Как правильно заменить транзистор bc558?
Замена транзистора bc558 может потребоваться, если его функциональность была нарушена или если он не доступен для покупки. Для того чтобы успешно заменить транзистор, необходимо учесть несколько важных факторов:
Определите тип и конфигурацию транзистора: В первую очередь, нужно убедиться, что заменяемый транзистор является PNP-транзистором с конфигурацией эмиттер-база-коллектор. Также стоит проверить ток коллектора и коэффициент усиления тока транзистора, чтобы найти подходящий аналог.
Исследуйте документацию и каталоги: Последующий этап – поиск аналогов транзистора bc558
Можно использовать специализированные каталоги, которые содержат информацию о параметрах и аналогах различных электронных компонентов.
Выберите подходящий аналог: Найдя замену для транзистора bc558, обратите внимание на такие параметры, как ток коллектора, напряжение эмиттер-база, коэффициент усиления тока и мощность испытаний. Подберите транзистор с близкими значениями этих параметров для успешной замены.
Проверьте плату и схему: Перед заменой транзистора, убедитесь, что плата и схема не имеют других дефектов
Проверьте, нет ли коротких замыканий или повреждений других компонентов, которые могли стать причиной неисправности транзистора.
Произведите замену: Замена транзистора выполняется с использованием паяльной станции и других необходимых инструментов. Тщательно удалите старый транзистор, а затем установите новый на его место, учитывая правильную полярность и ориентацию контактов. Убедитесь, что все соединения надежно закреплены, прежде чем продолжать дальнейшее тестирование.
При правильной замене транзистора bc558 на подходящий аналог, ваша электронная схема должна продолжать работать без сбоев. Однако, если у вас возникают трудности или необходима профессиональная помощь, рекомендуется обратиться к опытным специалистам.
Аналоги биполярного транзистора 2SС5586
| Type | Mat | Struct | Pc | Vcb | Vce | Ic | Ft | Cc | Hfe | Caps |
| 2SC5586 | Si | NPN | 70,00 | 900,00 | 550,00 | 5,00 | 6,00 | 50,00 | 10,00 | TO3PF |
| H05N50F | N | MOSFET | 38,00 | 500,00 | 30,00 | 5,00 | 150,00 | 60,00 | ||
| H06N60F | N | MOSFET | 40,00 | 600,00 | 30,00 | 6,00 | 150,00 | 19,00 | ||
| H07N60F | N | MOSFET | 40,00 | 600,00 | 30,00 | 7,00 | 150,00 | 19,00 | ||
| H07N65F | N | MOSFET | 48,00 | 650,00 | 30,00 | 7,00 | 150,00 | 29,00 | ||
| H10N60F | N | MOSFET | 50,00 | 600,00 | 30,00 | 10,00 | 150,00 | 26,00 | ||
| H10N65F | N | MOSFET | 50,00 | 650,00 | 30,00 | 10,00 | 150,00 | 75,00 | ||
| H12N60F | N | MOSFET | 50,00 | 600,00 | 30,00 | 12,00 | 150,00 | 50,00 | ||
| H12N65F | N | MOSFET | 50,00 | 650,00 | 30,00 | 12,00 | 150,00 | 50,00 | ||
| HIRF830F | N | MOSFET | 38,00 | 500,00 | 30,00 | 43589,00 | 150,00 | 46,00 | ||
| HIRF840F | N | MOSFET | 38,00 | 500,00 | 30,00 | 8,00 | 150,00 | 23,00 | ||
| IPA50R199CP | N | MOSFET | 139,00 | 500,00 | 17,00 | 34,00 | ||||
| MTN12N65FP | N | MOSFET | 51,00 | 650,00 | 30,00 | 12,00 | 150,00 | 38,00 | 85,00 | |
| MTN6N65FP | N | MOSFET | 54,00 | 650,00 | 30,00 | 6,00 | 150,00 | 13,00 | ||
| MTN6N70FP | N | MOSFET | 54,00 | 700,00 | 30,00 | 6,00 | 150,00 | 13,00 | ||
| MTN7N60FP | N | MOSFET | 44,00 | 600,00 | 30,00 | 7,00 | 150,00 | 37,00 | 40,00 | |
| MTN7N65FP | N | MOSFET | 52,00 | 650,00 | 30,00 | 7,00 | 150,00 | 50,00 | ||
| MTN8N50FP | N | MOSFET | 38.5 | 500,00 | 30,00 | 8,00 | 150,00 | 23,00 | ||
| MTN8N60FP | N | MOSFET | 48,00 | 600,00 | 30,00 | 43592,00 | 150,00 | 37,00 | 40,00 | |
| MTN8N65FP | N | MOSFET | 60,00 | 650,00 | 30,00 | 43592,00 | 150,00 | 70,00 | ||
| MTN8N70FP | N | MOSFET | 60,00 | 700,00 | 30,00 | 43592,00 | 150,00 | 70,00 | ||
| SIF10N60C | N | MOSFET | 156,00 | 600,00 | 20,00 | 10,00 | 150,00 | |||
| SIF10N65C | N | MOSFET | 156,00 | 650,00 | 20,00 | 10,00 | 150,00 | |||
| SIF10N70C | N | MOSFET | 157,00 | 700,00 | 20,00 | 10,00 | 150,00 | |||
| SIF12N60C | N | MOSFET | 225,00 | 600,00 | 30,00 | 12,00 | 150,00 | |||
| SIF12N65C | N | MOSFET | 225,00 | 650,00 | 30,00 | 12,00 | 150,00 | |||
| SIF13N50C | N | MOSFET | 170,00 | 500,00 | 30,00 | 13,00 | 150,00 | |||
| SIF18N65C | N | MOSFET | 65,00 | 650,00 | 30,00 | 18,00 | 150,00 | |||
| SIF5N50C | N | MOSFET | 74,00 | 500,00 | 30,00 | 5,00 | 150,00 | |||
| SIF7N60C | N | MOSFET | 147,00 | 600,00 | 30,00 | 7,00 | 150,00 | |||
| SIF7N60D | N | MOSFET | 147,00 | 600,00 | 30,00 | 7,00 | 150,00 | |||
| SIF7N65C | N | MOSFET | 142,00 | 650,00 | 30,00 | 7,00 | 150,00 | |||
| SIF7N65D | N | MOSFET | 142,00 | 650,00 | 30,00 | 7,00 | 150,00 | |||
| SIF7N70C | N | MOSFET | 147,00 | 700,00 | 30,00 | 7,00 | 150,00 | |||
| SIF7N80C | N | MOSFET | 167,00 | 800,00 | 30,00 | 7,00 | 150,00 | |||
| SIF8N50C | N | MOSFET | 125,00 | 500,00 | 30,00 | 8,00 | 150,00 | |||
| SIHFI830G | N | MOSFET | 35,00 | 500,00 | 20,00 | 4,00 | 43468,00 | 150,00 | 38,00 | 16,00 |
| SPA04N80C3 | N | MOSFET | 38,00 | 800,00 | 4,00 | 23,00 | ||||
| SPA06N80C3 | N | MOSFET | 39,00 | 800,00 | 6,00 | 31,00 | ||||
| STF12N50M2 | N | MOSFET | 85,00 | 500,00 | 25,00 | 4,00 | 10,00 | 150,00 | 15,00 | 43595,00 |
| STF30NM50N | N | MOSFET | 40,00 | 500,00 | 25,00 | 4,00 | 27,00 | 150,00 | ||
| STF8NM50N | N | MOSFET | 45,00 | 500,00 | 25,00 | 4,00 | 5,00 | 150,00 | ||
| STP9NB50FP | N | MOSFET | 40,00 | 500,00 | 30,00 | 43712,00 | 150,00 | 11,00 |
Bipolar transistor, NPN, 900 V, 5 A, 70 W
Биполярный транзистор, NPN, 900 В, 5 А, 70 Вт
Проверка КТ815
Не всегда покупаемые элементы оказываются в рабочем состоянии. Пусть бракованные элементы попадаются не так часто, но любой радиолюбитель или просто покупатель обязан знать, как проверить такой прибор.
Во-первых, проверить работоспособность КТ815 можно специальным пробником, но рассмотрим проверку обычным мультиметром, так как предыдущий прибор есть далеко не у всех.
Для проверки при помощи мультиметра, прибор нужно перевести в режим прозвонки. Сначала прикладываем отрицательный щуп к базе, а положительный к коллектору. На дисплее должно отобразиться значение от 500 до 800 мв. Затем меняем щупы, поставив на базу положительный, а на эмиттер отрицательный. Значения должны примерно равны прошлым.
Затем нужно проверить обратное падение напряжение. Для этого поставим сначала отрицательный щуп на базу, а положительный на коллектор. Должны получится единица. В случае с замером на базе и эмиттере, произойдёт то же самое.
Applications
The applications of a BC558 transistor include;
- General-purpose amplifier,
- Darlington pair,
- As a preamplifier and for switching purposes,
- Current mirror circuits and H- bridge circuits,
- As an impedance buffer,
- Oscillator and comparator circuits,
- Amplifier modules like a signal amplifier and audio amplifier,
(music stereo audio amplifier).
- For building audio signals,
- Driving loads of less than 100mA,
- Controlling motors,
- In constructing bistable and astable multivibrators,
- Instrumentation projects and robotics,
- Lastly, you can use it in driver modules like a LED driver and relay driver.
Биполярный транзистор BC550C — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BC550C
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150
MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 420
Корпус транзистора:
BC550C
Datasheet (PDF)
..1. Size:377K taiwansemi bc546a bc546b bc546c bc547a bc547b bc547c bc548a bc548b bc548c bc549a bc549b bc549c bc550a bc550b bc550c.pdf
BC546A/B/C — BC550A/B/C Taiwan Semiconductor 500mW, NPN Small Signal Transistor FEATURES KEY PARAMETERS Low power loss, high efficiency PARAMETER VALUE UNIT Ideal for automated placement VCBO 30-80 V High surge current capability VCEO 30-65 V Compliant to RoHS directive 2011/65/EU and VEBO 6 V in accordance to WEEE 2002/96/EC Halogen-free accordi
0.1. Size:314K onsemi bc546abu bc546ata bc546bta bc546btf bc546cta bc547ata bc547b bc547bbu bc547bta bc547btf bc547cbu bc547cta bc547ctfr bc548bu bc548bta bc548cta bc549bta bc549btf bc549cta bc550cbu bc550cta.pdf
Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
0.2. Size:1554K lrc bc547cta bc547ctfr bc548bu bc548bta bc548cta bc549bta bc549btf bc549cta bc550cbu bc550cta.pdf
9.1. Size:110K motorola bc549 bc550.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BC549B/DLow Noise TransistorsNPN SiliconBC549B,CBC550B,CCOLLECTOR12BASE3EMITTER1MAXIMUM RATINGS23Rating S
9.2. Size:49K philips bc549 bc550 3.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D186BC549; BC550NPN general purpose transistors1999 Apr 22Product specificationSupersedes data of 1997 Jun 20Philips Semiconductors Product specificationNPN general purpose transistors BC549; BC550FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 45 V).1 emitter2 baseAPPLICATIONS
9.3. Size:231K philips bc549 bc550.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETdbook, halfpageM3D186BC549; BC550NPN general purpose transistorsProduct data sheet 2004 Oct 11Supersedes data of 1999 Apr 22NXP Semiconductors Product data sheetNPN general purpose transistors BC549; BC550FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 45 V).1 emitter2 baseAPPLICATIONS3 colle
9.4. Size:44K fairchild semi bc546 bc547 bc548 bc549 bc550.pdf
BC546/547/548/549/550Switching and Applications High Voltage: BC546, VCEO=65V Low Noise: BC549, BC550 Complement to BC556 … BC560TO-9211. Collector 2. Base 3. EmitterNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage : BC546 80 V: BC547/550 50 V: BC548/549 30 VVCE
9.5. Size:52K diodes bc549b-c bc550b-c.pdf
Low Noise TransistorsBC549B,CNPN SiliconBC550B,CMAXIMUM RATINGSRating Symbol BC549 BC550 UnitCollectorEmitter Voltage VCEO 30 45 VdcCollectorBase Voltage VCBO 30 50 VdcEmitterBase Voltage VEBO 5.0 VdcCollector Current Continuous IC 100 mAdc1Total Device Dissipation @ TA = 25C PD 625 mW2Derate above 25C 5.0 mW/C 3Total Device Dissipation @ TC = 25
9.6. Size:355K cdil bc549 bc550.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyBC549,A.B,CNPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORSBC550,A,B,CTO-92Plastic PackageFor Lead Free Parts, Device Part # will be Prefixed with «T»EBCLow Noise TransistorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C)DESCRIPTION SYMBOL BC549 BC550 UNITSCollector Emitter Voltage VCEO 30 45 V
Другие транзисторы… BC549B
, BC549BP
, BC549C
, BC549CP
, BC550
, BC550AP
, BC550B
, BC550BP
, 2SD718
, BC550CP
, BC551
, BC556
, BC556A
, BC556AP
, BC556B
, BC556BP
, BC556VI
.
Возможные причины замены транзистора bc558
Замена транзистора bc558 может быть необходима по следующим причинам:
- Выход из строя транзистора — одной из наиболее распространенных причин замены является повреждение или поломка транзистора bc558. Это может произойти из-за нестабильности в схеме, неправильного подключения или неправильной работы элементов схемы.
- Низкая производительность — если транзистор bc558 испытывает проблемы с производительностью и не выполняет свои функции должным образом, может потребоваться его замена. Это может произойти, например, из-за высокого уровня шума, недостатка мощности или неправильной работы.
- Устарелость — транзистор bc558 может считаться устаревшим, и его замена может быть рекомендована для улучшения функциональности или обновления схемы. Новые аналоги транзистора могут иметь лучшие характеристики и функции, которые могут стать полезными для вашего проекта.
- Отсутствие аналога — если вам не удается найти замену для транзистора bc558, может потребоваться замена. В этом случае необходимо обратиться к специалистам или производителям, чтобы найти подходящую замену или предложить альтернативные решения.
В любом случае, перед заменой транзистора bc558 рекомендуется провести тщательный анализ схемы и причин поломки, чтобы избежать повторения проблем в будущем и выбрать самый подходящий аналог для вашего проекта.
Какой транзистор выбрать вместо bc558?
Ниже приведены некоторые аналоги, которые можно рассмотреть:
- BC557: Это PNP транзистор, который имеет схожие характеристики с BC558, но с немного более низкими значениями максимального коллекторного тока и максимальной мощности.
- BC327: Это еще один PNP транзистор с предельными характеристиками, близкими к BC558. BC327 также имеет низкий уровень шума и обеспечивает хорошее усиление.
- 2N3906: Этот транзистор PNP широко используется в электронике и является дешевым и доступным вариантом замены для BC558. Он также имеет хорошие усилительные характеристики и низкий уровень шума.
Перед выбором замены всегда рекомендуется проверить технические параметры заменяемого транзистора и провести необходимые расчеты для определения подходящей альтернативы. Также, необходимо учесть спецификации конкретного проекта или схемы, в которой будет использоваться транзистор.
Важно отметить, что аналоги могут иметь небольшие различия в характеристиках, поэтому рекомендуется провести тестирование и проверить работу устройства после замены транзистора
