Параметры транзистора 2sd880-y. интернет-справочник основных параметров транзисторов

2SD880Y

Manufacturer
Part Name
Description
PDF

Usha Ltd

2SD880Y

SILICON PLASTIC POWER TRANSISTOR

View

Unisonic Technologies

2SD880Y

NPN EPITAXIAL TRANSISTOR

View

SavantIC Semiconductor

2SD880Y

Silicon NPN Power Transistors

View

Match & Start : 2SD880Y

Micro Commercial Components

2SD880

NPN Silicon Power Transistors

View

Tiger Electronic

2SD880

NPN EPITAXIAL TRANSISTOR

View

Mospec Semiconductor

2SD880

NPN SILICON POWER TRANSISTORS

View

Unisonic Technologies

2SD880_2015

NPN EPITAXIAL TRANSISTOR

View

Unisonic Technologies

2SD880

NPN EPITAXIAL TRANSISTOR

View

Unisonic Technologies

2SD880_V2

NPN EPITAXIAL TRANSISTOR

View

Wing Shing International Group

2SD880

LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER

View

DC COMPONENTS

2SD880

TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

View

SavantIC Semiconductor

2SD880

Silicon NPN Power Transistors

View

Transys Electronics Limited

2SD880

TO-220 Plastic-Encapsulated Transistors

View

Inchange Semiconductor

2SD880

Silicon NPN Power Transistors

View

Weitron Technology

2SD880

NPN Silicon Epitaxial Power Transistor

View

SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

2SD880

TRANSISTOR (NPN)

View

Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

2SD880

TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors

View

Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

2SD880

Silicon NPN transistor in a TO-220 Plastic Package

View

Unspecified

2SD880

TRANSISTOR (NPN)

View

Micro Commercial Components

2SD880-GR

NPN Silicon Power Transistors

View

Micro Commercial Components

2SD880-Q

NPN Silicon Power Transistors

View

Micro Commercial Components

2SD880-Y

NPN Silicon Power Transistors

View

Unisonic Technologies

2SD880G-AB3-R

NPN EPITAXIAL TRANSISTOR

View

Unisonic Technologies

2SD880G-TA3-T_2015

NPN EPITAXIAL TRANSISTOR

View

Unisonic Technologies

2SD880G-TA3-T

NPN EPITAXIAL TRANSISTOR

View

Unisonic Technologies

2SD880GR

NPN EPITAXIAL TRANSISTOR

View

SavantIC Semiconductor

2SD880GR

Silicon NPN Power Transistors

View

Unisonic Technologies

2SD880L-TA3-T_2015

NPN EPITAXIAL TRANSISTOR

View

Unisonic Technologies

2SD880L-TA3-T

NPN EPITAXIAL TRANSISTOR

View

Unisonic Technologies

2SD880O

NPN EPITAXIAL TRANSISTOR

View

SavantIC Semiconductor

2SD880O

Silicon NPN Power Transistors

View

Usha Ltd

2SD880Y

SILICON PLASTIC POWER TRANSISTOR

View

Unisonic Technologies

2SD880Y

NPN EPITAXIAL TRANSISTOR

View

SavantIC Semiconductor

2SD880Y

Silicon NPN Power Transistors

View

1

Биполярный транзистор 2SD880Y — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SD880Y

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 70
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100

Корпус транзистора:

2SD880Y
Datasheet (PDF)

 8.1. Size:178K  utc 2sd880.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SD880 NPN SILICON TRANSISTOR NPN EPITAXIAL TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SD880 is designed for audio frequency power amplifier applications. FEATURES * High DC Current Gain: hFE=200(Max.)(VCE=5V, IC=0.5A) * Low Saturation Voltage: VCE(SAT)=1.0V(Max.)(IC=3A, IB=0.3A) * Complementary to 2SB834 ORDERING INFORMATION Ordering Number

 8.2. Size:131K  mospec 2sd880.pdf

AAA

 8.3. Size:200K  jiangsu 2sd880.pdf

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors 2SD880 TRANSISTOR (NPN) TO-220-3L FEATURES Low Frequency Power Amplifier 1. BASE 2. COLLECTOR Complement to 2SB834 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage 60 VVCEO Collector-Emitter Voltage 60 V

 8.4. Size:258K  lge 2sd880.pdf

2SD880(NPN) TO-220 TransistorTO-2201. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER 3 21Features Low frequency power amplifier Complement to 2SB834 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsDimensions in inches and (millimeters)VCBO Collector-Base Voltage 60 VVCEO Collector-Emitter Voltage 60 VVEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC Collect

 8.5. Size:516K  wietron 2sd880.pdf

2SD880NPN Silicon Epitaxial Power TransistorP b Lead(Pb)-FreeCOLLECTOR2 1BASE2 FEATURES:31* Low frequency power amplifier 1. BASE2. COLLECTOR* Complement to 2SB834 3. EMITTER3TO-220EMITTERMAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted)Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter-Bas

 8.6. Size:1121K  blue-rocket-elect 2sd880.pdf

2SD880 Rev.H Oct.-2018 DATA SHEET / Descriptions TO-220 NPN Silicon NPN transistor in a TO-220 Plastic Package. / Features , 2SB834 High DC current gain, low saturation voltage, high power dissipation, complementary to 2SB834. / Applications

 8.7. Size:222K  inchange semiconductor 2sd880.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD880DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 60V(Min)(BR)CEOLow Collector-Emitter Saturation Voltage-: V = 1.0V(Max) @I = 3.0ACE(sat) CComplement to Type 2SB834Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in audio frequency power amplifierapplicatio

Другие транзисторы… 2SD876
, 2SD877
, 2SD878
, 2SD879
, 2SD88
, 2SD880
, 2SD880G
, 2SD880O
, 2N5551
, 2SD882
, 2SD882G
, 2SD882O
, 2SD882R
, 2SD882Y
, 2SD883
, 2SD883A
, 2SD884
.

Схема включения транзистора D880 в источнике питания

Схема включения транзистора D880 в источнике питания включает в себя несколько ключевых компонентов. Основными элементами являются транзистор D880, резисторы и конденсаторы. Также может присутствовать диод – для защиты от обратной полярности и регулирования напряжения.

В источнике питания транзистор D880 используется для управления током и напряжением, подаваемыми на нагрузку. Когда на базу транзистора подается управляющий сигнал (например, с помощью подключенного к базе резистора), ток начинает протекать в основную цепь, включая нагрузку. Таким образом, транзистор контролирует величину тока, достигающего нагрузки.

Резисторы используются для ограничения тока, протекающего через базу транзистора, и для установки рабочей точки транзистора. Конденсаторы могут использоваться для фильтрации или стабилизации напряжения, подаваемого на нагрузку.

Обязательно наличие диода помогает защитить схему от повреждений при обратной полярности подключения источника питания.

Таким образом, схема включения транзистора D880 в источнике питания позволяет управлять током и напряжением, поступающими на нагрузку, и обеспечивает стабильную работу источника питания.

Понравилась статья? Поделиться с друзьями:
Пафос клуб
Добавить комментарий

;-) :| :x :twisted: :smile: :shock: :sad: :roll: :razz: :oops: :o :mrgreen: :lol: :idea: :grin: :evil: :cry: :cool: :arrow: :???: :?: :!: