Bc557

Корпус и распиновка

Цоколевка bc337 выглядит следующим образом. Большинство производителей выпускают его в пластмассовой упаковке ТО-92 с гибкими выводами, или её аналогах: SOT54, TO-226. Маркировка цифробуквенная, наносится на лицевой части корпуса по европейской системе Pro Electron. Если смотреть на неё, то первая ножка слева это — коллектор, второй — база, третий — эмиттер.

Несмотря на это, некоторые китайские компании выпускают устройство в тех же корпусах, что указаны выше, но с другой распиновкой. Например, у Foshan Blue Rocket Electronics сначала идет эмиттер, потом база и последним коллектор.

«Альтернативные» конструкции

  1. Очень низкое значение уровня нелинейных искажений в выходном сигнале.
  2. Высших гармоник меньше, чем в транзисторных конструкциях.

Но есть один огромный минус, который перевешивает все достоинства, – обязательно нужно ставить устройство для согласования. Дело в том, что у лампового каскада очень большое сопротивление – несколько тысяч Ом. Но сопротивление обмотки динамиков – 8 или 4 Ома. Чтобы их согласовать, нужно устанавливать трансформатор.

Конечно, это не очень большой недостаток – существуют и транзисторные устройства, в которых используются трансформаторы для согласования выходного каскада и акустической системы. Некоторые специалисты утверждают, что наиболее эффективной схемой оказывается гибридная – в которой применяются однотактные усилители, не охваченные отрицательной обратной связью. Причем все эти каскады функционируют в режиме УНЧ класса «А». Другими словами, применяется в качестве повторителя усилитель мощности на транзисторе.

Причем КПД у таких устройств достаточно высокий – порядка 50 %. Но не стоит ориентироваться только на показатели КПД и мощности – они не говорят о высоком качестве воспроизведения звука усилителем. Намного большее значение имеют линейность характеристик и их качество

Поэтому нужно обращать внимание в первую очередь на них, а не на мощность

Цоколёвка и маркировка КТ815

Цоколёвка транзистора КТ815 зависит от типа корпуса прибора. Существует два различных типа корпуса – КТ-27 и КТ-89. Первый случай используется для объёмного монтажа элементов, второй – для поверхностного. По зарубежной классификации, типы данных корпусов имеют, соответственно, следующие обозначения: TO -126 для первого случая и DPAK для второго случая.

Расположение выводов элемента прибора в корпусе КТ-27 имеет следующий порядок: эмиттер-коллектор-база, если смотреть на транзистор с его лицевой стороны. Для элемента в корпусе КТ-89, расположение выводов имеет следующий порядок: база-коллектор-эмиттер, где коллектором является верхний электрод прибора.

На сегодняшний день, применение элементов в корпусе КТ-27 ограничено, в основном, радиолюбительскими схемами и конструкциям. Элементы в корпусах КТ-89 применяются в изготовлении бытовой техники и по сей день.

Для маркировки данного прибора изначально использовали полное его название, например, КТ815А и дополняли маркировку месяцем и годом выпуска транзистора. В дальнейшем обозначения значительно сократили, оставив на корпусе элемента только одну букву, обозначающую тип элемента и цифру, например -5А для прибора КТ815А.

Маркировка полевых SMD транзисторов

Маркировка Тип прибора Маркировка Тип прибора
       
6A MMBF4416 C92 SST4392
6B MMBF5484 C93 SST4393
6C MMBFU310 H16 SST4416
6D MMBF5457 I08 SST108
6E MMBF5460 I09 SST109
6F MMBF4860 I10 SST110
6G MMBF4393 M4 BSR56
6H MMBF5486 M5 BSR57
6J MMBF4391 M6 BSR58
6K MMBF4932 P01 SST201
6L MMBF5459 P02 SST202
6T MMBFJ310 P03 SST203
6W MMBFJ175 P04 SST204
6Y MMBFJ177 S14 SST5114
B08 SST6908  S15  SST5115
B09 SST6909  S16 SST5116
B10 SST6910  S70 SST270
C11 SST111  S71 SST271
C12 SST112  S74  SST174
C13 SST113  S75 SST175
C41 SST4091  S76 SST176
C42 SST4092  S77 SST177
C43 SST4093  TV MMBF112
C59 SST4859  Z08 SST308
C60 SST4860  Z09 SST309
C61 SST4861  Z10 SST310
C91 SST4391    

Характеристики КТ815

Ниже представлена таблица с техническими характеристиками КТ815

Наименование U КБ, В U КЭ, В I K , мА Р К, Вт h21 э I КБ, мА f, МГц U КЭ, В.
КТ815А 40 30 1500(3000) 1(10) 40-275 ≤50 ≥ 3
КТ815Б 50 45 1500(3000) 1(10) 40-275 ≤50 ≥ 3
КТ815В 70 65 1500(3000) 1(10) 40-275 ≤50 ≥ 3
КТ815Г 100 85 1500(3000) 1(10) 30-275 ≤50 ≥ 3

Обозначения из таблицы читаются следующим образом:

Существуют и другие важные характеристики для данного элемента, которые по тем или иным причинам не попали в вышеприведённую таблицу. Существуют ещё несколько характеристик, например, температурных:

  • Показатель температуры перехода — 150 градусов по Цельсию.
  • Рабочая температура транзистора — от -60 до +125 градусов по Цельсию.

Данные параметры транзистора КТ815 одинаковы как для транзисторов в корпусах КТ-27, так и в корпусах КТ-89.

Таблица 2 – Зарубежные аналоги транзисторов КТ361, КТ361-1, КТ361-2 и КТ361-3

Отечественный
транзистор
Зарубежный
аналог
Возможность
купить
Предприятие
производитель
Страна
производитель
КТ361А
BC520A
нет
Fairchild
США
2SA778
нет
Hitachi
Япония
BF706
КТ361А1
2SA555
КТ361Б
BC250B
КТ361В
BCW58
BF441
КТ361Г
BC157
нет
Unitra CEMI
Польша
2N3905
есть ~ 0,4$
Diotec semiconductor
Германия
YTS4125
нет
Toshiba
Япония
КТ361Г1
BCW58
КТ361Д
BC557
есть ~ 0,23$
Philips
Нидерланды
BF441
КТ361Д1
BC157
нет
Unitra CEMI
Польша
КТ361Е
2SA566
YTS4125
нет
Toshiba
Япония
КТ361Ж
BC157
нет
Unitra CEMI
Польша
КТ361И
BC157
нет
Unitra CEMI
Польша
КТ361К
BCW62A
КТ361Л
2N3964
есть ~ 2,6$
Fairchild
США
КТ361М
BC157
нет
Unitra CEMI
Польша
КТ361Н
2SA556
КТ361П
КТ361А2
2N4126
есть ~ 0,4$
Philips
Нидерланды
2SA610
КТ361А3
2N4125
есть ~ 0,3$
Fairchild
США
КТ361Б2
BC250B
КТ361В2
2N3905
есть ~ 0,4$
Diotec semiconductor
Германия
КТ361Г2
2N3906
есть ~ 0,28$
Diotec semiconductor
Германия
КТ361Г3
BSW20
КТ361Д2
КТ361Д3
КТ361Е2
2SA555
КТ361Ж2
КТ361И2
KT361K2
КТ361Л2
KT361M2
КТ361Н2
КТ361П2

Биполярный транзистор 2SA1012 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SA1012

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 170
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70

Корпус транзистора:

2SA1012
Datasheet (PDF)

 ..1. Size:215K  toshiba 2sa1012.pdf

 ..2. Size:343K  utc 2sa1012.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SA1012 PNP SILICON TRANSISTOR HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION FEATURES *Low Collector Saturation Voltage V =-0.4V(max.) At I =-3A CE(SAT) C*High Speed Switching Time: t =1.0s (Typ.) S*Complementary To 2SC2562 ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Halogen Free 1 2 32SA1012L-x-TA3-

 ..3. Size:116K  mospec 2sa1012.pdf

AAA

 ..4. Size:1282K  jiangsu 2sa1012.pdf

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-252-2L Plastic-Encapsulate Transistors 2SA1012 TRANSISTOR (PNP) FEATURES High Current Switching Applications. Low Collector Saturation Voltage High Speed Swithing Time 1. BASE 2. COLLECTOR3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base

 ..5. Size:119K  jmnic 2sa1012.pdf

Power Transistors www.jmnic.com 2SA1012 Silicon PNP Transistors Features B C E With TO-220 package Complementary to 2SC2562 Absolute Maximum Ratings Tc=25 SYMBOL PARAMETER RATING UNITVCBO Collector to base voltage -60 V VCEO Collector to emitter voltage -50 V VEBO Emitter to base voltage -5 V IB Base current A IC Collector current -5 A PC Collector power dissip

 ..6. Size:318K  lge 2sa1012.pdf

2SA1012(PNP) TO-220 TransistorTO-2201. BASE 2. COLLECTOTR3. EMITTER 3 21FeaturesHIGH CURRENT SWITCHING APPLICATIONS. Low Collector Saturation Voltage : VCE(SAT) = — 0.4V(MAX) at IC= — 3A High Speed Swithing Time : tstg = 1.0us (Typ.) Complementary to 2SC2562 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Coll

 ..7. Size:226K  lzg 2sa1012 3ca1012.pdf

2SA1012(3CA1012) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: High current switching applications. ,, 2SC2562(3DA2562) Features: Low collector saturation voltage, high speed switching time, complementary to 2SC2562(3DA2562). /Absolute maximum ratings(Ta=25)

 ..8. Size:242K  inchange semiconductor 2sa1012.pdf

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1012DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage:V = -0.4(V)(Max)@I = -3ACE(sat) CHigh Switching SpeedComplement to Type 2SC2562100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high current switching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)

 0.1. Size:742K  jiangsu 2sa1012b.pdf

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-252-2L Plastic-Encapsulate Transistors 2SA1012B TRANSISTOR (PNP) FEATURES TO-252-2L -2A,-50V Middle Power Transistor Suitable for Middle Power Driver Low Collector-emitter saturation voltage APPLICATIONS 1. BASE Middle Power Driver 2. COLLECTOR LED Driver Power Supply3. EMITTER MARKING A1012B= Dev

 0.2. Size:583K  semtech st2sa1012.pdf

ST 2SA1012 PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for high current switching applications. The transistor is subdivided into two group, O and Y, according to its DC current gain. TO-220 Plastic Package OAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage -VCBO 60 VCollector Emitter Voltage -VCEO 50 VEmitter Base Voltage -VEBO 5 VCollec

 0.3. Size:196K  inchange semiconductor 2sa1012-d.pdf

INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor 2SA1012-DDESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage:V = -0.4(V)(Max)@I = -3ACE(sat) CHigh Switching Speed TO-252 Package-D=Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high current switching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)

Другие транзисторы… 2SA1008
, 2SA1009
, 2SA1009A
, 2SA101
, 2SA1010
, 2SA1011
, 2SA1011D
, 2SA1011E
, 2SC2655
, 2SA1012O
, 2SA1012Y
, 2SA1013
, 2SA1013O
, 2SA1013R
, 2SA1014
, 2SA1015
, 2SA1015L
.

Область применения транзисторов 13001

Транзисторы серии 13001 разработаны специально для применения в преобразовательных устройствах небольшой мощности в качестве ключевых (переключающих) элементов.

  • сетевые адаптеры мобильных устройств;
  • электронная пускорегулирующая аппаратура люминесцентных ламп малой мощности;
  • электронные трансформаторы;
  • другие импульсные устройства.

Нет принципиальных ограничений на использование транзисторов 13001 в качестве транзисторных ключей. Также можно применять данные полупроводниковые приборы в усилителях низкой частоты в случаях, где не требуется особое усиление (коэффициент передачи по току у серии 13001 по современным меркам невелик), но в этих случаях не реализуются довольно высокие параметры этих транзисторов по рабочему напряжению и их высокое быстродействие.

Лучше в этих случаях применить более распространенные и дешевые типы транзисторов. Также при построении усилителей надо помнить, что комплементарная пара у транзистора 31001 отсутствует, поэтому с организацией двухтактного каскада могут быть проблемы.

На рисунке приведен характерный пример использования транзистора 13001 в сетевом зарядном устройстве для аккумулятора переносного устройства. Кремниевый триод включен в качестве ключевого элемента, формирующего импульсы на первичной обмотке трансформатора ТР1. Он с большим запасом выдерживает полное выпрямленное сетевое напряжение и не требует дополнительных схемотехнических мер.

Температурный профиль для пайки бессвинцовым припоем

При пайке транзисторов надо соблюдать определенную осторожность, не допуская излишнего нагрева. Идеальный температурный профиль указан на рисунке и состоит из трех этапов:

  • этап предварительного нагрева длится около 2 минут, за это время транзистор прогревается от 25 до 125 градусов;
  • собственно пайка длится около 5 секунд при максимальной температуре 255 градусов;
  • заключительный этап – расхолаживание со скоростью от 2 до 10 градусов в секунду.

Этот график сложно соблюсти в домашних условиях или в мастерской, да и не так это важно при демонтаже-монтаже единичного транзистора. Главное – не превышать максимально допустимую температуру пайки

Транзисторы 13001 имеют репутацию достаточно надежных изделий, и при условиях эксплуатации, не выходящих за установленные пределы, могут прослужить долго без отказов.

Транзистор — устройство, виды, применение

Описание, устройство и принцип работы полевого транзистора

Что такое биполярный транзистор и какие схемы включения существуют

Описание, характеристики и схема включения стабилизатора напряжения КРЕН 142

Описание, технические характеристики и аналоги выпрямительных диодов серии 1N4001-1N4007

Как работает микросхема TL431, схемы включения, описание характеристик и проверка на работоспособность

Основные характеристики и параметры транзисторов

Классификация транзисторов. Проводимость, усиление, параметры, определяющие мощность, допустимое напряжение, частотные и шумовые свойства транзистора.

Транзистор, в общем понимании этого слова – это полупроводниковый прибор, как правило, с тремя выводами, способный усиливать поступающий на него сигнал. Выполняя функции усиления, преобразования, генерирования, а также коммутации сигналов в электрических цепях, в данный момент транзистор является основой подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем.

На принципиальных схемах транзистор обычно обозначается латинскими буквами «VT» или «Q» с добавлением позиционного номера (например, VT12 или Q12).

В отечественной документации прошлого века применялись обозначения «Т», «ПП» или «ПТ». Преобладающее применение в промышленных и радиолюбительских конструкциях находят два типа транзисторов – биполярные и полевые. Какими они бывают?

ОСНОВНАЯ КЛАССИФИКАЦИЯ, ПАРАМЕТРЫ И ХАРАКТЕРИСТИКИ ТРАНЗИСТОРОВ.

Основная классификация, определяющая область применения транзисторов, ведётся по: исходному материалу, на основе которого они сделаны, структуре проводимости, максимально допустимому напряжению, максимальной мощности, рассеиваемой на коллекторе, частотным свойствам, шумовым характеристикам, крутизне передаточной характеристики (для полевых) или статическому коэффициенту передачи тока (для биполярных транзисторов) . Рассмотрим перечисленные пункты классификации более детально.

По исходному полупроводниковому материалу транзисторы классифицируются на: — германиевые (в настоящее время не производятся); — кремниевые (наиболее широко представленный класс); — из арсенида галлия (в основном СВЧ транзисторы) и др.

По структуре транзисторы классифицируются на: — p-n-p структуры – биполярные транзисторы «прямой проводимости»; — n-p-n структуры – биполярные транзисторы «обратной проводимости»; — p-типа – полевые транзисторы с «p-типом проводимости»; — n-типа – полевые транзисторы с «n-типом проводимости». В свою очередь, полевые транзисторы подразделяются на приборы с управляющим p-n-переходом (JFET-транзисторы) и транзисторы с изолированным затвором (МДП или МОП-транзисторы).

По параметру мощности транзисторы делятся на: — транзисторы малой мощности (условно Рmах — транзисторы средней мощности (0,3 — мощные транзисторы (Рmах >1,5 Вт). Также косвенным показателем мощности транзистора является параметр максимально допустимого тока коллектора (Iк_max).

По параметру максимально допустимого напряжения Uкэ или Uси транзисторы делятся на: — транзисторы общего применения (условно Uкэ_mах — высоковольтные транзисторы (Uкэ_mах > 100 В). У современных биполярных и полевых транзисторов параметр Uкэ_mах (Uси_mах) может достигать нескольких тысяч вольт!

По частотным характеристикам транзисторы делятся на: — низкочастотные транзисторы (условно Fгр — среднечастотные транзисторы (3 — высокочастотные транзисторы (30 — сверхвысокочастотные транзисторы (Fгр > 300 МГц); Основным параметром, характеризующим быстродействия транзистора, является граничная частота коэффициента передачи тока (Fгр). Косвенным – входная и выходная ёмкости. Для транзисторов, разработанных для использования в ключевых схемах, также может указываться параметр задержки переключения (tr и ts).

По шумовым характеристикам транзисторы делятся на: — транзисторы с ненормированным коэффициентом шума; — транзисторы с нормированным коэффициентом шума (Кш).

Коэффициент передачи тока (h21 – для биполярного транзистора) и крутизна передаточной характеристики (S – для полевого) являются одними из основных параметров полупроводника. От него зависят как качественные показатели транзисторного усилительного каскада, так и требования, предъявляемые к предыдущим и последующим каскадам.

Однако давайте будем считать эту статью вводной, а углубляться и подробно рассуждать о влиянии тех или иных параметров на работу и поведение биполярного или полевого транзистора будем на следующих страницах. Полный перечень статей, посвящённых описанию работы транзистора, а также расчётам каскадов на полевых и биполярных полупроводниках, приведён в рубрике «Это тоже может быть интересно».

Аналоги и комплементарная пара

Существуют зарубежные устройства, которые полностью идентичны ВС337 по своим характеристикам и распиновке: BC184, 2N4401, MPSA06. Российская промышленность также выпускает изделия, которыми его можно заменить: КТ660А, КТ3102Б, КТ928.

Перед заменой транзистора нужно разобраться, в какой схеме и для чего он используется, а также знать режимы его работы и сравнить технические характеристики оригинального и предполагаемого на замену прибора. И только после этого можно решать, подходит он или нет.

В качестве комлементарой пары производители рекомендуют использовать BC327.

Принцип работы

Когда на клеммы подается входное напряжение, некоторое количество тока (IB) начинает течь от базы к эмиттеру и управляет током на коллекторе (IC). Напряжение между базой и эмиттером (VBE) для NPN-структуры должно быть прямым. Т.е. на базу прикладывается положительный потенциал, а на эмиттер отрицательный. Полярность напряжения, приложенного к каждому выводу, показана на рисунке ниже.

Входной сигнал усиливается на базе, а затем передается на эмиттер. Меньшее количество тока в базе используется для управления большим, между коллектором и эмиттером (IC).

Когда транзистор открыт, он способен пропускать IC до 100 мА. Этот этап называется областью насыщения. При этом допустимое напряжение между коллектором и эмиттером (VBE) может составлять около 200 мВ,а VBE достигать 900 мВ. Когда ток базы перестает течь, транзистор полностью отключается, эта ступень называется областью отсечки, а VBE будет составлять около 650 мВ.

Понравилась статья? Поделиться с друзьями:
Пафос клуб
Добавить комментарий

;-) :| :x :twisted: :smile: :shock: :sad: :roll: :razz: :oops: :o :mrgreen: :lol: :idea: :grin: :evil: :cry: :cool: :arrow: :???: :?: :!: