Маркировка irfz44n
Приставка irf свидетельствует о том, что устройства производят на предприятиях, относящихся к компании International Rectifier (США). 14 лет назад году ее сотрудники продали технологии изготовления Vishay Intertechnology, а еще через 8 лет IR присоединилась к Infineon Technologies. Сегодня детали с такой же приставкой в названии выпускает ряд ещё нескольких независимых предприятий.
Некоторые технические описания устройства содержат в конце маркировки символы PbF, что в расшифровке означает plumbum free — бессвинцовый метод производства транзисторов. Он становится популярен во многих странах, так как многие химические соединения, вредные для экологии и для здоровья людей, на сегодняшний день запрещены к применению.
В даташит оригинала упоминается фирменная HEXFET-технология производства, созданная International Rectifier Corporation. Благодаря ей серьезно уменьшается сопротивление электронных деталей и температура нагрева во время их работы. Она же делает необязательным использование радиатора-охладителя.
IRFZ44N от производителя IR, имеющие структуру HEXFET, обладают самым низким сопротивлением стока-истока в 17,5 мОм. В техническом описании к этим устройствам есть отметка Power MOSFET. Она означает, что данные транзисторы — это мощные полупроводниковые приборы.
Способы проверки irfz44n
Простая проверка полевого транзистора заключается в действиях по схеме.
Полевые транзисторы широко используются в современной технике, например, блоках питания, контроллерах напряжения компьютеров и других электронных девайсов, а также бытовой техники. Это и стиральные машины, и кофемолки, и осветители. Приборы часто выходят из строя, и в этих случаях нужно выявить, а затем устранить конкретную неполадку. Поэтому знать способы проверки транзисторов — обязательно.
Подключите черный щуп к стоку, а красный — к истоку. На дисплее высветится показатель перехода вмонтированного встречно расположенного диода. Запишите его. Отстраните красный щуп от истока и дотроньтесь им до затвора. Это способ частичного открытия полевика.
Верните красный щуп в прежнюю позицию (к истоку). Посмотрите на уровень перехода, он чуть снизился при открытии транзистора. Перенесите черный щуп со стока к затвору, и тем самым закройте транзистор. Верните его обратно и понаблюдайте за изменениями показателя перехода при полном закрытии irfz44n.
У затвора рабочего полевого транзистора должно быть сопротивление, приближенное к бесконечности.
По такой схеме проверяются n-канальные устройства, p-канальные тоже, но с щупами другой полярности.
Проверять мосфет-транзисторы можно и по небольшим схемам, к которым их подключают. Это быстрый и точный метод. Но если проверки устройства требуются нечасто, или у вас нет возможности собирать схемы, то способ с мультиметром — идеальное решение.
irfz44n — это относительно современная группа транзисторов, которые управляются не с помощью электричества, как в случае с биполярными устройствами, а посредством напряжения — то есть поля. Этим и объясняется аббревиатура MOSFET. Проверка транзистора указанным способом помогает понять, какая именно деталь вышла из строя.
2SD718 vs 2SD960 vs 2SD1046
| Characteristics | 2SD718 | 2SD960 | 2SD1046 |
|---|---|---|---|
| Collector to base voltage (VCB) | 120V | 130V | 120V |
| Collector to emitter voltage (VCE) | 120V | 80V | 150V |
| Emitter to base voltage (VEB) | 5V | 7V | 6V |
| Collector to emitter saturation voltage (VCE (SAT)) | 2V | 0.5V | 2V |
| Collector current (IC) | 10A | 4A | 8A |
| Pulsed collector current (ICM) | 16A | 8A | 12A |
| Base current (IB) | 1A | — | — |
| Power dissipation | 78W | — | 80W |
| Junction temperature & operating temperature (TJ) | -55 to 150°C | -40 to +150°C | -40 to +150°C |
| Transition frequency (FT) | 12MHZ | 30MHz | 15MHz |
| Gain (hFE) | 55 to 160hFE | 60 to 260hFE | 60 to 200hFE |
| Output capacitance | 170pF | — | 160Pf |
| Thermal resistance | — | — | — |
| Package | TO-247/TO-3P | TO-220C | TO-3PN |
В каких режимах функционирует полевой транзистор
Режим отсечки
Как уже упоминалось, расстояние между стоком и истоком, регулируется затвором. Алгоритм работы транзистора виден в простейшей схеме, управляющей качеством освещения от лампы накаливания. Когда на затворе отсутствует напряжение, он закрыт, и электрический ток через лампу накаливания не течет.
Для управления светом лампы нужна смена напряжения на затворе по отношению к истоку. У нас n-канальный транзистор, поэтому на затвор подается напряжение со знаком “+”. В окончательном виде irfz44n схема выглядит так:
Так каким же должно быть напряжение на затворе, чтобы ток внутри цепи стока-истока был максимальным?
Возьмем стрелочный блок питания irfz44n для регуляции напряжения. Соберем его по схеме и подадим на затвор 1 В. Лампа не загорится. Если же увеличить напряжение до 3,5 В, амперметр покажет появление тока в лампе накаливания. Но она все равно не загорится, так как такой силы тока не хватает для накала вольфрамовой нити.
Режим активной работы irfz44n
Напряжение в районе 3,5 В частично приоткрывает транзистор. Этот показатель отличается у разных видов полевиков и находится в пределах 0,5-5 В. В даташит этот показатель именуют Gate threshold voltage (предельное напряжение затвора).
Если плавно регулировать величину канала устройства, повышая напряжение, поданное на затвор, становится видно постепенное накаливание нити лампы. Корректируя уровень напряжения, можно создать необходимый уровень освещения. Это и объясняет название данного режима — активный. При нем сопротивление индуцируемого канала транзистора меняется, согласно напряжению на затворе.
В результате активной работы устройство может перегреться. Поэтому необходимо пользоваться охлаждающим радиатором, рассеивающим тепло в окружающую среду.
Режим насыщения irfz44n
Для полного открытия полевого транзистора требуется подача напряжения до того момента, пока лампа не станет гореть на уровне всего канала. В данном режиме сопротивление канала стока-истока находится в минимуме и почти не сопротивляется течению электрического тока.
Примечательно, что само устройство в данном случае не нагревается. Это можно объяснить формулой: P= I2C R. При сопротивлении, равном каким-то сотым долям ома транзистору просто не с чего нагреваться.
Так что, самые мягкие режимы для полевика — это полное открытие или закрытие канала. Если он закрыт, сопротивление канала стремится к бесконечности, а ток, проходящих через него, минимален по закону Ома. Если подставить эти значения в формулу выше, будет понятно, что рассеянная мощность приближается к нулю.
ЗАЩИТА АС УМЗЧ
Изначально задумал использовать схему защиты от БРИГ, но затем читая отзывы о симисторной защите захотел попробовать ее. Блоки защиты были сделаны в самом конце, тогда было туго с финансами, а симисторы и прочие компоненты схемы у нас оказались довольно дороги, поэтому вернулся к релейной защите.
В итоге были собраны три блока защиты, один из них для сабвуферного усилителя, а два остальных для каналов ОМ.
В сети можно найти большое количество схем блоков защиты, но эта схема перепробована мной неоднократно. При наличии постоянного напряжения на выходе (выше допустимого) защита мгновенно срабатывает спасая динамическую головку. После подачи питания реле замыкается, а при срабатывания схемы оно должно размыкаться. Защита включает головку с небольшой задержкой — это тоже в свою очередь, является дополнительной страховкой и щелчок после включения, почти не слышен.
Компоненты блока защиты могут отклоняться от указанного, Основной транзистор можно заменить на наш КТ815Г, использовал высоковольтные транзисторы MJE13003 — их у меня навалом, кроме того, они довольно мощные и не перегреваются в ходе работы, поэтому в теплоотводе не нуждаются. Маломощные транзисторы можно заменить на S9014, 9018, 9012, даже на КТ315, оптимальный вариант — 2N5551. Реле на 7-10 Ампер, подобрать можно любое реле на 12 или 24 Вольта, в моем случае на 12 Вольт.
Блоки защиты для каналов ОМ установлены возле трансформатора второго инвертора, работает все это дело довольно четко, при максимальной громкости защита может сработать (ложно) крайне редко.
Подбор транзисторов в усилитель JLH
Выходные транзисторы
- Старые экземпляры, которые делались по меза-планарной технологии (2N3055), которую вытеснила эпитаксильно-паланарная современная (MJE3055) — очень музыкальные транзисторы.
- Несмотря на АЧХ, звук 2n3055 звонче и прозрачнее, но у 2sc3281 звук более приглушённый и ламповый, что ли. Видимо, сказывается распределение гармоник
- Самыми лучшими и стабильными в этом агрегате все-таки оказались MJ15024, MJ15003, 2N2773. Бэтта транзисторов выходного каскада при 4 Ом нагрузке должна быть не менее 120.
- Супер транзисторы — MJ15026, 15027 за 27 $ один, в Штатах 7 $.
Ну и моторолловский клон 2SC3281 — это MJL3281A, он по линейности Кус вообще рекордсмен. Практически прямая «полка», а спад беты начинается с 5-6 Ампер. По звуку лидируют MJL3281A (NPN) MJL1302A (PNP) как самые интегрально-линейные мощные биполярные транзисторы для ЗЧ.
Очень хороший результат дает параллельное включение на выходе 2-х 3-х транзисторов средней мощности 2sc5707, предварительно отобранных по бэтте (она у них очень высокая – до 560). Паяем по 2-3 транзистора на общую медную пластину, а потом ее крепим к радиатору через прокладку, паять лучше легкоплавким припоем пос-61.
В пластике (ТО-247) можно ставить MJE21193, 2CS5200, КТ8101 (в порядке ухудшения качества); В металле (ТО-3) можно MJ15003, MJ15024, 2N3055, КТ819ВМ, ГМ (в таком же порядке); Из наших — КТ908, КТ903, КТ808, КТ805, КТ803 (КТ908 на голову выше всех, из отечественных они самые лучшие).
Не применяйте MJL21294, эти транзисторы не для этого усилителя. Тем более при 4 Ом нагрузке. Вот в однотактном повторителе Игоря Семынина или усилителях с составными транзисторами на выходе им самое место. В усилителе по схеме JLH чем выше Кус выходных транзисторов и предвыходного — тем лучше. MJL-21194 сейчас лучшие для звука но не для Худа, в JLH можно применить MJ15003, но у них корпус неудобный, как и у 2N3055
Смотрел характеристики аппарата на таком комплекте транзисторов: Выходные высокочастотные 2sc5200 + драйверный каскад на вс550bp, входной транзистор bc109b. Искажения получились 0,02. 0,03 % при прекрасном меандре. При тех же условиях низкочастотные моторолы с невысокой бэтой дают искажения 0,08-0,1 % при сильно заваленном фронте меандра.
Схема с ВЧ транзисторами на выходе должна обязательно корректироваться от возбуждения установкой конденсаторов между базой и коллектором драйверного транзистора порядка 10-15 пФ и конденсатором емкостью 22-60 пФ параллельно резистору ООС R5 2,7 кОм. Если конденсатор ООС имеет номинал 470-680 мкФ, то делитель ООС 2,7 кОм/240 Ом лучше уменьшить до 1,2 кОм/120 Ом, что даст меньшие искажения и большую устойчивость.
Современные транзисторы проигрывают винтажным по качеству воспроизведения НЧ. Я считаю, что 2SA1943, 2SC5200 обеспечивают лучшее звучание, чем MJ15003, 15004 или MJ15024, 25.
MJL21194 сочетают в себе плюсы: плоский удобный для монтажа корпус и узкую полосу в 4-6,5 МГц. Правда они имеют два «минуса» — высокую стоимость и маленький коэффициент усиления. Мощные современные транзисторы с ft>30MHz ставить не рекомендуются — будет возбуд. Старые НЧ транзисторы лучше себя ведут, чем новодельные ВЧ. В этом смысле стоит попробовать наши Кт805-Кт819
У транзисторов серий: MJ, MJL, MJW – 21193, 21194, 21195, 21196… применена медная металлизация на поверхности кристалла для формирования вывода базы, что выравнивает температуру поверхности кристалла, улучшает распределение тока по площади кристалла и расширяет ОБР, особенно в области высоких напряжений.
Драйверный транзистор
Перепробовал множество транзисторов в драйвере, лучшие результаты показал 2sc2240, что закономерно т.к. у него 300-700 бэтта, при прекрасной линейности тока коллектора в диапазоне 1,0-50 мА и малая емкость 3 пФ, приклеиваем к нему медную пластинку получаем превосходный драйвер средней мощности = Ибуки
Если у вас выходные транзисторы с большой бэттой, то ток от драйверного транзистора нужен не очень большой 15-25 мА, так что не нужно туда ставить тупой конский транзистор. Из советских неплох кт602Б, но его нужно отбирать с бетой при токе 20-30 мА не менее 200.
Маломощный предвыходной транзистор показывает намного лучшие результаты по качеству меандра и искажениям чем BD139 и такие же «среднемощные» из-за более линейных характеристик при токах 10-30 мА, высокого h21э и малых межэлектродных емкостей. Особенно хорош прирост качества в классической схеме 1969 года.
2SD756 Datasheet (PDF)
..1. Size:31K hitachi 2sd755 2sd756.pdf
2SD755, 2SD756, 2SD756ASilicon NPN EpitaxialApplication Low frequency high voltage amplifier Complementary pair with 2SB715, 2SB716 and 2SB716AOutlineTO-92MOD1. Emitter2. Collector3. Base3212SD755, 2SD756, 2SD756AAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol 2SD755 2SD756 2SD756A UnitCollector to base voltage VCBO 100 120 140 VCollector to emitter vol
9.1. Size:128K panasonic 2sb713 2sd751.pdf
9.2. Size:67K hitachi 2sd757 2sd758.pdf
9.3. Size:207K inchange semiconductor 2sd750.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SD750DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 80V (Min)(BR)CEOWide Area of Safe OperationHigh Current CapabilityMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for AF high power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER MAX UNIT
9.4. Size:199K inchange semiconductor 2sd753.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD753DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 200V(Min)(BR)CEOHigh Power Dissipation-: P = 150W(Max)@T =25C CHigh Current CapabilityComplement to Type 2SB723Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier applica
Поиск
Возможна отправка в тот же день.
Тщательно выберите номер детали, производителя и упаковку из приведенной ниже таблицы, а затем добавьте в корзину, чтобы перейти к оформлению заказа.
Купите сейчас, вам понравится ✓Отправьте заказ в тот же день! ✓Доставка по всему миру! ✓Ограниченная распродажа ✓Легкий возврат.
| Обзор продукта | |
| Название продукта | Поиск |
| Доступное количество | Возможна отправка немедленно |
| № модели. | |
| Код ТН ВЭД | 8529908100 |
| Минимальное количество | Начиная с одной детали |
| Атрибуты продукта | |
| Категории |
Поиск |
| идентификатор продукта | |
| артикул | |
| gtin14 | |
| мпн | |
| Статус детали | Активный |
Все основные кредитные и дебетовые карты через PayPal.
Мы никогда не храним данные вашей карты, они остаются в Paypal
Товары отправляются почтовыми службами и оплачиваются по себестоимости. Товары будут отправлены в течение 1-2 рабочих дней после оплаты. Доставка может быть объединена при покупке большего количества. Другие способы доставки могут быть доступны при оформлении заказа — вы также можете сначала связаться со мной для получения подробной информации.
| Судоходная компания | Расчетное время доставки | Информация об отслеживании |
|---|---|---|
| Плоская транспортировочная | 30-60 дней | Нет в наличии |
| Заказная авиапочта | 15-25 дней | В наличии |
| ДХЛ/ЭМС/ФЕДЕРАЛ ЕХПРЕСС/ТНТ | 5-10 дней | В наличии |
Окончательное время доставки Может быть задержано вашей местной таможней из-за таможенного оформления. |
Благодарим за покупку нашей продукции на нашем веб-сайте. Чтобы иметь право на возмещение, вы должны вернуть продукт в течение 30 календарных дней с момента покупки. Товар должен быть в том же состоянии, в котором вы его получили, и не иметь никаких повреждений. После того, как мы получим ваш товар, наша команда профессионалов проверит его и обработает ваш возврат. Деньги будут возвращены на исходный способ оплаты, который вы использовали во время покупки. Для платежей по кредитной карте может потребоваться от 5 до 10 рабочих дней, чтобы возмещение появилось в выписке по кредитной карте. Если продукт каким-либо образом поврежден или вы инициировали возврат по прошествии 30 календарных дней, вы не имеете права на возмещение. Если что-то неясно или у вас есть дополнительные вопросы, не стесняйтесь обращаться в нашу службу поддержки клиентов.
Подробнее о программе защиты покупок PayPal. Получите заказанный товар или верните деньги.
Расположен в Шэньчжэне, центре электронного рынка Китая.
100% гарантия качества компонентов: Оригинал.
Достаточный запас по вашему срочному требованию.
Опытные коллеги помогут вам решить проблемы, чтобы снизить риск при производстве по требованию.
Более быстрая доставка: компоненты, имеющиеся на складе, могут быть отправлены в тот же день.
Круглосуточно.
Каковы ваши основные продукты?
| Интегральные схемы (ИС) | Дискретный полупроводник | Потенциометры, регулируемые R |
| Звук специального назначения | Аксессуары | Реле |
| Часы/хронометраж | Мостовые выпрямители | Датчики, преобразователи |
| Сбор данных | Диакс, Сидак | Резисторы |
| Встроенный | Диоды | Катушки индуктивности, катушки, дроссели |
| Интерфейс | МОП-транзисторы | Фильтры |
| Изоляторы — драйверы затворов | БТИЗ | Кристаллы и осцилляторы |
| Линейный | JFET (эффект поля перехода) | Соединители, межсоединения |
| Логика | ВЧ полевые транзисторы | Конденсаторы |
| Память | ВЧ-транзисторы (BJT) | Изоляторы |
| PMIC | SCR | Светодиод |
| Транзисторы (БЮТ) | ||
| Транзисторы | ||
| Триаки |
Все цены указаны за единицу в долларах США (USD).
Цена на некоторые детали нестабильна в зависимости от рынка, пожалуйста, не стесняйтесь обращаться к нам, чтобы узнать самую последнюю и лучшую цену.
PayPal, кредитные карты через PayPal, банковский перевод, Western Union.
Покупатель несет ответственность за все расходы по доставке.
Пожалуйста, свяжитесь с нами, если вы предпочитаете другой способ оплаты.
Если есть какие-либо проблемы с качеством, пожалуйста, убедитесь, что все эти предметы должны быть возвращены в их первоначальном состоянии, чтобы иметь право на возмещение или замену.
(Любые использованные или поврежденные предметы не могут быть возвращены или заменены).
Минимальный объем заказа от ОДНОЙ штуки.
Вы можете купить столько, сколько захотите.
Мы отправим вам детали в тот же день после получения оплаты.
ОПЛЕУХА МИКРОСХЕМАМ
Оплеуха микрухам — не самый простой, но высококачественный усилитель мощности НЧ. Усилитель способен развивать максимальную выходную мощность в 130 ватт и работает в довольно широком диапазоне входного напряжения. Выходной каскад усилителя построен на паре 2sa1943 2sc5200 и работает в режиме АВ. Эта версия, автором была разработана в этом году, ниже ее основные параметры.
- Диапазон питающих напряжений = +/- 20В … +/- 60В
- Номинальное напряжение питания (100Вт, 4 Ом) = +/- 36В
- Номинальное напряжение питания (100Вт, 8 Ом) = +/- 48В
С мощностью все понятно, а что со стороны искажений?
- THD+N (при Pвых<=60Вт, 20кГц) <= 0,0009%
- THD+N (при максимальной выходной мощности, 1кГц) = 0,003%
- THD+N (при максимальной выходной мощности, 20кГц) = 0,008%
Детали, используемые в этом модуле — подстроечные резисторы, маломощные и среднемощные транзисторы:
D718 electrical specification & application description
Here in this section we try to explain the electrical specifications of 2SD718 transistor.
Voltage specs
The terminal voltage specifications of D718 transistor is collector to emitter voltage is 120V, collector to base voltage is 120V and emitter to base voltage is 5V.
The collector to emitter saturation voltage is 2V, it is the trigger voltage of the device.
The terminal voltage and saturation voltage specifications of 2SD718/ D718 transistor, indicate it is a power transistor.
Current specs
The current specifications of the transistor shows the load capacity, collector current value of D718 transistor is 10A and base current value is 1A.
The pulsed collector value of D718 transistor is 16A, it is the current value at a specific condition.
The current value of the devices shows, it is higher load capacity device having switching and amplifier applications.
Dissipation specs
The dissipation specifications of D718 transistor is 78W, the power dissipation of the device will be from the package.
Current gain specs
The DC current gain value of 2SD718 transistor is 55 to 160hFE, the gain value of the device indicate the amplification capability.