Transistors PNP Silicon BC327,-16,-25 BC328,-16,-25 COLLECTOR 1 2 BASE 3 EMITTER 1 MAXIMUM RATINGS 2 3 Rating Symbol BC327 BC328 Unit CASE 29�04, STYLE 17 Collector�Emitter Voltage VCEO �45 �25 Vdc TO�92 (TO�226AA) Collector�Base Voltage VCBO �50 �30 Vdc Emitter�Base Voltage VEBO �5.0 Vdc Collect
1.3. bc327 3.pdf Size:52K _philips
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D186 BC327 PNP general purpose transistor 1999 Apr 15 Product specification Supersedes data of 1997 Mar 10 Philips Semiconductors Product specification PNP general purpose transistor BC327 FEATURES PINNING � High current (max. 500 mA) PIN DESCRIPTION � Low voltage (max. 45 V). 1 emitter 2 base APPLICATIONS 3 collector � Genera
BC807; BC807W; BC327 45 V, 500 mA PNP general-purpose transistors Rev. 06 � 17 November 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP general-purpose transistors. Table 1. Product overview Type number Package NPN complement NXP JEITA BC807 SOT23 — BC817 BC807W SOT323 SC-70 BC817W BC327 SOT54 (TO-92) SC-43A BC337 Also available in SOT54A and SOT54 variant
BC327-25 BC327-40 � SMALL SIGNAL PNP TRANSISTORS PRELIMINARY DATA Ordering Code Marking Package / Shipment BC327-25 BC327-25 TO-92 / Bulk BC327-25-AP BC327-25 TO-92 / Ammopack BC327-40 BC327-40 TO-92 / Bulk BC327-40-AP BC327-40 TO-92 / Ammopack SILICON EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORS TO-92 PACKAGE SUITABLE FOR THROUGH-HOLE PCB ASSEMBLY TO-92 TO-92 THE NPN COMPLEMENTARY TYPES ARE
1.6. bc327 bc328.pdf Size:49K _fairchild_semi
BC327/328 Switching and Amplifier Applications � Suitable for AF-Driver stages and low power output stages � Complement to BC337/BC338 TO-92 1 1. Collector 2. Base 3. Emitter PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25�C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCES Collector-Emitter Voltage : BC327 -50 V : BC328 -30 V VCEO Collector-Emitter Voltage :
BC327-16/25/40 MCC TM Micro Commercial Components BC328-16/25/40 20736 Marilla Street Chatsworth Micro Commercial Components CA 91311 Phone: (818) 701-4933 Fax: (818) 701-4939 Features PNP � Lead Free Finish/RoHS Compliant («P» Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) Plastic-Encapsulate � Capable of 0.625Watts of Power Dissipation. � Collector-current : -0.8
BC327, BC327-16, BC327-25, BC327-40 Amplifier Transistors PNP Silicon http://onsemi.com Features � Pb-Free Packages are Available* COLLECTOR 1 MAXIMUM RATINGS 2 BASE Rating Symbol Value Unit Collector -Emitter Voltage VCEO -45 Vdc 3 Collector -Base Voltage VCES -50 Vdc EMITTER Collector —Emitter Voltage VEBO -5.0 Vdc Collector Current — Continuous IC -800 mAdc Total Power Dissip
SBC327 Semiconductor Semiconductor PNP Silicon Transistor Descriptions • High current application • Switching application Features • Suitable for AF-Driver stage and low power output stages • Complementary Pair with SBC337 Ordering Information Type NO. Marking Package Code0 SBC327 SBC327 TO-92 Outline Dimensions unit : mm 3.45±0.1 4.5±0.1 2.25±0.1 0.4±0.02 2.06±0
Область применения транзисторов 13001
Транзисторы серии 13001 разработаны специально для применения в преобразовательных устройствах небольшой мощности в качестве ключевых (переключающих) элементов.
- сетевые адаптеры мобильных устройств;
- электронная пускорегулирующая аппаратура люминесцентных ламп малой мощности;
- электронные трансформаторы;
- другие импульсные устройства.
Нет принципиальных ограничений на использование транзисторов 13001 в качестве транзисторных ключей. Также можно применять данные полупроводниковые приборы в усилителях низкой частоты в случаях, где не требуется особое усиление (коэффициент передачи по току у серии 13001 по современным меркам невелик), но в этих случаях не реализуются довольно высокие параметры этих транзисторов по рабочему напряжению и их высокое быстродействие.
Лучше в этих случаях применить более распространенные и дешевые типы транзисторов. Также при построении усилителей надо помнить, что комплементарная пара у транзистора 31001 отсутствует, поэтому с организацией двухтактного каскада могут быть проблемы.
На рисунке приведен характерный пример использования транзистора 13001 в сетевом зарядном устройстве для аккумулятора переносного устройства. Кремниевый триод включен в качестве ключевого элемента, формирующего импульсы на первичной обмотке трансформатора ТР1. Он с большим запасом выдерживает полное выпрямленное сетевое напряжение и не требует дополнительных схемотехнических мер.
Температурный профиль для пайки бессвинцовым припоем
При пайке транзисторов надо соблюдать определенную осторожность, не допуская излишнего нагрева. Идеальный температурный профиль указан на рисунке и состоит из трех этапов:
- этап предварительного нагрева длится около 2 минут, за это время транзистор прогревается от 25 до 125 градусов;
- собственно пайка длится около 5 секунд при максимальной температуре 255 градусов;
- заключительный этап – расхолаживание со скоростью от 2 до 10 градусов в секунду.
Этот график сложно соблюсти в домашних условиях или в мастерской, да и не так это важно при демонтаже-монтаже единичного транзистора. Главное – не превышать максимально допустимую температуру пайки
Транзисторы 13001 имеют репутацию достаточно надежных изделий, и при условиях эксплуатации, не выходящих за установленные пределы, могут прослужить долго без отказов.
Транзистор — устройство, виды, применение
Описание, устройство и принцип работы полевого транзистора
Что такое биполярный транзистор и какие схемы включения существуют
Описание, характеристики и схема включения стабилизатора напряжения КРЕН 142
Описание, технические характеристики и аналоги выпрямительных диодов серии 1N4001-1N4007
Как работает микросхема TL431, схемы включения, описание характеристик и проверка на работоспособность