Биполярный транзистор 2SD424 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SD424
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 700
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора:
2SD424
Datasheet (PDF)
..1. Size:207K inchange semiconductor 2sd424.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SD424DESCRIPTIONHigh Power Dissipation-: P = 150W@T = 25C CHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 180V(Min)(BR)CEOComplement to Type 2SB554Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier ,DC-DC converter and regulatorapplications.ABSOLUTE M
9.1. Size:208K inchange semiconductor 2sd426.pdf
isc Silicon NPN Power Transistors 2SD426DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 120V(Min)(BR)CEOHigh Power Dissipation-: P = 100W(Max)@T =25C CComplement to Type 2SB556Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier applications.Recommended for high-fidelity audio freq
9.2. Size:116K inchange semiconductor 2sd425 2sd426.pdf
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD425 2SD426 DESCRIPTION With TO-3 package Complement to type 2SB555/556 High power dissipation APPLICATIONS Power amplifier applications Recommended for high-power high-fidelity audio frequency amplifier output stage PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplifi
9.3. Size:208K inchange semiconductor 2sd425.pdf
isc Silicon NPN Power Transistors 2SD425DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 140V(Min)(BR)CEOHigh Power Dissipation-: P = 100W(Max)@T =25C CComplement to Type 2SB555Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier applications.Recommended for high-fidelity audio freq
9.4. Size:204K inchange semiconductor 2sd427.pdf
isc Silicon NPN Power Transistors 2SD427DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 120V(Min)(BR)CEOHigh Power Dissipation-: P = 80W(Max)@T =25C CComplement to Type 2SB557Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier applications.Recommended for 50W high-fidelity audio f
9.5. Size:208K inchange semiconductor 2sd428.pdf
isc Silicon NPN Power Transistors 2SD428DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 100V(Min)(BR)CEOHigh Power Dissipation-: P = 60W(Max)@T =25C CComplement to Type 2SB558Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier applications.Recommended for 40W high-fidelity audio f
Другие транзисторы… 2SD416
, 2SD417
, 2SD418
, 2SD419
, 2SD420
, 2SD421
, 2SD422
, 2SD423
, MJE340
, 2SD425
, 2SD426
, 2SD427
, 2SD427S
, 2SD428
, 2SD429
, 2SD43
, 2SD430
.
2SD424 Datasheet (PDF)
..1. Size:207K inchange semiconductor 2sd424.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SD424DESCRIPTIONHigh Power Dissipation-: P = 150W@T = 25C CHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 180V(Min)(BR)CEOComplement to Type 2SB554Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier ,DC-DC converter and regulatorapplications.ABSOLUTE M
9.1. Size:208K inchange semiconductor 2sd426.pdf
isc Silicon NPN Power Transistors 2SD426DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 120V(Min)(BR)CEOHigh Power Dissipation-: P = 100W(Max)@T =25C CComplement to Type 2SB556Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier applications.Recommended for high-fidelity audio freq
9.2. Size:116K inchange semiconductor 2sd425 2sd426.pdf
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD425 2SD426 DESCRIPTION With TO-3 package Complement to type 2SB555/556 High power dissipation APPLICATIONS Power amplifier applications Recommended for high-power high-fidelity audio frequency amplifier output stage PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplifi
9.3. Size:208K inchange semiconductor 2sd425.pdf
isc Silicon NPN Power Transistors 2SD425DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 140V(Min)(BR)CEOHigh Power Dissipation-: P = 100W(Max)@T =25C CComplement to Type 2SB555Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier applications.Recommended for high-fidelity audio freq
9.4. Size:204K inchange semiconductor 2sd427.pdf
isc Silicon NPN Power Transistors 2SD427DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 120V(Min)(BR)CEOHigh Power Dissipation-: P = 80W(Max)@T =25C CComplement to Type 2SB557Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier applications.Recommended for 50W high-fidelity audio f
9.5. Size:208K inchange semiconductor 2sd428.pdf
isc Silicon NPN Power Transistors 2SD428DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 100V(Min)(BR)CEOHigh Power Dissipation-: P = 60W(Max)@T =25C CComplement to Type 2SB558Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier applications.Recommended for 40W high-fidelity audio f
Проверка КТ815
Не всегда покупаемые элементы оказываются в рабочем состоянии. Пусть бракованные элементы попадаются не так часто, но любой радиолюбитель или просто покупатель обязан знать, как проверить такой прибор.
Во-первых, проверить работоспособность КТ815 можно специальным пробником, но рассмотрим проверку обычным мультиметром, так как предыдущий прибор есть далеко не у всех.
Для проверки при помощи мультиметра, прибор нужно перевести в режим прозвонки. Сначала прикладываем отрицательный щуп к базе, а положительный к коллектору. На дисплее должно отобразиться значение от 500 до 800 мв. Затем меняем щупы, поставив на базу положительный, а на эмиттер отрицательный. Значения должны примерно равны прошлым.
Затем нужно проверить обратное падение напряжение. Для этого поставим сначала отрицательный щуп на базу, а положительный на коллектор. Должны получится единица. В случае с замером на базе и эмиттере, произойдёт то же самое.
Технические характеристики
На предельно допустимые характеристики 2SD2499 стоит обратить внимание в первую очередь. Их превышение, так же как и длительная эксплуатация на максимальных рабочих режимах, приводит к сокращению сроков полезного использования или порче изделия
Именно их производитель указывает в даташит в самом начале. Приведём наиболее важные из них.
Предельно допустимые
D2499 имеет следующие предельно допустимые значения параметров (при ТA =+25 ОС) :
Максимальное напряжение:
- К-Б VCBO (Uкб max) до 1500 В;
- К-Э VCEO (Uкэ max) до 600 В;
- Э-Б VEBO (Uэб max) до 5 В;
Ток коллектора:
- IC (Iк max) до 6 А;
- ICМ (Iк пик) до 12 А;
- ток базы IВ (IБ max) до 3 А;
- рассеиваемая мощность (при ТC= +25ОС) РС (Рк max) до 50 Вт;
- диапазон рабочих температур TSTG от -55 до 150ОС;
- температура кристалла TJ до + 150ОС.
Электрические
После предельных значений в даташит на D2499 представлены номинальные параметры устройства «Электрические характеристики», при которых производитель гарантирует его стабильную работу. Для рассматриваемого изделия они указываются в отдельной таблице при температуры окружающей среды (ТA) до +25oС.
У отдельных производителей можно увидеть для максимальной температуры кристалла (ТC).