Транзистор d882

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, усилительные, линейные. Разработаны для применения в широкополосных усилителях мощности, стабилизаторах, преобразователях напряжения.

Отечественное производство

Зарубежное производство

Примечание: данные в таблице взяты из даташип компаний-производителя.

Технические характеристики

D882 имеет достаточно хорошие технические параметры. Не много транзисторов, в корпусе TO-126, могут похвастаться возможностью пропускать через себя импульсные токи величиной до 6 А. Рассмотрим другие его максимальные значения предельно допустимых эксплуатационных значений:

• напряжение между: К-Б — V_CBO (U_{кб max}) до 40 В; К-Е — V_CEO (U_{кэ max}) до 30 В;Э-Б — V_EBO (U_{эб max}) до 6 В;
• коллекторный ток: постоянный I_C (I_{к max}) = 3 А; переменный, при t_P< 5ms — I_CM (I_{ки max}) до 6 А;
• ток базы I_B (I_{Б max}) = 3 А до 1 А;
• мощность рассеиваемая на коллекторе Р_С (Р_{к max}) до 1.25 Вт;
• тепловое сопротивление перехода Rthj-case —  10 ° C/Вт;
• диапазон температур хранения и использования T_stg = -55 … 150 оС;
• температура кристалла T_J до 150 оС.

Электрические параметры

Электрические параметры D882 тоже неплохие. Они представлены в даташит в виде отдельной таблицы с дополнительными условиями их измерений. Температуре окружающей среды, при этом, составляет не более 25 оС.

Коэффициента усиления по току

В зависимости от коэффициента передачи тока (hFE) транзистор D882 делятся на четыре группы по буквам: R (маленькое) – от 60 до 120; О (среднее) от 100 до 200; Y (высокое)– от 160 до 320; GR (самое большое) от 200 до 400.

Влияние радиатора

Стоит учитывать сильный нагрев D882 при использовании в предельно допустимых режимах, которые могут привести к выходу его из строя. Вероятности такого исхода очень высока, поэтому не рекомендуется длительная эксплуатация устройства на максимальных значениях.

Большое значение, в повышении надежности и уменьшении нагрева транзистора при работе, имеет его система охлаждения. Ниже приведен график зависимости рассеиваемой мощности (по горизонтали) от температуры окружающей среды (по вертикали). При тестировании изготовитель использует алюминиевый радиатор толщиной 10 мм.

Как видно из графика, при температуре вокруг корпуса выше +25ОС рассеиваемая мощность D882 начинает понижаться, а при +150ОС падает до ноля. На рисунке наглядно показана положительная роль использования радиатора для подобных электронных устройств.

2sd1802 datasheet (17)

Search Stock

Технические характеристики

Характеристики D882, приведённые в технической документации, могут встречаться с небольшими отличиями, в зависимости от того, у какого производителя взята информация. Поэтому далее приводим значения от компании Shenzhen Electronics, так как транзистор этой фирмы часто можно встретить в отечественных магазинах. Предельно допустимые значения, измеренные при температуре окружающего воздуха +25ОС:

• напряжение коллектор-база предельно допустимое V_CBO (U_{кб max}) = 40 В;
• напряжение коллектор-эмиттер максимальное V_CEO (U_{кэ max}) = 30 В;
• напряжение эмиттер-база предельно возможное V_EBO (U_{эб max}) = 6 В;
• наибольший постоянный ток через коллектор I_C (I_{к max}) = 3 А;
• предельная мощность, рассеиваемая на коллекторе Р_С (Р_{к max}) = 1,25 Вт;
• Диапазон температур хранения T_stg = -55 … 150 оС;
• Максимальная температура кристалла T_J = 150 оС;

Далее производитель Shenzhen Electronics приводит электрические характеристики.

Транзисторы D882 могут иметь различные коэффициенты передачи тока и по этому свойству классифицируются следующим образом: меньше всего коэффициент у приборов с буквой R – от 60 до 120, с буквой – О чуть больше (100 — 200),  если в наименовании Y, то значение 160 — 320 и устройства с обозначением GR  имеют усиление от 200 до 400.

Приведём график зависимости Pt (рассеиваемая мощность) от T (окружающая температура). Для проведения тестирования использовался радиатор из алюминия толщиной 10 мм. По горизонтальной оси здесь отложена мощность, а по вертикальной температура.

Из графика видно, что когда температура становится выше +25ОС, мощность  уменьшается и при +150ОС становиться равной 0. Кроме этого из рисунка понятно, что чем больше площадь радиатора, тем большую мощность можно рассеять.

При тепловых расчётах может также понадобиться зависимость температурного сопротивления от длительности импульса. Измерение проводилось при таких условиях: напряжении коллектор-эмиттер 10 вольт, ток коллектора 1 ампер. При этом погрешность не более 0,001. Горизонтальная шкала, на которую нанесена длительность импульса, представлена в логарифмическом масштабе.

Модификации (версии) транзистора