Bc327: характеристики транзистора, цоколевка и аналоги

Маркировка транзисторов

Транзистор КТ315. Тип транзистора указывается в этикетке, а также на корпусе прибора в виде буквы указывалась группа. На корпусе указывается полное название транзистора или только буква, которая сдвинута к левому краю корпуса. Товарный знак завода может не указываться. Дата выпуска ставится в цифровом или кодированном обозначении (при этом могут указывать только год выпуска). Точка в составе маркировки транзистора указывает на его применяемость – в составе цветного телевидения. Старые же (произведенные до 1971 года) транзисторы КТ315 маркировались буквой, стоящей посередине корпуса. При этом первые выпуски маркировались лишь одной большой буквой, а примерно в 1971 году перешли на привычную двухстрочную. Пример маркировки транзистора КТ315 показан на рисунке 1. Следует также отметить, что транзистор КТ315 был первым массовым транзистором с кодовой маркировкой в миниатюрном пластмассовом корпусе КТ-13. Подавляющее большинство транзисторов КТ315 и КТ361 (характеристики такие же, как у КТ315, а проводимость p-n-p) было выпущено в корпусах желтого или красно-оранжевого цветов, значительно реже можно встретить транзисторы розового, зелёного и черного цветов. В маркировку транзисторов предназначенных для продажи помимо буквы обозначающей группу, товарного знака завода и даты изготовления входила и розничная цена, например «ц20к», что означало цена 20 копеек.

Транзистор КТ315-1. Тип транзистора также указывается в этикетке, а на корпусе указывается полное название транзистора, а также транзисторы могут маркироваться кодовым знаком. Пример маркировки транзистора КТ315-1 приведен на рисунке 2. Маркировка транзистора кодовым знаком приведена в таблице 2.

Hoja de datos ( техническое описание в формате PDF ) электронных компонентов

Номер пьезы
Описание
Фабрикантес
ПДФ

1SMA10AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона с пиковой мощностью 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ

1SMA11AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ

1SMA12AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ

1SMA13AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона с пиковой мощностью 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ

1SMA14AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ

1SMA15AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ

1SMA16AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона с пиковой мощностью 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ

1SMA17AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ

1SMA18AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ

1SMA20AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона с пиковой мощностью 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ

1SMA22AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ

1SMA24AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ

1SMA26AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона с пиковой мощностью 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ

1SMA28AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ

Монтаж и цоколевка транзистора Bc327: подключение и схема

Цоколевка транзистора BC327 имеет три вывода. Правильное подключение выводов гарантирует корректную работу транзистора.

Выводы транзистора BC327:

Вывод 1 (эмиттер) – это вывод эмиттера, к которому подключается катод диода или источник тока. Он обозначается буквой Е или E;
Вывод 2 (коллектор) – это вывод коллектора, к которому подключается анод диода или нагрузка. Он обозначается буквой C или C;
Вывод 3 (база) – это вывод базы, отвечающий за управление током между эмиттером и коллектором. Он обозначается буквой B или B.

Правильная монтажная схема для транзистора BC327 зависит от типа схемы, в которой он будет использоваться. В режиме усилителя тока схема подключения транзистора BC327 имеет вид:

К выводу 1 (эмиттер) подключается источник тока;
К выводу 2 (коллектор) подключается нагрузка;
К выводу 3 (база) подключается управляющий сигнал.

При подключении транзистора BC327 в качестве переключателя, схема будет немного отличаться и выглядеть следующим образом:

К выводу 1 (эмиттер) подключается источник тока;
К выводу 2 (коллектор) подключается нагрузка;
К выводу 3 (база) подключается управляющий сигнал.

При монтаже транзистора BC327 следует обратить внимание на теплоотвод. Это обязательное условие для эффективной работы транзистора

Плохой теплоотвод может привести к перегреву транзистора и снижению его рабочих характеристик.

Таким образом, при монтаже и подключении транзистора BC327 необходимо правильно подключить его выводы в соответствии с выбранной схемой, обеспечить хороший теплоотвод и быть внимательным, чтобы избежать возможных ошибок.

Биполярный транзистор 2N5087 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2N5087

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.31
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 135
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 250

Корпус транзистора:

2N5087
Datasheet (PDF)

..1. Size:434K motorola 2n5086 2n5087.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby 2N5086/DAmplifier Transistors2N5086PNP Silicon*2N5087*Motorola Preferred DeviceCOLLECTOR32BASE1EMITTER 123

..2. Size:49K philips 2n5087 cnv 2.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D1862N5087PNP general purpose transistorProduct specification 1997 Jul 02Supersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationPNP general purpose transistor 2N5087FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 50 V).1

..3. Size:100K fairchild semi 2n5086 2n5087 mmbt5087.pdf

2N5086/2N5087/MMBT5087PNP General Purpose Amplifier3 This device is designed for low level, high gain, low noise general purpose amplifier applications at collector currents to 50mA.2SOT-23TO-92 1Mark: 2Q11. Emitter 2. Base 3. Collector 1. Base 2. Emitter 3. Collector Absolute Maximum Ratings* Ta=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collect

..4. Size:60K central 2n5086 2n5087.pdf

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

..5. Size:1285K sprague 2n4265 2n4400 2n4401 2n4402 2n4403 2n4409 2n4410 2n4424 2n4425 2n4951 2n4952 2n4953 2n4954 2n5087 2n5088 2n5089.pdf

0.1. Size:300K motorola 2n5087rev0.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby 2N5087/DAmplifier TransistorPNP Silicon2N5087COLLECTOR3Motorola Preferred Device2BASE1EMITTER123MAXIMUM RAT

0.2. Size:155K onsemi 2n5087-d.pdf

2N5087Preferred Device Amplifier TransistorPNP SiliconFeatures Pb-Free Packages are Available*http://onsemi.com3 COLLECTORMAXIMUM RATINGS2BASERating Symbol Value UnitCollector-Emitter Voltage VCEO 50 Vdc1 EMITTERCollector-Base Voltage VCBO 50 VdcEmitter-Base Voltage VEBO 3.0 VdcCollector Current — Continuous IC 50 mAdcTO-92Total Device Dissipation @ TA = 2

0.3. Size:156K onsemi 2n5087g.pdf

0.4. Size:156K onsemi 2n5087rlrag.pdf

0.5. Size:49K hsmc h2n5087.pdf

Spec. No. : HE6210HI-SINCERITYIssued Date : 1998.02.01Revised Date : 2005.01.20MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5H2N5087PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThis device was designed for low noise,high gain,general purpose amplifierapplications for 1uA to 25mA collector current.TO-92Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature ………..

Другие транзисторы… 2N508
, 2N5080
, 2N5081
, 2N5082
, 2N5083
, 2N5084
, 2N5085
, 2N5086
, 2N3773
, 2N5088
, 2N5089
, 2N508A
, 2N509
, 2N5090
, 2N5091
, 2N5092
, 2N5093
.

Характеристики биполярного транзистора.

Выделяют несколько основных характеристик транзистора, которые позволяют понять, как он работает, и как его использовать для решения задач.

И первая на очереди – входная характеристика, которая представляет из себя зависимость тока базы от напряжения база-эмиттер при определенном значении напряжения коллектор-эмиттер:

I_{б} = f(U_{бэ}), \medspace при \medspace U_{кэ} = const

В документации на конкретный транзистор обычно указывают семейство входных характеристик (для разных значений U_{кэ}):

Входная характеристика, в целом, очень похожа на прямую ветвь . При U_{кэ} = 0 характеристика соответствует зависимости тока от напряжения для двух p-n переходов включенных параллельно (и смещенных в прямом направлении). При увеличении U_{кэ} ветвь будет смещаться вправо.

Переходим ко второй крайне важной характеристике биполярного транзистора – выходной! Выходная характеристика – это зависимость тока коллектора от напряжения коллектор-эмиттер при постоянном токе базы. I_{к} = f(U_{кэ}), \medspace при \medspace I_{б} = const. I_{к} = f(U_{кэ}), \medspace при \medspace I_{б} = const

I_{к} = f(U_{кэ}), \medspace при \medspace I_{б} = const

Для нее также указывается семейство характеристик для разных значений тока базы:

Видим, что при небольших значениях U_{кэ} коллекторный ток увеличивается очень быстро, а при дальнейшем увеличении напряжения – изменение тока очень мало и фактически не зависит от U_{кэ} (зато пропорционально току базы). Эти участки соответствуют разным .

Для наглядности можно изобразить эти режимы на семействе выходных характеристик:

Участок 1 соответствует активному режиму работы транзистора, когда эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный – в обратном. Как вы помните, в данном режиме незначительный ток базы управляет током коллектора, имеющим бОльшую величину.

Для управления током базы мы увеличиваем напряжение U_{бэ}, что в соответствии со входными характеристиками приводит к увеличению тока базы. А это уже в соответствии с выходной характеристикой в активном режиме приводит к росту тока коллектора. Все взаимосвязано

Небольшое дополнение. На этом участке выходной характеристики ток коллектора все-таки незначительно зависит от напряжения U_{кэ} (возрастает с увеличением напряжения). Это связано с процессами, протекающими в биполярном транзисторе. А именно – при росте напряжения на коллекторном переходе его область расширяется, а соответственно, толщина слоя базы уменьшается. Чем меньше толщина базы, тем меньше вероятность рекомбинации носителей в ней. А это, в свою очередь, приводит к тому, что коэффициент передачи тока \beta, несколько увеличивается. Это и приводит к увеличению тока коллектора, ведь:

I_к = \beta I_б

Двигаемся дальше!

На участке 2 транзистор находится в режиме насыщения. При уменьшении U_{кэ} уменьшается и напряжение на коллекторном переходе U_{кб}. И при определенном значении U_{кэ} = U_{кэ \medspace нас} напряжение на коллекторном переходе меняет знак и переход оказывается смещенным в прямом направлении. То есть в активном режиме у нас была такая картина – эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный – в обратном. В режиме же насыщения оба перехода смещены в прямом направлении.

В этом режиме основные носители заряда начинают двигаться из коллектора в базу – навстречу носителям заряда, которые двигаются из эмиттера в коллектор. Поэтому при дальнейшем уменьшении U_{кэ} ток коллектора уменьшается. Кроме того, в режиме насыщения транзистор теряет свои усилительные свойства, поскольку ток коллектора перестает зависеть от тока базы.

Режим насыщения часто используется в схемах ключей на транзисторе. В одной из следующих статей мы как раз займемся практическими расчетами реальных схем и там используем рассмотренные сегодня характеристики биполярного транзистора!

И, наконец, область 3, лежащая ниже кривой, соответствующей I_{б} = 0. Оба перехода смещены в обратном направлении, протекание тока через транзистор прекращается. Это так называемый режим отсечки.

Все параметры транзисторов довольно-таки сильно зависят как друг от друга, так и от температуры, поэтому в документации приводятся характеристики для разных значений. Вот, например, зависимость коэффициента усиления по току (в зарубежной документации обозначается как h_{FE}) от тока коллектора для биполярного транзистора BC847:

Как видите, коэффициент усиления не просто зависит от тока коллектора, но и от температуры окружающей среды! Разным значениям температуры соответствуют разные кривые.

Тепловые характеристики

Транзистор BC327 обладает некоторыми тепловыми характеристиками, которые важно учитывать при его использовании:

1. Максимальная температура перегрева (Tj): Максимально допустимая температура, которую может выдержать транзистор. Превышение этого значения может привести к поломке или деградации работы устройства.

2. Тепловое сопротивление перехода-корпус (Rth(j-c)): Мера сопротивления перехода транзистора от одной стороны (перехода) к другой (корпус). Чем выше значение этого сопротивления, тем хуже транзистор отводит тепло.

3. Тепловое сопротивление перехода-вода (Rth(j-w)): Мера сопротивления перехода транзистора от одной стороны (перехода) к окружающей среде (воде или воздуху). Несмотря на то, что воздух и вода обладают разной теплопроводностью, значение этого сопротивления указывает на способность транзистора отводить тепло через основу.

4. Температурный коэффициент (TC): Коэффициент, который указывает на зависимость работы транзистора от изменения температуры. Транзистор может иметь большую стабильность при определенном диапазоне температур.

Все эти параметры имеют большое значение при проектировании схем и выборе термического решения для транзистора BC327.

Как выбрать аналог транзистора BC327

Если вам требуется заменить транзистор BC327 и нет возможности найти точную модель, можно использовать аналоги, которые имеют близкие характеристики.

Одним из аналогов BC327 является транзистор BC557. BC557 также относится к группе эпитаксиальных pnp транзисторов и обладает похожими параметрами.

Еще одним аналогом BC327 является транзистор 2N3906. 2N3906 также является pnp транзистором с похожими характеристиками и может использоваться вместо BC327.

Однако, при выборе аналога транзистора BC327 необходимо учитывать его основные параметры, такие как максимальное напряжение коллектора, максимальный ток коллектора и коэффициент усиления. Убедитесь, что выбранный аналог имеет схожие или более высокие значения этих параметров, чтобы удовлетворить потребности вашей схемы.

Также стоит обратить внимание на корпус транзистора, так как разные модели могут иметь разные размеры и форму

Важно помнить, что замена транзистора BC327 на аналог не всегда будет допустима и совместима с вашей схемой. Поэтому, перед заменой, рекомендуется проконсультироваться с технической документацией, производителем или специалистом, чтобы избежать ошибок и непредвиденных проблем

Поэтому, перед заменой, рекомендуется проконсультироваться с технической документацией, производителем или специалистом, чтобы избежать ошибок и непредвиденных проблем

Схема TL431

Рассмотрим схему, которая находится в официальном datasheet производителя Texas Instruments.

12 недорогих наборов электроники для самостоятельной сборки и пайки

Моя личная подборка конструкторов с Aliexpress «сделай сам» для пайки от простых за 153 до 2500 рублей. Дочке 5 лет — надо приучать к паяльнику))) — пусть пока хотя-бы смотрит — переходи посмотреть, один светодиодный куб чего только стоит

Схема довольно простая. На ней изображен самый обыкновенный операционный усилитель (выглядит, как треугольник на картинке), который подключен к транзистору на выходе.

Как работает TL431?

Здесь все элементарно. Операционному усилителю на вход стоит источник опорного напряжения на 2.5В, который подсоединен ко входу. Контакт под кодовым названием REF и коллектор и эмиттер транзистора связаны с контактами питания усилителя. А безопасность обеспечивает защитный диод, который сохранит и убережет микросхему от переполюсовки.

Чтобы открылся выходной транзистор, нужно на вход REF подать сигнал, вольтаж которого будет чуть больше, чем опорное. Так как достаточно превышения в пару милливольт, то смело можем считать, что подаем вольтаж, который равен опорному. В таком случае, на выходе с ОУ идет напряжение на базу транзистора, и он открывается.

Специально для особо любознательных в даташите TL431 также имеется изображение детализированной схемы:

Как вы видите, даже на показанной развернутой схеме, устройство TL431 не вызывает чувство страха.

Как подобрать аналог транзистора BC327: полезные советы и альтернативные модели

Перед заменой транзистора BC327 необходимо учесть его основные параметры и характеристики

Важно определиться с максимальным значением коллекторного тока (IC), напряжением коллектор-эмиттер (VCE) и коэффициентом усиления тока (hFE). Эти параметры могут варьироваться в зависимости от конкретного применения транзистора

При подборе аналога для транзистора BC327 рекомендуется обратиться к его техническим характеристикам. Отталкиваясь от необходимых значений IC, VCE и hFE можно выбрать транзистор с аналогичными параметрами. Для этого могут быть использованы специализированные каталоги электронных компонентов или интернет-ресурсы, где представлены подробные технические параметры различных транзисторов.

Некоторые альтернативные модели транзистора BC327:

1. 2N3906: Одним из наиболее распространенных аналогов для транзистора BC327 является транзистор 2N3906. Он имеет схожие параметры и широко применяется в различных электронных устройствах.

2. BC557: Другой аналог для BC327 – BC557. Он относится к типу NPN-транзисторов и, как и BC327, применяется в различных схемах.

3. ZTX649: Транзистор ZTX649 также может быть использован в качестве аналога для BC327. Он обладает схожими характеристиками и широко применяется в электронике.

Важно отметить, что выбор аналога для транзистора BC327 должен быть основан на конкретных требованиях и условиях использования. Рекомендуется также проконсультироваться с опытными специалистами или инженерами, чтобы выбрать наиболее подходящую альтернативу

Важно помнить, что при замене транзистора BC327 на аналог необходимо также проверить и соответствующие значения других компонентов схемы, чтобы обеспечить правильную работу электронного устройства

Технические характеристики

Рассмотрение технических характеристик BC327, как и все производители, начнём с максимально возможных допустимых характеристик. Их требуется знать при проектировании новых конструкций и поиске устройств для замены. Так как при превышении этих параметров выше предельных он выйдет из строя. Также недопустима длительная эксплуатация при значениях равным наибольшим возможным, так это плохо влияет на долговечность устройства. Рекомендуется работа на значениях меньших на 10 – 20%. Их измерения всегда производитятся при стандартной температуре +25°С.

Для BC327 эти характеристики равны:

напряжение К -Э V_CEO = — 45 В;
напряжение К — Б V_CBO = — 50 В;
напряжение Э -Б V_EBO = — 5 В;
ток коллектора I_C = — 500 мА;
мощность P_C = 625 мВт;
максимальная температура 150°С;
диапазон температур T_STG = -55°С … +150°С.

Теперь нужно ознакомиться с электрическими х-ками BC327. Они важны, так как от них зависят его потенциальные возможности и сфера применения. Они измерены при т-ре воздуха +25°С. Другие важные параметры, при которых проводилось тестирование, можно найти в столбце «Режимы изм.».

Параметры	Режимы изм	Обозн.	мин	тип	макс	Ед. изм
Напряжение между К – Б (на пробой)	I_C = -100 мкA, I_Е = 0	V_(BR)CВO	-50			В
Напряжение между К — Э(на пробой)	I_C= 10 мA, I_В= 0	V_(BR)CEО	-45			В
Напряжение между Э — Б(на пробой)	I_E= 10 мкA, I_C= 0	V_(BR)EBO	-5			В
Ток К – Б (направление обратное)	V_CВ= -30 В, I_Е = 0	I_CВO			-0,1	мкА
Ток К – Э (направление обратное)	V_CE= -40В, I_В= 0	I_CEХ			-0,2	мкА
Ток Э –Б (направление обратное)	V_EB = -5 В, I_C = 0	I_EBO			-0,1	мкА
Коэффициент усиления	V_CE=-1 В,I_C=-100мA	h_FE(16) h_FE(25) h_FE(40)	100 160 250	160 250 400	250 400 630
V_CE=-1 В,I_C=-300мA	h_FE(16) h_FE(25) h_FE(40)	60 100 170	130 200 320
Напр. насыщения коллектор-эмиттер	I_C= — 500 мA, I_B= — 50 мA	V _CE(sat)			-0,7	В
Напр. включения база-эмиттер	V_CE= -1 В, I_C=500мA	V _ВE(_on₎			-1,2	В
Граничная частота к-та передачи тока	V_CE=-5 В, I_C= -10мA, f=100 МГц	f_T		100		МГц
Выходная коллекторная ёмкость	V_CВ= -10 В, I_Е= 0мA, f = 1МГц	C_ob		4		пФ

Производители разделяют транзисторы BC327 на три группы, в зависимости от к-та усиления.

Обозначение	16	25	40
h_FE	от 100 до 250	от 160 до 400	от 250 до 630

Подключение транзисторов для управления мощными компонентами

Типичной задачей микроконтроллера является включение и выключение определённого компонента схемы. Сам микроконтроллер
обычно имеет скромные характеристики в отношении выдерживаемой мощности. Так Ардуино, при выдаваемых на контакт 5 В
выдерживает ток в 40 мА. Мощные моторы или сверхъяркие светодиоды могут потреблять сотни миллиампер. При подключении
таких нагрузок напрямую чип может быстро выйти из строя. Кроме того для работоспособности некоторых компонентов требуется
напряжение большее, чем 5 В, а Ардуино с выходного контакта (digital output pin) больше 5 В не может выдать впринципе.

Зато, его с лёгкостью хватит для управления транзистором, который в свою очередь будет управлять большим током. Допустим, нам нужно подключить длинную светодиодную ленту, которая требует 12 В и при этом потребляет 100 мА:

Теперь при установке выхода в логическую единицу (high), поступающие на базу 5 В откроют транзистор и через ленту потечёт ток — она будет светиться. При установке выхода в логический ноль (low), база будет заземлена через микроконтроллер, а течение тока заблокированно.

Обратите внимание на R. Он необходим, чтобы при подаче управляющего напряжения
не образовалось короткое замыкание по маршруту микроконтроллер — транзистор — земля. Главное — не превысить допустимый
ток через контакт Ардуино в 40 мА, поэтому нужно использовать резистор номиналом не менее:

Главное — не превысить допустимый
ток через контакт Ардуино в 40 мА, поэтому нужно использовать резистор номиналом не менее:

здесь U_d — это падение напряжения на самом транзисторе. Оно зависит от материала из которого он изготовлен и обычно составляет 0.3 – 0.6 В.

Но совершенно не обязательно держать ток на пределе допустимого. Необходимо лишь, чтобы показатель gain транзистора позволил управлять необходимым током. В нашем случае — это 100 мА. Допустим для используемого транзистора
h_fe = 100, тогда нам будет достаточно управляющего тока в 1 мА

Нам подойдёт резистор номиналом от 118 Ом до 4.7 кОм. Для устойчивой работы с одной стороны и небольшой нагрузки на чип с другой, 2.2 кОм — хороший выбор.

Если вместо биполярного транзистора использовать полевой, можно обойтись без резистора:

это связано с тем, что затвор в таких транзисторах управляется исключительно напряжением: ток на участке микроконтроллер — затвор — исток отсутствует. А благодаря своим высоким характеристикам схема с использованием MOSFET позволяет управлять очень мощными компонентами.

Характеристики Bc327 транзистора

Ниже представлены основные характеристики Bc327 транзистора:

Максимальное разрешенное напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) – 45 В
Максимальное разрешенное напряжение коллектор-база (VCBO) – 50 В
Максимальное разрешенное напряжение эмиттер-база (VEBO) – 5 В
Максимальный ток коллектора (IC) – 500 мА
Максимальный ток базы (IB) – 50 мА
Мощность потери коллектора (PC) – 625 мВт
Температурный коэффициент напряжения эмиттер-база (VBE) – 2,5 мВ/°C

Транзистор BC327 также обладает хорошим коэффициентом усиления тока (hfe) в диапазоне от 100 до 630, что позволяет использовать его в различных усилительных схемах.

Обратите внимание, что эти характеристики могут незначительно различаться в зависимости от производителя и партии транзисторов. Благодаря своим характеристикам и надежности, транзистор BC327 широко используется во многих приложениях, включая аудиоусилители, сигнальные цепи, стабилизаторы напряжения и другие электронные устройства, где требуется небольшая средняя мощность и низкое напряжение

Благодаря своим характеристикам и надежности, транзистор BC327 широко используется во многих приложениях, включая аудиоусилители, сигнальные цепи, стабилизаторы напряжения и другие электронные устройства, где требуется небольшая средняя мощность и низкое напряжение.

Таким образом, BC327 является одним из наиболее популярных и распространенных PNP транзистором средней мощности, благодаря своим характеристикам и широкому спектру применения.

Как проверить TL431

Так как это не одиночный радиокомпонент, а целая схема, заключенная в маленький корпус, мы не можем проверить ее одним лишь мультиметром, ведь в ней содержится только 10 штук транзисторов, не говоря об остальных компонентах. Проверка сопротивлений между выводами не принесет никакой полезной информации, так как от партии к партии и от производителя к производителю референсные значения разнятся.

Поэтому, как и для проверки большинства микросхем, необходимо собрать простейшую схему с ее использованием. Такой схемой может послужить приведенная ниже

При подаче на вход 12В на выходе должно быть 5В, а при замыкании S1 на выход должно идти опорной напряжение микросхемы TL431 — 2.5В. Вы можете подобрать свои значения

Важно, чтобы они соответствовали формуле:

Если все значения подходят — значит микросхема рабочая и ее можно использовать в проекте. Если собрать небольшой стенд с такой схемой на breadboard, то получится конвейерно проверять большое количество TL431 и ей подобных микросхем.

Заключение

Информация о маркировочных кодах, содержащаяся в литературе, требует критического подхода и осмысления. К сожалению, красиво оформленный каталог с безукоризненной полиграфией не гарантируют от опечаток, ошибок, разночтений и противоречий, поэтому исходите из данных, что приведены в справочнике о маркировке радиоэлементов.

В заключение хотелось бы поблагодарить источники, которые были использованы для подбора материала к данной статье:

www.mp16.ru

www.rudatasheet.ru

www.texnic.ru

www.solo-project.com

www.ra4a.narod.ru

Предыдущая
ПолупроводникиЧто такое биполярный транзистор
Следующая
ПолупроводникиSMD транзисторы