What is c5386?

Транзистор C5386 технические характеристики

Вот некоторые технические характеристики транзистора C5386:

• Максимальная токовая передача: 3A
• Максимальное напряжение коллектора: 150В
• Максимальное напряжение эмиттера: 5В
• Мощность коллектора (максимальная): 20Вт
• Температурный диапазон: от -55°C до +150°C
• Усиление тока усилителя (hFE): 60-120

Транзистор C5386 широко используется в различных приложениях, таких как усилители мощности, блоки питания, переключатели и электронные схемы управления.

Важно отметить, что технические характеристики могут варьироваться в зависимости от производителя и партии транзисторов

Рекомендации по подключению и использованию транзистора C5386

1. Подключение:

Перед подключением транзистора C5386, убедитесь, что вы правильно определили его выводы. Транзистор имеет три вывода: эмиттер (E), базу (B) и коллектор (C). Обычно, на корпусе транзистора выводы обозначены соответствующими буквами.

— Подключите эмиттерный вывод к общей точке (земле) схемы.

— Подключите коллекторный вывод к нагрузке или другому компоненту схемы, с которым вы планируете работать.

— Подключите базовый вывод к источнику сигнала управления. Обычно это сигнал управления от микроконтроллера или другого устройства.

Режим работы:

Транзистор C5386 может работать в режиме усиления сигнала, включения и отсечки сигнала, или в режиме обратного тока. Убедитесь, что вы правильно настроили схему подключения для желаемого режима работы.

Охлаждение:

Важно обеспечить должное охлаждение транзистора C5386, особенно если он используется при высоких частотах или в схемах, где мощность потребления транзистора высока. Установите радиатор или другую систему охлаждения для поддержания низкой температуры транзистора

Ток и напряжение:

При использовании транзистора C5386, не превышайте максимальные значения тока и напряжения, указанные в его технических характеристиках. Правильно выберите нагрузку и другие компоненты схемы, чтобы не перегружать транзистор.

Защита:

Рекомендуется предусмотреть защиту от перегрузок и короткого замыкания при использовании транзистора C5386. Это поможет предотвратить повреждение транзистора и других компонентов схемы.

Следуя этим рекомендациям, вы сможете эффективно использовать транзистор C5386 в своих электронных проектах. В случае возникновения каких-либо вопросов или проблем, обратитесь к техническим характеристикам или обратитесь за консультацией к специалистам.

Отличительные особенности

• Транзистор c5386 является биполярным NPN-транзистором, который обладает высокой частотой переключения и низким уровнем шума.
• Транзистор c5386 имеет низкое входное сопротивление и высокую мощность, что позволяет использовать его в различных усилительных и коммутационных схемах.
• Он также характеризуется высоким коэффициентом усиления тока (hFE), что делает его идеальным для использования в усилительных устройствах низкой частоты.
• Транзистор c5386 обладает низким уровнем коллекторного тока утечки, что способствует повышению его эффективности и надежности.
• Этот транзистор также имеет низкое выходное сопротивление, что обеспечивает хорошую стабильность и точность в работе.

Применение Sec c5386

Транзистор Sec c5386 характеризуется высоким коэффициентом усиления, низким уровнем шума и низким коэффициентом искажения. Это делает его отличным выбором для использования в различных аудио- и видеоустройствах, где требуется высокое качество звучания.

Особенностью транзистора Sec c5386 является его высокая мощность и надежность, что позволяет использовать его в интенсивных режимах работы без проблем и снижения качества сигнала. Кроме того, он очень стабилен и устойчив к различным факторам, таким как температурные колебания и электрические помехи.

В целом, благодаря своим высоким характеристикам и надежности, транзистор Sec c5386 широко используется в различных электронных устройствах и является прекрасным выбором для проектирования и создания качественной аппаратуры.

C5386 Datasheet PDF — ETC

Part Number	C5386
Description	NPN Transistor — 2SC5386
Manufacturers	ETC
Logo
There is a preview and C5386 download ( pdf file ) link at the bottom of this page. Total 5 Pages

Preview 1 page No Preview Available ! 2SC5386 TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE 2SC5386 HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR HIGH RESOLUTION DISPLAY, COLOR TV HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS Unit: mm l High Voltage : VCBO = 1500 V l Low Saturation Voltage : VCE (sat) = 3 V (Max.) l High Speed : tf = 0.15 µs (Typ.) l Collector Metal (Fin) is Fully Covered with Mold Resin. MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C) CHARACTERISTIC Collector−Base Voltage Collector−Emitter Voltage Emitter−Base Voltage Collector Current DC Pulse Base Current Collector Power Dissipation Junction Temperature Storage Temperature Range SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICP IB PC Tj Tstg RATING 1500 600 5 8 16 4 50 150 −55~150 UNIT V V V A A W °C °C JEDEC ― JEITA ― TOSHIBA 2-16E3A Weight: 5.5 g (typ.) ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tc = 25°C) CHARACTERISTIC SYMBOL TEST CONDITION Collector Cut−off Current Emitter Cut−off Current Emitter−Base Breakdown Voltage DC Current Gain Collector−Emitter Saturation Voltage Base−Emitter Saturation Voltage Transition Frequency Collector Output Capacitance Switching Time Storage Time Fall Time ICBO IEBO V (BR) CEO hFE (1) hFE (2) VCE (sat) VBE (sat) fT Cob tstg tf VCB = 1500 V, IE = 0 VEB = 5 V, IC = 0 IC = 10 mA, IB = 0 VCE = 5 V, IC = 1 A VCE = 5 V, IC = 6 A IC = 6 A, IB = 1.5 A IC = 6 A, IB = 1.5 A VCE = 10 V, IC = 0.1 A VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz ICP = 5 A, IB1 (end) = 1.0 A fH = 64 kHz MIN TYP. MAX UNIT ―― 1 mA ― ― 10 µA 600 ― ― V 15 ― 35 ― 4.3 ― 7.5 ―― 3 V ― 1.0 1.5 V ― 1.7 ― MHz ― 105 ― pF ― 2.5 3.5 ― 0.15 0.3 µs 1 2001-08-20

2SC5386 RESTRICTIONS ON PRODUCT USE 000707EAA · TOSHIBA is continually working to improve the quality and reliability of its products. Nevertheless, semiconductor devices in general can malfunction or fail due to their inherent electrical sensitivity and vulnerability to physical stress. It is the responsibility of the buyer, when utilizing TOSHIBA products, to comply with the standards of safety in making a safe design for the entire system, and to avoid situations in which a malfunction or failure of such TOSHIBA products could cause loss of human life, bodily injury or damage to property. In developing your designs, please ensure that TOSHIBA products are used within specified operating ranges as set forth in the most recent TOSHIBA products specifications. Also, please keep in mind the precautions and conditions set forth in the “Handling Guide for Semiconductor Devices,” or “TOSHIBA Semiconductor Reliability Handbook” etc.. · The TOSHIBA products listed in this document are intended for usage in general electronics applications (computer, personal equipment, office equipment, measuring equipment, industrial robotics, domestic appliances, etc.). These TOSHIBA products are neither intended nor warranted for usage in equipment that requires extraordinarily high quality and/or reliability or a malfunction or failure of which may cause loss of human life or bodily injury (“Unintended Usage”). Unintended Usage include atomic energy control instruments, airplane or spaceship instruments, transportation instruments, traffic signal instruments, combustion control instruments, medical instruments, all types of safety devices, etc.. Unintended Usage of TOSHIBA products listed in this document shall be made at the customer’s own risk. · The information contained herein is presented only as a guide for the applications of our products. No responsibility is assumed by TOSHIBA CORPORATION for any infringements of intellectual property or other rights of the third parties which may result from its use. No license is granted by implication or otherwise under any intellectual property or other rights of TOSHIBA CORPORATION or others. · The information contained herein is subject to change without notice. 5 2001-08-20 Preview 5 Page

On this page, you can learn information such as the schematic, equivalent, pinout, replacement, circuit, and manual for C5386 electronic component.

Information	Total 5 Pages
Link URL
Product Image and Detail view	1. 1500V, NPN Transistor — Toshiba
Download

Share Link :

Electronic Components Distributor

An electronic components distributor is a company that sources, stocks, and sells electronic components to manufacturers, engineers, and hobbyists.

SparkFun Electronics	Allied Electronics	DigiKey Electronics	Arrow Electronics
Mouser Electronics	Adafruit	Newark	Chip One Stop

Особенности Sec c5386

Транзистор Sec c5386 обладает рядом особенностей, которые делают его популярным в электронной индустрии:

Тип транзистора	PNP
Максимальное коллекторное напряжение (Vceo)	200 В
Максимальный коллекторный ток (Ic)	2 А
Максимальная мощность (P)	20 Вт
Максимальная рабочая частота (f)	30 МГц
Усиление транзистора (hFE)	40-400

Sec c5386 обладает хорошей стабильностью параметров в широком диапазоне рабочих условий, что делает его надежным и эффективным в различных приложениях. Он широко применяется в усилительных схемах и коммутационных устройствах, а также в различных электронных устройствах, требующих усиления сигнала и коммутации.

C5198 vs C5200 vs 2SC2581

In the table, we listed the electrical specification comparison of C5198 vs C5200 vs 2SC2581, this is helpful for a better understanding and also for the replacement process.

Characteristics	C5198	C5200	2SC2581
Collector to base voltage (VCB)	140V	230V	200V
Collector to emitter voltage (VCE)	140V	230V	140V
Emitter to base voltage (VEB)	5V	5V	6V
Collector to emitter saturation voltage (VCE (SAT))	0.3 to 2V	0.4 to 3V	2V
Collector current (IC)	10A	15A	10A
Power dissipation (PD)	100W	150W	100W
Junction temperature (TJ)	-55 to +150°C	-55 to +150°C	-55 to +150°C
Transition frequency (FT)	30MHZ	30MHZ	20MHZ
Gain (hFE)	35 to 160hFE	35 to 160hFE	30hFE
Package	TO-3P	TO-264	TO-3P

Применение транзистора Sec c5386

Транзистор Sec c5386 широко используется в различных электронных устройствах благодаря своим характеристикам и преимуществам. Он относится к классу биполярных PNP транзисторов и обладает высокой мощностью и низким шумом.

Основное применение транзистора Sec c5386 включает:

Область применения	Описание
Усилительные цепи	Транзисторы Sec c5386 широко применяются в усилительных цепях звукового и видео оборудования. Они обеспечивают высокую степень усиления сигнала и хорошую линейность.
Источники питания	Благодаря своей надежности и эффективности, транзисторы Sec c5386 используются в источниках питания различных устройств. Они обеспечивают стабильную работу и защиту от перенапряжения.
Коммутационные устройства	Sec c5386 может использоваться в коммутационных устройствах, таких как реле и прерыватели. Он обеспечивает быстрое и надежное переключение сигнала.
Источники сигнала	Транзисторы Sec c5386 могут быть использованы в качестве источников сигнала для различных приборов и схем. Они обеспечивают стабильность и низкий уровень искажений.

Таким образом, транзистор Sec c5386 является универсальным элементом электроники, который находит широкое применение в различных областях. Использование этого транзистора позволяет создавать эффективные и надежные электронные устройства.

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Внешняя характеристика транзистора в схеме с общим эмиттером. Зависимость коллекторной нагрузки I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE при различных токах (управления) базы I_B.

Рис. 2. Зависимость статического коэффициента усиления по току от коллекторной нагрузки I_C.

Зависимость снята при импульсном напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 5 В.

Рис. 3. Зависимости напряжений насыщения коллектор-эмиттер U_CE(sat) и эмиттер-база U_BE(sat) от величины коллекторной нагрузки I_C.

Зависимость снята при соотношении амплитуд импульсов токов коллектора и базы I_C/I_B = 5.

Рис. 4. Снижение предельной токовой нагрузки I_C в области безопасной работы транзистора при увеличении температуры корпуса прибора T_C.

Кривая «Dissipation Limited» — снижение токовой нагрузки в результате общего перегрева п/п структуры.

Кривая «S/b Limited» — снижение токовой нагрузки для исключения вторичного пробоя п/п структуры локально, в местах повышенной плотности тока.

Определение теплового режима транзистора во многом сводится к определению рассеиваемой мощности и соотнесению её с областью безопасной работы транзистора (ОБР). Для транзистора, работающего в ключевом режиме, приходится учитывать потери на коммутационных интервалах, а также ряд особенностей, определяемых реактивными свойствами коллекторной цепи и источника питания.

Рис. 5. Область безопасной работы транзистора, определена при температуре среды T_a = 25°С при нагрузке транзистора одиночными импульсами (Single Pulse) различной длительности: PW = 10 мкс; 50 мкс; 100 мс; 300 мкс; 1,0 мс; 10 мс; 100 мс.

Выделяются 4 участка ограничивающих линий предельного тока коллектора:

1. горизонтальный – предельный ток транзистора, определяющий устойчивость паяных соединений. При возрастании температуры корпуса вводится поправка согласно графику Рис. 4;
2. участок «Dissipation Limited» – предельный ток, ограничивающий общий нагрев п/п структуры;
3. участок «S/b Limited» — ограничение тока исходя из недопущения вторичного пробоя п/п структуры;
4. вертикальный участок – предельное напряжение коллектор-эмиттер, не приводящее к лавинному пробою п/п структуры.

Характеристики ОБР по Рис. 5 подходят для анализа безопасной работы транзистора при резистивном или емкостном характере нагрузки, а также при любой нагрузке на интервале проводимости (t_on). См. диаграмму тока коллектора в импульсном режиме выше.

В схеме с индуктивной нагрузкой на коммутационном интервале (t_stg + t_f), при восстановлении непроводящего состояния, возникающие на транзисторе пиковые перенапряжения могут превышать критические значения и вызвать пробой п/п структуры. Для уменьшения перенапряжений вводятся ограничители напряжения: снабберные RC-цепи, активные ограничители и т. п. Для уменьшения потерь (уменьшения длительности коммутационного интервала) в цепь управления (базы) транзистора вводится отрицательное напряжение смещения.

Увеличение напряжений при вводе отрицательного смещения и ограничение коллекторного тока отражаются на конфигурации ОБР. Такая ОБР является неотъемлемой характеристикой работы транзистора в переключающем режиме с индуктивной нагрузкой.

Рис. 6. Область безопасной работы с обратным смещением. Характеристика снята при условии T_c ≤ 100°C.

Увеличение U_CEX(sus) при значительном ограничении тока коллектора – результат ввода ограничителей коммутационных перенапряжений до уровня 450 В.

Условиями безопасной (корректной) работы транзистора в ключевом режиме является выполнение следующих условий:

• непревышение температурных ограничений по структуре в целом;
• токи и напряжения на интервале включения (t_on) не превышают ограничений ОБР;
• токи и напряжения на интервале выключения (t_stg + t_f) не превышают ограничений ОБР с обратным смещением.

Аналоги биполярного транзистора 2SС5586

Type	Mat	Struct	Pc	Vcb	Vce	Ic	Ft	Cc	Hfe	Caps
2SC5586	Si	NPN	70,00	900,00	550,00	5,00	6,00	50,00	10,00	TO3PF
H05N50F	N	MOSFET	38,00	500,00	30,00		5,00	150,00		60,00
H06N60F	N	MOSFET	40,00	600,00	30,00		6,00	150,00		19,00
H07N60F	N	MOSFET	40,00	600,00	30,00		7,00	150,00		19,00
H07N65F	N	MOSFET	48,00	650,00	30,00		7,00	150,00		29,00
H10N60F	N	MOSFET	50,00	600,00	30,00		10,00	150,00		26,00
H10N65F	N	MOSFET	50,00	650,00	30,00		10,00	150,00		75,00
H12N60F	N	MOSFET	50,00	600,00	30,00		12,00	150,00		50,00
H12N65F	N	MOSFET	50,00	650,00	30,00		12,00	150,00		50,00
HIRF830F	N	MOSFET	38,00	500,00	30,00		43589,00	150,00		46,00
HIRF840F	N	MOSFET	38,00	500,00	30,00		8,00	150,00		23,00
IPA50R199CP	N	MOSFET	139,00	500,00			17,00		34,00
MTN12N65FP	N	MOSFET	51,00	650,00	30,00		12,00	150,00	38,00	85,00
MTN6N65FP	N	MOSFET	54,00	650,00	30,00		6,00	150,00		13,00
MTN6N70FP	N	MOSFET	54,00	700,00	30,00		6,00	150,00		13,00
MTN7N60FP	N	MOSFET	44,00	600,00	30,00		7,00	150,00	37,00	40,00
MTN7N65FP	N	MOSFET	52,00	650,00	30,00		7,00	150,00		50,00
MTN8N50FP	N	MOSFET	38.5	500,00	30,00		8,00	150,00		23,00
MTN8N60FP	N	MOSFET	48,00	600,00	30,00		43592,00	150,00	37,00	40,00
MTN8N65FP	N	MOSFET	60,00	650,00	30,00		43592,00	150,00		70,00
MTN8N70FP	N	MOSFET	60,00	700,00	30,00		43592,00	150,00		70,00
SIF10N60C	N	MOSFET	156,00	600,00	20,00		10,00	150,00
SIF10N65C	N	MOSFET	156,00	650,00	20,00		10,00	150,00
SIF10N70C	N	MOSFET	157,00	700,00	20,00		10,00	150,00
SIF12N60C	N	MOSFET	225,00	600,00	30,00		12,00	150,00
SIF12N65C	N	MOSFET	225,00	650,00	30,00		12,00	150,00
SIF13N50C	N	MOSFET	170,00	500,00	30,00		13,00	150,00
SIF18N65C	N	MOSFET	65,00	650,00	30,00		18,00	150,00
SIF5N50C	N	MOSFET	74,00	500,00	30,00		5,00	150,00
SIF7N60C	N	MOSFET	147,00	600,00	30,00		7,00	150,00
SIF7N60D	N	MOSFET	147,00	600,00	30,00		7,00	150,00
SIF7N65C	N	MOSFET	142,00	650,00	30,00		7,00	150,00
SIF7N65D	N	MOSFET	142,00	650,00	30,00		7,00	150,00
SIF7N70C	N	MOSFET	147,00	700,00	30,00		7,00	150,00
SIF7N80C	N	MOSFET	167,00	800,00	30,00		7,00	150,00
SIF8N50C	N	MOSFET	125,00	500,00	30,00		8,00	150,00
SIHFI830G	N	MOSFET	35,00	500,00	20,00	4,00	43468,00	150,00	38,00	16,00
SPA04N80C3	N	MOSFET	38,00	800,00			4,00		23,00
SPA06N80C3	N	MOSFET	39,00	800,00			6,00		31,00
STF12N50M2	N	MOSFET	85,00	500,00	25,00	4,00	10,00	150,00	15,00	43595,00
STF30NM50N	N	MOSFET	40,00	500,00	25,00	4,00	27,00	150,00
STF8NM50N	N	MOSFET	45,00	500,00	25,00	4,00	5,00	150,00
STP9NB50FP	N	MOSFET	40,00	500,00	30,00		43712,00	150,00		11,00

Bipolar transistor, NPN, 900 V, 5 A, 70 W
Биполярный транзистор, NPN, 900 В, 5 А, 70 Вт

Преимущества использования транзистора C5386:

• Высокая надежность: Транзистор C5386 производится с использованием передовых технологий и высококачественных материалов, что гарантирует его долгую и надежную работу.
• Широкий диапазон рабочих частот: Данный транзистор обладает широким диапазоном рабочих частот, что позволяет его использовать в различных усилительных схемах с разными требованиями.
• Высокая мощность и эффективность: Транзистор C5386 обеспечивает высокую мощность и эффективность работы, что позволяет получить качественное усиление сигнала при минимальных потерях.
• Хорошие характеристики переходных процессов: Благодаря своим особенностям конструкции, транзистор C5386 обладает отличными характеристиками переходных процессов, что обеспечивает стабильную и качественную работу усилительной схемы.
• Широкий диапазон рабочих температур: Транзистор C5386 может работать в широком диапазоне рабочих температур, что делает его универсальным и применимым в различных условиях и окружающей среде.

В целом, транзистор C5386 представляет собой надежное и эффективное решение для создания усилительных схем и находит широкое применение в различных областях электроники. Его преимущества делают его идеальным выбором для специалистов, стремящихся получить высокое качество и надежность работы своих устройств.

C5198 transistor characteristics

output characteristics of the C5198 transistor

The figure shows the output characteristics of the C5198 transistor, the graph is plotted with collector current vs collector to emitter voltage.

In a varying base current, the collector current increases at a different level with respect to the collector to emitter voltages.

At the higher base current value, the collector current increases quickly with small variations at voltages.

DC current gain characteristics of the C5198 transistor

The figure shows the DC current gain characteristics of the C5198 transistor, the graph is plotted with DC current gain vs collector current.

At a fixed collector to emitter voltage, the gain value of the transistor increases from a fixed value.

Применение

Транзистор c5386 широко используется в различных электронных устройствах и схемах, где требуется усиление и коммутация сигналов. Его применение включает, но не ограничивается:

Область применения	Описание
Усилительные схемы	Транзистор c5386 обладает высоким коэффициентом усиления (бета) и низким уровнем шума, что делает его идеальным для использования в усилительных схемах различных видов. Он может быть применен, например, в аудиоусилителях, радиоприемниках и других устройствах, где требуется увеличение амплитуды сигнала.
Коммутационные схемы	Благодаря его высокой скорости коммутации и низкому сопротивлению включения/выключения, транзистор c5386 часто используется в коммутационных схемах и схемах управления. Он может работать с различными сигналами и токами, что делает его полезным в таких приложениях, как цифровые схемы, источники питания и автоматические управляющие системы.
Источники энергии	Транзистор c5386 может быть использован в различных источниках энергии, таких как инверторы переменного тока (AC) и напряжения (DC), блоки питания и зарядные устройства. Он обладает низким потреблением энергии, высокой эффективностью и хорошей теплоотводностью, что делает его идеальным для таких приложений.
Светотехнические устройства	Транзистор c5386 может использоваться в светотехнических устройствах, таких как светодиодные драйверы, блоки управления освещением и диммеры. Его высокая надежность и стабильность работы позволяют использовать его в различных условиях и контролировать яркость и цвет света.

Транзистор c5386 является универсальным и многофункциональным элементом, который может быть использован в различных электронных устройствах и схемах, где требуется надежное усиление и коммутация сигналов.

Основные параметры

• Тип: PNP
• Максимальное значение напряжения коллектор-эмиттер: 160 В
• Максимальное значение тока коллектора: 1 А
• Максимальная мощность потерь: 0,75 Вт
• Максимальная рабочая частота: 100 МГц
• Коэффициент усиления: от 60 до 300
• Температурный диапазон: -55°C до +150°C
• Корпус: TO-92

Благодаря своим характеристикам, транзистор c5386 может использоваться в различных приложениях, включая усилительные схемы, источники питания и другие электронные устройства.

Важно отметить, что транзистор c5386 обладает некоторыми отличительными особенностями, такими как:

Низкое время переключения: этот параметр позволяет транзистору быстро реагировать на изменения входного сигнала, что особенно важно для высокочастотных устройств.

Высокая стабильность параметров в широком температурном диапазоне: благодаря этому свойству, транзистор c5386 может использоваться в условиях экстремальных температурных условий.

Отличная линейность усиления: транзистор c5386 обладает высокой линейностью усиления сигнала, что делает его идеальным для использования в усилительных схемах.

В целом, транзистор c5386 является многофункциональным элементом, обладающим хорошими параметрами и способным работать в различных условиях.

Voltage specs

The terminal voltage specs of the C5198 transistor are collector to base and collector to emitter voltage value is 140V and emitter to base voltage is 5V, the voltage specs of the transistor shown that these transistors are good at POWER amplifiers.

The collector to emitter saturation voltage value is 0.3V to 2V, it is the region switching speed of the transistor.

The voltage specifications of the C5198 transistor are higher, this is why these transistors are used in POWER amplifier applications.

Current specs

The collector current value is 10A, and the current value of a transistor shows the maximum load capacity of the transistor.

The current value shows that the C5198 transistor is capable of switching applications.

Current gain specs

The current gain value of the C5198 transistor is 33 to 160hFE, it is the amplification capacity of a transistor device.

Transition frequency

The bandwidth transition frequency value of the C5198 transistor is 30MHz, this transistor had a low-frequency range.

Технические характеристики транзистора c5386

Основные параметры транзистора c5386:

• Тип: NPN
• Максимальная рабочая температура: 150°C
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vce): 200 В
• Максимальный коллекторный ток (Ic): 1.5 А
• Максимальный ток базы (Ib): 0.15 А
• Коэффициент усиления по току (hfe): от 40 до 400
• Максимальная мощность потерь (Pt): 1.25 Вт

Транзистор c5386 обладает низким уровнем шума и хорошей линейностью в усилительных схемах. Он применяется в устройствах средней и низкой мощности, таких как радиоприемники, аудиоусилители, сигнальные генераторы, устройства звуковоспроизведения и других электронных устройствах, где требуется надежная и стабильная работа.

Отличительные особенности транзистора c5386:

• Высокая надежность и длительный срок службы
• Малый уровень шума и искажений
• Хорошая тепловая стабильность
• Возможность использования в широком диапазоне температур и условий эксплуатации

Общая информация о транзисторе C5386

Параметры	Значение
Тип транзистора	NPN
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)	160 В
Максимальный коллекторный ток (Ic)	1.5 А
Максимальная мощность (Pd)	20 Вт
Коэффициент усиления по току (hfe)	100-300
Температурный коэффициент напряжения база-эмиттер (Vbe)	-1.8 мВ/°C
Максимальная рабочая частота (fT)	300 МГц
Конфигурация корпуса	TO-220

Транзистор C5386 пользуется популярностью в различных устройствах, включая усилители мощности, блоки питания и другие схемы, требующие высокого уровня усиления и низкого уровня шума. Благодаря своим характеристикам, он эффективно работает в низкочастотных приложениях.

Особенности транзистора Sec c5386

Одной из особенностей транзистора Sec c5386 является его высокая частотная пропускная способность. Он способен работать на частотах до нескольких гигагерц, что делает его идеальным для использования в усилителях высокой частоты и радиоаппаратуре.

Кроме того, транзистор Sec c5386 обладает высокой надежностью и долговечностью. Это позволяет использовать его в условиях повышенных нагрузок и экстремальных температурных условиях. Он также устойчив к воздействию влаги и других агрессивных веществ, что делает его подходящим для использования в различных промышленных и автомобильных приложениях.

Транзистор Sec c5386 обладает низким уровнем шума, что позволяет использовать его в чувствительных радиоаппаратах и коммуникационной технике. Он также имеет маленький размер и низкое потребление энергии, что делает его идеальным для компактных и портативных устройств.

В заключение, особенности транзистора Sec c5386 делают его универсальным и широко применяемым элементом в электронике. Он отличается высокой частотной пропускной способностью, надежностью, устойчивостью к агрессивным факторам, низким уровнем шума и низким потреблением энергии. Все это делает его незаменимым компонентом в различных электронных схемах и устройствах.

Описание Sec c5386

Sec c5386 обладает следующими характеристиками:

• Максимальное напряжение коллектора составляет 200 В;
• Максимальный коллекторный ток равен 1,5 А;
• Максимальная мощность потери составляет 1 Вт;
• Коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 520;
• Диапазон рабочих частот от 30 до 800 МГц;
• Быстрый переход от насыщения в отсечку.

Sec c5386 обладает высокой надежностью и точностью в работе. Он широко применяется в радиоэлектронике, телекоммуникациях и других областях, где требуется усиление и управление сигналами высоких частот. Благодаря своим особенностям, Sec c5386 позволяет эффективно контролировать и усиливать сигналы, обеспечивая высокое качество воспроизведения и передачи информации.

Характеристики Sec c5386

Параметр	Значение
Максимальное коллекторное напряжение (VCEO)	180 В
Максимальное базовое напряжение (VCBO)	150 В
Максимальное эмиттерное напряжение (VEBO)	6 В
Максимальный коллекторный ток (IC)	2 А
Максимальный базовый ток (IB)	0.2 А
Максимальная мощность (PC)	1 Вт
Максимальная рабочая температура (Tj)	150 °C

Sec c5386 обычно применяется в усилительных схемах, высокочастотных генераторах и других радиоэлектронных устройствах, где требуется надежное усиление радиосигналов и переключение. Отличительной особенностью транзистора Sec c5386 является его высокая рабочая частота и длительный срок службы при правильном применении и обслуживании.

Sec c5386 транзистор характеристики

1. Тип: Биполярный транзистор PNP

2. Напряжение коллектора-эмиттера (VCEO): 200 В

3. Ток коллектора (IC): 2 А

4. Мощность — потеря коллектора (PC): 25 Вт

5. Граничная рабочая частота (fT): 20 МГц

6. Коэффициент усиления по току (hFE): от 80 до 320

7. Температурный диапазон: от -55°C до +150°C

Sec c5386 транзистор широко используется в различных цепях усилителей, источниках питания, переключателях и других электронных устройствах. Его высокая рабочая частота (fT) делает его подходящим для использования в высокочастотных приложениях.

Sec c5386 обладает хорошими электрическими и термическими характеристиками, что позволяет ему обеспечивать стабильную и надежную работу в различных условиях.

Технические параметры транзистора C5386

Транзистор C5386 принадлежит к планарным кремниевым эпитаксиальным транзисторам NPN типа с базовым эмиттером и коллектором. Он предназначен для использования в различных электронных схемах и устройствах.

Основные технические характеристики транзистора C5386:

• Максимальное постоянное коллекторное напряжение: 300 В
• Максимальное постоянное эмиттерное напряжение: 300 В
• Максимальное постоянное базовое напряжение: 5 В
• Максимальный постоянный коллекторный ток: 1.5 А
• Максимальный постоянный базовый ток: 0.7 А
• Коэффициент усиления по току в активном режиме (h_FE): 60 — 560
• Мощность диссипации: 2 Вт
• Максимальная рабочая температура: 150°C

Транзистор C5386 может использоваться в различных применениях, таких как усилительные схемы, переключатели, стабилизаторы напряжения и другие. Он обладает хорошими электрическими и механическими свойствами, что обеспечивает его надежность и долговечность в работе.