Биполярный транзистор C945 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты
Наименование производителя: C945
- Тип материала: Si
- Полярность: NPN
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
- Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 130
- Корпус транзистора: SOT23
- Аналоги (замена) для C945
Зачем нужна маркировка
Современному радиолюбителю сейчас доступны не только обычные компоненты с выводами, но и такие маленькие, темненькие, на которых не понять что написано, детали. Они называются “SMD”. По-русски это значит “компоненты поверхностного монтажа”. Их главное преимущество в том, что они позволяют промышленности собирать платы с помощью роботов, которые с огромной скоростью расставляют SMD-компоненты по своим местам на печатных платах, а затем массово “запекают” и на выходе получают смонтированные печатные платы. На долю человека остаются те операции, которые робот не может выполнить. Пока не может.
Маркировка на практике
Применение чип-компонентов в радиолюбительской практике тоже возможно, даже нужно, так как позволяет уменьшить вес, размер и стоимость готового изделия. Да ещё и сверлить практически не придётся
Другое важное качество компонентов поверхностного монтажа заключается в том, что благодаря своим малым размерам они вносят меньше паразитных явлений
Дело в том, что любой электронный компонент, даже простой резистор, обладает не только активным сопротивлением, но также паразитными ёмкостью и индуктивностью, которые могут проявится в виде паразитных сигналов или неправильной работы схемы. SMD-компоненты обладают малыми размерами, что помогает снизить паразитную емкость и индуктивность компонента, поэтому улучшается работа схемы с малыми сигналами или на высоких частотах.
Разнообразные корпуса транзисторов.
Маркировка SMD компонентов
SMD компоненты все чаще используются в промышленных и бытовых устройствах. Поверхностный монтаж улучшил производительность по сравнению с обычным монтажом, так как уменьшились размеры компонентов, а следовательно и размеры дорожек. Все эти факторы снизили паразитические индуктивности и емкости в электрических цепях.
| Код | Сопротивление |
| 101 | 100 Ом |
| 471 | 470 Ом |
| 102 | 1 кОм |
| 122 | 1.2 кОм |
| 103 | 10 кОм |
| 123 | 12 кОм |
| 104 | 100 кОм |
| 124 | 120 кОм |
| 474 | 470 кОм |
Маркировка импортных SMD
Маркировка импортных SMD транзисторов происходит в основном по нескольким принятым системам. Одна из них – это система маркировки полупроводниковых приборов JEDEC.Согласно ей первый элемент – это число п-н переходов, второй элемент – тип номинал, третий – серийный номер, при наличие четвертого – модификации.
Вторая распространенная система маркировка – европейская. Согласно ей обозначение SMD транзисторов происходит по следующей схеме: первый элемент – тип исходного материала, второй – подкласс прибора, третий элемент – определение применение данного элемента, четвертый и пятый – основную спецификацию элемента.
Третьей популярной системой маркировки является японская. Эта система скомбинировала в себе две предыдущие. Согласно ей первый элемент – класс прибора, второй – буква S, ставится на всех полупроводниках, третий – тип прибора по исполнению, четвертый – регистрационный номер, пятый – индекс модификации, шестой – (необязательный) отношение к специальным стандартам.
Что бы к Вам ни попало в руки, для полной идентификации данного элемента следует применять маркировочные таблицы и по ним определить все характеристики данного элемента. По оценкам специалистов соотношение между производством ЭРЭ в обычном и SMD-исполнении должно приблизиться к 30:70. Многие радиолюбители уже начинают с успехом осваивать применение SMD в своих конструкциях.
Устройство IRF3205
Устройство и работа данного транзистора не имеет никаких отличий от устройств и работ других n-канальных МОП-транзисторов.
12 недорогих наборов электроники для самостоятельной сборки и пайки
Моя личная подборка конструкторов с Aliexpress «сделай сам» для пайки от простых за 153 до 2500 рублей. Дочке 5 лет — надо приучать к паяльнику))) — пусть пока хотя-бы смотрит — переходи посмотреть, один светодиодный куб чего только стоит
При подаче положительного напряжения между контактом затвора и истока между подложкой и контактом затвора образуется поперечное электрическое поле. Это поле притягивает отрицательно заряженные электроны к поверхностному слою диэлектрика. В результате такого заряда, в этом слое образуется некая область проводимости — так называемый “канал”.
Стоит заметить, что заряд накапливается, в своего рода, электрическом конденсаторе, состоящем из электрода затвора и подложки с диэлектриком. В этом конденсаторе обкладки — металлический вывод затвора и область подложки, а изоляторы — диэлектрики, состоящие из оксида кремния. Именно исходя из характеристик этого конденсатора и складывается параметр емкости затвора транзистора.
Как проверить IRF3205
Это делается, как и с любым другим полевым транзистором с изолированным затвором. Для этого достаточно одного лишь мультиметра.
Перед тем, как проводить проверку рекомендую вам замкнуть все выводы пинцетом между собой, во избежания порчи элемента статическим электричеством (если такое имеется).
Проверка диода
На что нужно обратить внимание первым делом, так это на проверку диода внутри транзистора. Для этого включаем на мультиметре режим прозвонки и прикасаемся красным щупом к контакту истока, а черным к контакту стока
Мультиметр в этом случае должен показывать значение около 400-700. После этого меняем местами щупы — тогда мультиметр должен показывать 1, если мультиметр ограничен индикацией — 1999. Высококлассные мультиметры с ограничением в 4000 будут отображать 2800.
Проверка работы транзистора
Из-за того, что в нашем случае элемент оснащен n-каналом, то для его открытия необходимо на затвор, приложить положительный потенциал. Только в таком случае через транзистор начнет проходить ток.
Снова включаем режим прозвонки на мультиметре, отрицательным щупом прикасаемся к истоку, положительный же к стоку.
В случае исправного транзистора, линия исток-сток начнет проводить ток, другими словами транзистор откроется. Чтобы это проверить, нужно прозвонить исток-сток. В случае, если мультиметр показывает какое-либо значение, значит все работает.
После проверки открытия транзистора, необходимо проверить его закрытие. Для этого на затвор нужно приложить отрицательный потенциал. Для этого присоединим отрицательный щуп к затвору, а положительный к истоку.
Снова проверяем сток-исток и тогда все, что должен показать мультиметр — падение на встроенном диоде.
Если все вышеописанные условия выполняются, значит транзистор полностью исправен и его можно использовать в своих проектах.
Маркировка IRF3205
В маркировке данного транзистора первые две буквы (IR) означают первого производителя — International Rectifier. Сейчас этот транзистор выпускается многими компаниями, но именно с этой началась история этого компонента.
Помимо оригинальной версии, на данный момент существует еще и бессвинцовая версия, которая помечается постфиксом “Z” — (IRF3205Z), но раньше обозначение выглядело по-другому, а именно — “PbF”, что расшифровывается как Plumbum Free.
А также существуют версии в других корпусах: IRF3205ZL — TO262 (припаивание стока-радиатора к плате для охлаждения) и IRF3205ZS — D2Pak (для поверхностного монтажа).
TO262 и D2Pak, который иначе называется TO263, отличаются тем, что первый предназначен для монтажа в отверстия на плате, после чего загибается и припаивается радиатором к ней же. TO263, в свою очередь, не требует отверстий и обладает короткими выводами, что позволяет использовать его при поверхностном монтаже на небольших платах.
Производители
DataSheet транзистора TIP122 можно посмотреть от следующих производителей: Motorola Inc, STMicroelectronics, KEC(Korea Electronics), Unisonic Technologies, Diotec Semiconductor, TRANSYS Electronics Limited, TAITRON Components Incorporated, Dc Components, SemiHow Co. Ltd, ON Semiconductor, Micro Commercial Components, Tiger Electronic Co. Ltd, Bourns Electronic Solutions, New Jersey Semi-Conductor Products, Inc, JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD, Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.
| Главная | О сайте | Теория | Практика | Контакты |
|
Высказывания: Власть теряет все свое очарование, если ею не злоупотреблять. Поль Валери Справка об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора TIP122.Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора TIP122 . Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора. Можно попробовать заменить транзистор TIP122 транзистором 2SD633; транзистором 2SD970; транзистором ECG261; транзистором TIP121; транзистором TIP120; транзистором RCA122; транзистором TIP622; транзистором TIP121; транзистором 2SC1883; транзистором 2SD1196; транзистором 2SD686; транзистором 2SD970; транзистором 2SD460; транзистором 2SD1414; дата записи: 2017-08-14 04:00:51 дата записи: 2017-10-09 13:23:17 дата записи: 2019-05-18 11:56:53 Добавить аналог транзистора TIP122.Вы знаете аналог или комплементарную пару транзистора TIP122? Добавьте. Поля, помеченные звездочкой, являются обязательными для заполнения. Другие разделы справочника:Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте». Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо. Спасибо за терпение и сотрудничество. |
Декоративная штукатурка для внутренней отделки под камень
B772 vs BD132 vs 2SB743
In the table below we try to compare the electrical specs of B772 vs BD132 vs 2SB743, this is helpful for the replacement process.
| Characteristics | 2SB772 | BD132 | 2SB743 |
|---|---|---|---|
| Collector to base voltage (VCB) | 60V | 45V | 40V |
| Collector to emitter voltage (VCE) | 30V | 45V | 30V |
| Emitter to base voltage (VEB) | 5V | 6V | 5V |
| Collector to emitter saturation voltage (VCE (SAT)) | -0.4 to –1.1V | 300mV | 2V |
| Collector current (IC) | 3A | 3A | 3A |
| Power dissipation | 12.5W | 15W | 1 to 10W |
| Junction temperature (TJ) | -65 to +150°C | -65 to +150°C | -55 to +150°C |
| Transition frequency (FT) | 100MHZ | 60MHZ | 55MHZ |
| Gain (hFE) | 30 to 300hFE | 40hFE | 30 to 320hFE |
| Package | TO-126 | TO-126 | TO-126 |
The voltage specs for every three transistors are the same, the values show that they are general purpose transistor devices.
The current gain and transition frequency values indicate that each of these transistors is mainly capable of amplifier applications.
Аналоги
Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, используемые в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах, преобразователях, стабилизаторах.
Отечественное производство
| Тип | PC | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | hFE | Временные параметры | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| KSC2335 | 40 | 500 | 400 | 7 | 7 | 150 | — | 10…80 | ton ˂ 1 мкс tstg ˂ 2,5 мкс tf ˂ 1 мкс | TO-220 |
| КТ840А | 60 | 900 | 400 | 5 | 6 | 150 | 8 | 10…60 | ton ˂ 0,2 мкс tstg ˂ 3,5 мкс tf ˂ 0,6 мкс | TO-3 |
| КТ841А | 50 | 600 | 400 | 5 | 10 | 150 | 10 | 10 | ton = 0,08 мкс tstg = 0,8 мкс tf = 0,5 мкс | TO-3 |
| 2Т842А | 50 | 300 | 300 | 5 | 5 | 150 | 20 | 15 | ton = 0,12 мкс tstg = 0,8 мкс tf = 0,13 мкс | TO-3 |
| КТ847А | 125 | 650 | — | 8 | 15 | 150 | ˃ 15 | ˃ 8 | tstg = 3,0 мкс tf = 1,5 мкс | TO-3 |
| КТ858А | 60 | 400 | 400 | 6 | 7 | 150 | — | ˃ 10 | tstg ˂ 2,5 мкс tf ˂ 0,75 мкс | TO-220 |
| 2Т862 | 50 | 600 | 400 | 5 | 10 | 150 | 20 | 12…50 | ton ˂ 0,4 мкс tstg ˂ 1,0 мкс tf ˂ 0,25 мкс | TO-3 |
| КТ812А | 50 | 400 | 400 | 7 | 8 | 150 | ˃ 3 | — | tf = 0,2…1,3 мкс | TO-3 |
| КТ8126А1 | 80 | 700 | 400 | 9 | 8 | 150 | ˃ 4 | 8…40 | ton = 1,6 мкс tstg = 3,0 мкс tf = 0,7 мкс | TO-220 |
| КТ8164А | 75 | 700 | 400 | 9 | 4 | 150 | ˃ 4 | 10…60 | ton = 0,8 мкс tstg = 0,9 мкс tf = 4,0 мкс | TO-220 |
Зарубежное производство
| Тип | PC | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | hFE | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| KSC2335 | 40 | 500 | 400 | 7 | 7 | 150 | 10…80 | TO-220 |
| KSC2334 | 40 | 150 | 100 | 7 | 7 | 150 | 20…240 | TO-220C |
| 2SC2502 | 50 | 500 | 400 | 7 | 8 | 150 | ˃ 15 | TO-220 |
| TT2194 | 50 | 500 | 400 | 7 | 12 | 150 | 20 | TO-220 |
| WBP3308 | 45 | 900 | 500 | 7 | 7 | 150 | 20 | TO-220 |
| 2SC3038 | 40 | 500 | 400 | 7 | 7 | 150 | 50 | TO-220 |
| 2SC3039 | 50 | 500 | 400 | 7 | 7 | 150 | 30 | TO-220 |
| 2SC3170 | 40 | 500 | — | — | 7 | 150 | 25 | TO-220 |
| 2SC3626 | 40 | — | 400 | — | 8 | — | 55 | TO-220 |
| 2SC4055 | 60 | 600 | 450 | 7 | 8 | 180 | 100 | TO-220 |
| 2SC4106 M/N | 50 | 500 | 400 | 7 | 7 | 175 | 60 | TO-220 |
| 2SC4107 M/N | 60 | 500 | 400 | 7 | 10 | 150 | 20/60 | TO-220 |
| 2SC4274 | 40 | 500 | 400 | — | 10 | 150 | 40 | TO-220 |
| 2SC4458 L | 40 | 900 | 500 | 9 | 8 | 150 | 25 | TO-220F |
| 2SC4559 | 40 | 500 | 400 | — | 7 | 175 | 150 | TO-220 |
| 2SD1162 | 40 | 500 | — | 10 | 10 | 150 | 400 | TO-220 |
| 2SD1349 | 50 | 500 | — | — | 7 | 150 | 150 | TO-220 |
| 2SD1533 | 45 | 500 | — | — | 7 | 150 | 800 | TO-220 |
| 2SD1710A | 50 | 900 | 500 | 9 | 8 | 150 | 25 | TO-220 |
| 3DK3039 | 50 | 500 | 400 | 7 | 7 | 175 | 25 | TO-220, TO-276AB |
| MJ10012T | 65 | 600 | 400 | — | 15 | 200 | 200 | TO-220 |
Примечание: данные в таблицах взяты из даташип-производителя.
Характеристики
Выпускается транзистор различными производителями, как правило, в пластиковом корпусе. В системе JEDEC есть корпус обновлённого типа ТО-225АА. Вы можете скачать datasheet на транзистор BD139.
Изделие с надёжным корпусом имеет цоколевку типа:
- Эммитер – E;
- Коллектор – С;
- База – В.
Транзистор используется при температуре +25 по градусу Цельсия, работает по биполярному принципу, а его корпус без радиатора сделан прочно. Материал корпуса – пластмасса, кристалл используется кремний, проводимость – NPN.
Если покупателю необходимо найти отечественный аналог bd1390, то ниже будет указано, какой подойдёт для применения и считается качественным. Можно сказать, что аналог не уступает конкуренту, поэтому данный вариант будет оптимальным решением.
Учимся ремонтировать кинескопные, LED и ЖК телевизоры вместе.
13.11.2015 Lega95 1 Комментарий
Привет. Сегодня будем ремонтировать телевизор с неисправной кадровой разверткой на примере старенького телевизора AIWA TV-215KE.
Для тех, кто вообще не разбирается в телевизорах поясню, что кадровая развертка неисправна, если по средине экрана светится яркая горизонтальная полоса, как и в нашем примере. Бывают еще другие поломки кадровой развертки, такие как заворот изображения, или же маленький размер по вертикали, но эти неисправности разберем уже в других статьях.
Как всегда ремонт телевизора начнем с его разборки и внешнего осмотра деталей на предмет дефектов. Сразу отмечу, что этот телевизор как «сборная Советского Союза», так как в нем использован отдельный самодельный блок питания, родной просто отключен и все запчасти выпаяны. Так же использован радиоканал от советских телевизоров 3УСТЦ. Какую именно функцию он там выполняет я не разбирался, но сделано все довольно красиво и аккуратно. У мастера, который делал все эти переделки, руки растут определенно из нужного места.
Радиоканал от 3УСТЦ в телевизоре AIWA TV-215KE
При внешнем осмотре сразу бросился в глаза выгоревший резистор рядом с ТДКС.
Рядом с ним стоит диод, который я в первую очередь и проверил. Он оказался пробитым.
Для продолжения ремонта используем схему.
Кадровая развертка этого телевизора собрана на микросхеме LA7832. Наши сгоревшие элементы находятся в цепи формирования питающего напряжения 25 вольт, которое заводятся на 6 ногу нашей микросхемы LA7832.
Схема кадровой телевизора AIWA TV-215KE
Скажу сразу, если диод и защитное сопротивление сгоревшие, то велика вероятность выхода из строя и самой микросхемы. Так что я решил сразу ее выпаять и заменить на новую.
Прогар на кадровой LA7832
Выпаяв микросхему, увидел большой прогар не ее корпусе, так что решение о ее замене было вполне обоснованным. Полным аналогом LA7832 является LA7840, которую и установим вместо сгоревшей.
Заменив микросхему и установив новый диод и резистор, приступим к поиску причины выхода из строя микросхемы LA7832. Наши сгоревшие элементы являются следствием, а не причиной поломки. Основных причин выхода из строя кадровой микросхемы в данном случае я выделяю две, а именно завышенное напряжение на микросхему или же недостаточная фильтрация этого напряжения. Так как питающее напряжение 115в я померял в начале ремонта, осталось проверить сами электролиты. По схеме их всего 2, это с832 1000мкф на 35в и С510 220 мкф на 35в. С832 оказался рабочим, а вот С510 с завышенным ESR, что возможно и привело к поломке телевизора.
Завышеный ESR конденсатора С510
Установив все на место, включил телевизор. Кадровая развертка появилась. Через 15 мин работы, микросхема нагрелась всего до 40 градусов, что является хорошим результатом.
Впаянная микросхема LA7840
Вот такой ремонт у нас получился
Спасибо за внимание
AIWA_TV-215KE.rar (220,1 KiB, 2 097 hits)
Графические иллюстрации характеристик
Рис. 1. Внешняя характеристика транзистора в схеме с общим эмиттером. Зависимость коллекторной нагрузки IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE при различных токах (управления) базы IB.
Рис. 2. Зависимость статического коэффициента усиления по току от коллекторной нагрузки IC.
Зависимость снята при импульсном напряжении коллектор-эмиттер UCE = 5 В.
Рис. 3. Зависимости напряжений насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) и эмиттер-база UBE(sat) от величины коллекторной нагрузки IC.
Зависимость снята при соотношении амплитуд импульсов токов коллектора и базы IC/IB = 5.
Рис. 4. Снижение предельной токовой нагрузки IC в области безопасной работы транзистора при увеличении температуры корпуса прибора TC.
Кривая «Dissipation Limited» — снижение токовой нагрузки в результате общего перегрева п/п структуры.
Кривая «S/b Limited» — снижение токовой нагрузки для исключения вторичного пробоя п/п структуры локально, в местах повышенной плотности тока.
Определение теплового режима транзистора во многом сводится к определению рассеиваемой мощности и соотнесению её с областью безопасной работы транзистора (ОБР). Для транзистора, работающего в ключевом режиме, приходится учитывать потери на коммутационных интервалах, а также ряд особенностей, определяемых реактивными свойствами коллекторной цепи и источника питания.
Рис. 5. Область безопасной работы транзистора, определена при температуре среды Ta = 25°С при нагрузке транзистора одиночными импульсами (Single Pulse) различной длительности: PW = 10 мкс; 50 мкс; 100 мс; 300 мкс; 1,0 мс; 10 мс; 100 мс.
Выделяются 4 участка ограничивающих линий предельного тока коллектора:
- горизонтальный – предельный ток транзистора, определяющий устойчивость паяных соединений. При возрастании температуры корпуса вводится поправка согласно графику Рис. 4;
- участок «Dissipation Limited» – предельный ток, ограничивающий общий нагрев п/п структуры;
- участок «S/b Limited» — ограничение тока исходя из недопущения вторичного пробоя п/п структуры;
- вертикальный участок – предельное напряжение коллектор-эмиттер, не приводящее к лавинному пробою п/п структуры.
Характеристики ОБР по Рис. 5 подходят для анализа безопасной работы транзистора при резистивном или емкостном характере нагрузки, а также при любой нагрузке на интервале проводимости (ton). См. диаграмму тока коллектора в импульсном режиме выше.
В схеме с индуктивной нагрузкой на коммутационном интервале (tstg + tf), при восстановлении непроводящего состояния, возникающие на транзисторе пиковые перенапряжения могут превышать критические значения и вызвать пробой п/п структуры. Для уменьшения перенапряжений вводятся ограничители напряжения: снабберные RC-цепи, активные ограничители и т. п. Для уменьшения потерь (уменьшения длительности коммутационного интервала) в цепь управления (базы) транзистора вводится отрицательное напряжение смещения.
Увеличение напряжений при вводе отрицательного смещения и ограничение коллекторного тока отражаются на конфигурации ОБР. Такая ОБР является неотъемлемой характеристикой работы транзистора в переключающем режиме с индуктивной нагрузкой.
Рис. 6. Область безопасной работы с обратным смещением. Характеристика снята при условии Tc ≤ 100°C.
Увеличение UCEX(sus) при значительном ограничении тока коллектора – результат ввода ограничителей коммутационных перенапряжений до уровня 450 В.
Условиями безопасной (корректной) работы транзистора в ключевом режиме является выполнение следующих условий:
- непревышение температурных ограничений по структуре в целом;
- токи и напряжения на интервале включения (ton) не превышают ограничений ОБР;
- токи и напряжения на интервале выключения (tstg + tf) не превышают ограничений ОБР с обратным смещением.