3.2. Физические процессы в биполярном транзисторе типа p-n-p
Рассмотрим движение носителей заряда через структуру транзистора, которые
протекают в выводах эмиттера, базы и коллектора, при условии, что на
ЭП подано прямое напряжение, а на КП — обратное (т.е. транзистор работает
в активном режиме).
Значение токов, протекающих через структуру транзистора, определяется
не только напряжениями, которые подаются на эмиттерный и коллекторный
переходы, но и взаимодействием этих переходов между собой. Взаимодействие
переходов, в свою очередь, зависит от расстояния между ними, т.е. от
ширины области базы — W.
На рисунке 3.3 показаны движение носителей заряда в структуре p-n-p
транзистора и токи, протекающие во внешних выводах.
Если ширина базы W меньше диффузионной длины пробега неосновных носителей
заряда в базе (рис.3.3
), то значение тока, протекающего через КП, определяется следующими
причинами:
1) т.к. в этом случае ширина базы гораздо меньше ширины области коллектора,
то и количество неосновных носителей заряда, возникающих при данной
температуре в области базы ( ),
будет гораздо меньше количества неосновных носителей заряда, возникающих
в области коллектора ( ),
и можно считать, что
, где Jko
ток неосновных носителей заряда koп
2) дырки, которые диффузионно переходят из эмиттера в базу над снизившимся
потенциальным барьером эмиттерного перехода, в базе продолжают двигаться
диффузионно в основном в сторону коллекторного перехода. А т.к. ширина
базы меньше их диффузионной длины пробега, то они достигнут коллекторного
перехода в количестве тем больше, чем меньше ширина базы. Однако, вследствие
дисперсии, т.е. беспорядочного теплового движения носителей, какая-то
часть дырок не доходит до КП из-за процесса рекомбинации на поверхности,
у базового вывода или в толще базы, в следствии этого в цепи базы появляется
базовый ток .
Величина, характеризующая долю тока эмиттера, достигающую коллекторного
перехода. называется коэффициентом передачи постоянного тока эмиттера
и обозначается .
Тогда ток коллектора:
Таким образом, ток через КП для случая
(для p-n-p транзистора) является суммой двух составляющих — тока дырок,
инжектированных из эмиттера в базу, и нулевого коллекторного тока .
В толщине базы протекает
и рекомбинационный ток, но в силу того, что процесс рекомбинации в базе
резко уменьшается, рекомбинационная составляющая тока базы тоже мала
.
Соответственно во внешних выводах эмиттера, базы и коллектора будут
протекать токи:
вывод эмиттера ,
вывод коллектора ,
вывод базы
где — является
рекомбинационной составляющей тока базы, величина которой зависит от
величины прямого напряжения, приложенного к ЭП. — ток неосновных
носителей заряда, величина которого от приложенного напряжения почти
не зависит.
Если p-n-p транзистор, работающий как усилитель электрических колебаний,
включен в схему так, как это показано на рис.3.4, то включение последовательно
с источником
переменного напряжения
приведет к появлению переменных составляющих тока эмиттера ,
тока коллектора и
тока базы ,
которые будут накладываться на постоянные составляющие. Так же как и
постоянные токи, протекающие через p-n-p транзистор, переменные токи
являются функциями напряжения. Если на вход подается синусоидальное
напряжение, то оно вызовет синусоидальные изменения плотности дырок
в эмиттерном и коллекторном переходах, т.е. синусоидальные изменения
переменных токов эмиттера, коллектора и базы.
Переменный ток, протекающий через ЭП, равен сумме электронного и дырочного
токов, причем для p-n-p транзистора только дырочная составляющая проходит
последовательно ЭП, обладающий малым сопротивлением и КП, обладающий
большим сопротивлением, т.е. создает условия для усиления электрических
колебаний.
Поэтому на практике для характеристики усилительных свойств транзистора
пользуются коэффициентом передачи тока эмиттера или, как его иначе называют,
коэффициентом усиления по току a, который
является отношением общего коллекторного переменного тока к общему эмиттерному
переменному току в режиме короткого замыкания коллектора на базу по
переменному току.
, , , 2010 10 06, 129
| 06 2010 (34787 )
1NT01L-C150518 L10-11 F30U60DN KIT KM002/0603 cxp2201as STK412-230 875b-1c FDD03-15S4A FL10-5050W-24-60-IP20 D 2125 TSM 0505S TA7283AP upc2500 IRFS9N60ATRLPBF TMS320F2809PZA K3255 TRCF-24VDC-SB-A xc68hc11f1b4 DC/DC 5 STK7563FE LXN1601-6R wj112-1c uc3843 BM9222 2M214 39F LG irfp250 LPV 20-24 KIT NK037 c4468 c3884a LM317MQDCYR PFN2029-NM42A GPS 58050-05 -5 5 yageo 400 470 orega 40330 -66 10nb37lz HR IP2L10003 NRC3 ANSMANN ALCS 2-24 stth3003cfp ECAP 1500/550V 64130 FX2 HIT-AIC 64130B KX-3HT 18. 432 MHz PBF ATMega8515 -16JU 220 100V 40EPS08PBF EMIT1200L 100 MC145170 atmel ALAN 78 PLUS LEMM AT-106 midland Alan 100 Plus -41 maycom Megajet MJ-3031 M 27 — , 100 m-490plus / -5 eae 600 3207 CD Booster 797 megajet PIC16F628 pic PIC16F — pic16f84a «» 2007, -126 . 1 DS1990 10 Устройство реагирует на заданную температуру и позволяет включать\выключать различные приборы. Суммарная мощность нагрузки — 120Вт. Диапаз . vizit epson 220 10 pin usb fastmean Layot 5 2009 gsm regent 2012 Dpkjv VIZIT ghjuhfvvbhjdfybt ljvajyf dbpbn 2010 ࢄ?10 Vizit AT/ATX TDA7294 hflbj qrz ru Dragn sy550 vizit 2010 10 2140 37 — ; sprint layoout 21013 — 1 . 2008, ࢄ? 12, 4 , vizit 80 vizit 62 — — Ds1669 cd el 34 50 at 1421 380 — autocad max3232 ࢄ?10 2010 qcad CD-ROM bi-amping 232 ttl 522 ds18b20 com PIC16 ds 18b20 hd44780 0=30 1,0 P2-61 10 3 1-25 nnb101 aDSL 2-67 «» ( ) 2-35 06 2010 (34787 ) Copyright 2010 Created 0,05073 s. |
Мультивибратор на КТ315
Мультивибратор — это генератор широкой импульсной модуляции (или коротко ШИМ). Получается, что генератор будет выдавать сигнал либо постоянного плюса, либо постоянного минуса.
Принцип действий заключается в попеременном поступлении тока то к одному, то к другому светодиоду (их два). Частоту каждого из них можно менять (если резисторы будут разными, то и включение светодиодов тоже будет отличаться). Данная схема работает от напряжения 1,7 В до 16 В. Чтобы запустить схему понадобиться 3,2 В (этого будет достаточно, чтобы увидеть деятельность светодиодов).
Стоит отметить, что схема парная (2 конденсатора, 2 резистора, (2 RC-цепи), 2 светодиода), а вот значения транзисторов могут отличаться (от 220 Ом до 300 Ом), в таком случае схема все равно будет работать.
Надежная функциональность мультивибратора зависит от более высокого сопротивления одного из резисторов.
Отметим, что, чем больше сопротивление на переменном резисторе, тем больше будет мигать светодиод.
Аналоги КТ315
У транзистора имеется как отечественная замена, так и заграничная. Начнем с первой. Это КТ3102 (ТО-92). Он тоже кремниевый, с npn структурой, но с большей температурой (до +150 С), другим расположением диодов и более высокими электрическими возможностями. Можно сказать, что они, относительно, одинаковы.
Иностранные заменители: ВС547 (npn, высокочастотный (примерно в 300 МГц, когда у КТ315 — 250 МГц), расположение диодов как у КТ3102, температура до +150 С), PN2222 (300 МГц, цоколевка соответствует предыдущей, остальные характеристики примерно одинаковы с КТ315), 2SC9014 (температура от -55 С до +150 С, 270 МГц). Раньше зарубежные транзисторы выходили с корпусом КТ-13, но на данный момент таких уже не существует.
TR52 Транзистор D2499
| Со Лунг | 1-4 | 5-9 | >=10 |
|---|---|---|---|
| Гиа(VNĐ) | 15 000 | 14 000 | 13 000 |
— Сют Сю: Toshiba — Hiện Trạng: Кон повесить
- В настоящее время 2. 53/5
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
Đánh giá : 2.5 /5 (132 phiếu bầu)
Mô tả chi tiết
Tải về техническое описание D2499
Thông số kỹ thuật:
Модель: NPN – TO247(3P)
Điện áp cực đại: V CBO = 1500V
V CEO = 600 В
V EBO = 5 В
đại: I C = 6A
I B = 3A
C ông suất tối đa: P C = 50 Вт
Nhiệt độ лам việc: -55 или C ~ 150 или C
Транзистор D2499 được đó ng goi theo chuẩn TO247, thứ tự cac chân từ trai qua phải: B C E.
Транзистор D2499
Транзистор D2499 là một транзистор đáp ứng điện áp cao, độ tin cậy cao.
Транзистор D2499 транзистор Nghịch NPN
Транзистор D1710 có điện áp giới hạn lên tới Uce = 600 В, 9 0005 донг джин гий хан của Транзистор D1710 Ic = 6A . Транзистор D1710 có thể hoạt động ở dải nhiệt độ từ -55 o C ~ 150 o C. 90 005 Транзистор D1710 cóng cong suất lên tới 50W.
Транзистор Д2499
Sau khi bạn đặt mua hàng, chúng tôi sẽ gọi lại cho bạn vào giờ hành chín để xác nhận lại đơn hàng, phí vận chuyển và th И Джиан цзяо ханг. Sau khi bạn đồng ý và thanh toán đơn hàng, chung tôi sẽ tiến hành giao hàng cho ban. Nếu bạn cần tư vấn hay ngại đặt hàng bạn có thể lien hệ trực tiep qua горячая линия 0931.
Gởi bài viết cho bạn bee | Bản in
Ý kiến chia sẻ
- 28.000 VNĐ
- 15.000 VNĐ
- 15.000 VNĐ
- 9.000 VNĐ
- 2.500 VNĐ
- 5.500 VNĐ
- 10.000 VNĐ
- 6.000 VNĐ
- 5.000 донгов
- 1.000 VNĐ
- 2.
Транзисторный телевизор 2SD2499 со сменными полупроводниками – FixPart
Главная
>
Продукты
>
Обмен-полупроводник 2СД2499 транзисторный телевизор
Проверьте, совместим ли этот продукт с вашим устройством Более 1928 совместимых устройств
Выберите свой бренд
Акаи
Альтус
Арчелик
Ардем
Аудиосоник
Беко
Голубое небо
Куст
Клатроник
Дэу
Дантакс
Делтон
Двойной
Дирас
Эмерсон
Золотая Звезда
Грандин
Грюндиг
Харман Кардон
Hbelectronic
Хисава
Хайпсон
Hyundaiimagequest
Ингелен
JVC
кмк
Магнум
Мацуи
Орион
Панасоник
Плейсоник
Просоник
Рейнфорд
Рекорд-Европа
Оказывать
Родстар
Samsung
Санг
Саньо
Шаублоренц
морской путь
Начинать
Тевион
Тошиба
Юнайтед
Ватсон
Уинсон
Хитачи
Некерманн
ОП
Корона
LG
Веллтех
Домашняя техника
Медион
Оникс
Верио
Арктический
Континентальный
Эльта
Фунаи
Мейстер
Ноджинтех
Росс
Солнечно
Тесла
Айва
Евролайн
Гудманс
Фокус
Аг
Амс
Аудикс
Континенталедисон
Хендай
Икс
иррадио
Искра
Кейсмарт
Lselectronics
Отметка
Оклайн
Тихий океан
Универсальный
Винтел
Первая линия
Мтлоджик
принцесса
Аргос
Бертен
Соединять
Дюрабранд
пролин
Сункай
Атлантика
Каскад
Киновидение
Нео
Видеосон
Зрение
Тдаколор
Палладий
Звуковой цвет
Тенсай
Тристар
Горизонт
Техника
Тосуми
Итт
Альба
Брандт
ЭКГ
Эльба
Фригор
Европа
Фонола
Ceem
Максвелл
Арена
Лайфтек
Роялстар
Синудин
Техниссон
Желание
Аувисат
Стойки
Сакура
Феликс
Мастек
Промус
Санитрон
АЕГ
ДПМ
Минерва
Главный
Мираж
Королевский
видо
Никкей
Матрицаx
ганзейский
Хоэр
Меэлектроник
Шнайдер
Dce
Электрикко
Саба
Соник
Финлюкс
ТКМ
Никкай
Идеальный
Обеспечение
Спартак
Грец
Панавижн
Альтернативный вариант:
Оригинальный продукт
От 9,95 фунтов стерлингов |
Срок поставки от 5 до 6 недель.
Защита покупателя TrustedShops
Гарантированная посадка
Гарантия возврата денег!
Спецификация продукта
Производитель
Замена-полупроводник
Номер производителя
2SD2499
Описание производителя
D2499 to-3P-rohs-konform 9 0003
Категория продукта
Электрический компонент > полупроводник >
Бренд(ы) прибора
Akai, Altus, Arcelik, Ardem, Audiosonic, Beko, Bluesky, Bush, Clatronic, Daewoo, Dantax, Delton, Dual, Dyras, Emerson, Goldstar, Grandin, Grundig, Harman Kardon, Hbelectronic, Hisawa, Hypson, Hyundaiimagequest, Ingelen, JVC, Kmk, Magnum, Matsui, Orion, Panasonic, Playsonic, Prosonic, Rainford, Recordeuropa, Render, Roadstar, Samsung, Sang, Sanyo, Schaublorenz, Seaway, Start, Tevion, Toshiba, United, Watson, Winson, Hitachi, Neckermann, OVP, Crown, LG, Welltech, Hometech, Medion, Onyx, Veryo, Arctic, Continental, Elta, Funai, Meister, Nojintech, Ross, Sunny, Tesla, Aiwa, Euroline, Goodmans, Phocus, Ag, Ams, Audix, Continentaledison, Hyundai, Ics, Irradio, Iskra, Keysmart, Lselectronics, Mark, Okline, Pacific, Universal, Wintel, Firstline, Mtlogic, Princess, Argos, Berthen, Connect, Durabrand, Proline, Sunkai, Atlantic, Cascade, Cinevision, Neo, Videoson, Vision, Tdacolor, Palladium, Soundcolor, Tensai, Tristar, Horizont, Technics, Tosumi, Itt, Alba, Brandt, Ecg, Elbe, Frigor, Europa, Phonola, Ceem, Maxwell, Arena, Lifetec, Royalstar, Sinudyne, Technisson, Wish, Auvisat, Racks, Sakura, Felix, Mastec, Promus, Sanitron, AEG, Dpm, Minerva, Major, Mirage, Regal, Vido, Nikkei, Matrixx, Hanseatic, Hoher, Melectronic, Schneider, Dce, Electricco, Saba, Sonic, Finlux, Tcm, Nikkai, Perfect, Provision, Spartak, Graetz, Panavision
Тип(ы) прибора
Телевизор, монитор, прочее
Тип корпуса
TO-3P
Производитель
Inchange Semiconductor
Полярность
NPN
Тип соединения
Проходная установка
ROHS- konform
Да
Частота
2 МГц
Напряжение (Vcb)
1,5 кВ
Напряжение (Vce)
600 В
Макс.
600 В
Мощность
50 Вт
Макс. Сила тока
6 А
Макс. Температура
150 °C
Номер продукта
0000042992
Альтернативные продукты для телевизионного транзистора Inchange-semiconductor 2SD2499
Оригинальный продукт
Этот продукт произведен производителем оригинального продукта и имеет оригинальное качество.
Оригинальный продукт
Как работает FixPart?
1.
Введите марку и номер модели вашего прибора на нашем веб-сайте.
2.
Легко найти и заказать нужную запчасть.
3.
Быстрая доставка от 1 до 3 дней*
4.
Замените запчасть, и ваш прибор снова будет как новый!
Молодец! Благодаря вашему ремонту вы не только сэкономите деньги, но и сделаете личный вклад в зеленое будущее.
Нужна помощь с заказом или ремонтом? Свяжитесь с нами или посмотрите наши советы по ремонту.
FixPart использует файлы cookie. Когда вы продолжите, вы принимаете использование этого. Ознакомьтесь с нашей политикой конфиденциальности и использования файлов cookie для получения дополнительной информации.
Закрыть
Усилитель на КТ315
Для создания усилителя, представленного на схеме, нужен один КТ315, один конденсатор (1 мкФ), один резистор и mini Jack.
На схеме видно, что отрицательное питание и один из двух ходов mini Jack надо припаять к эмиттеру (левая ножка).
Ко второму ходу mini Jack присоединяем “плюсом” конденсатор, а его “минус” припаиваем к базе. Дальше мы переходим к резистору. Одна его сторона должна быть прикреплена к первому колоночному проводу (другой ход колоночного провода — к коллектору), а второй — к отрицательному ходу конденсатора. К соединению провода от колонки и резистора добавляется плюсовой провод.
Теперь можно вставлять разъем в колонку и наслаждаться улучшенным и громким звуком.
Проверка работоспособности КТ315
Иногда КТ315 может быть нерабочим из-за пробитого или закороченного перехода, поэтому перед использованием стоит проверить его np-переходы мультиметром. Отрицательный щуп прикрепляется к базе, а положительный — на выбор (коллектор или эмиттер). Если диоды исправны, то их значения должны быть не близки нулю, а также отсутствие пищания мультиметра.
Проверка работоспособности КТ361
Поскольку эти транзисторы часто применяются вместе, то исправность КТ361 тоже нужно узнать
Очень важно запомнить, что КТ361 противоположен 315, из-за чего работа должна совершаться наоборот. Здесь отрицательный щуп прикрепляется к коллектору (или эмиттеру), а положительный — к базе
Показатели должны быть не близки к нулю, мультиметр не должен сигнализировать (как и в предыдущем разделе).
Какие бывают стандарты маркировки
Маркировка, которая наносится на корпус SMD-элементов, как правило, отличается от их фирменных названий. Причина банальная – нехватка места из-за миниатюрности корпуса. Проблема особенно актуальна для ЭРЭ, которые размещаются в корпусах с шестью и менее выводами.
Это миниатюрные диоды, транзисторы, стабилизаторы напряжения, усилители и т.д. Для разгадки “что есть что” требуется проводить настоящую экспертизу, ведь по одному маркировочному коду без дополнительной информации очень трудно идентифицировать тип ЭРЭ. С момента появления первых SMD-приборов прошло более 20 лет.
Несмотря на все попытки стандартизации, фирмы-изготовители до сих пор упорно изобретают все новые разновидности SMD-корпусов и бессистемно присваивают своим элементам маркировочные коды.
Полбеды, что наносимые символы даже близко не напоминают наименование ЭРЭ, – хуже всего, что имеются случаи “плагиата”, когда одинаковые коды присваивают функционально разным приборам разных фирм.
| Тип | Наименование ЭРЭ | Зарубежное название |
| A1 | Полевой N-канальный транзистор | Feld-Effect Transistor (FET), N-Channel |
| A2 | Двухзатворный N-канальный полевой транзистор | Tetrode, Dual-Gate |
| A3 | Набор N-канальных полевых транзисторов | Double MOSFET Transistor Array |
| B1 | Полевой Р-канальный транзистор | MOS, GaAs FET, P-Channel |
| D1 | Один диод широкого применения | General Purpose, Switching, PIN-Diode |
| D2 | Два диода широкого применения | Dual Diodes |
| D3 | Три диода широкого применения | Triple Diodes |
| D4 | Четыре диода широкого применения | Bridge, Quad Diodes |
| E1 | Один импульсный диод | Rectifier Diode |
| E2 | Два импульсных диода | Dual |
| E3 | Три импульсных диода | Triple |
| E4 | Четыре импульсных диода | Quad |
| F1 | Один диод Шоттки | AF-, RF-Schottky Diode, Schottky Detector Diode |
| F2 | Два диода Шоттки | Dual |
| F3 | Три диода Шоттки | Tripple |
| F4 | Четыре диода Шоттки | Quad |
| K1 | “Цифровой” транзистор NPN | Digital Transistor NPN |
| K2 | Набор “цифровых” транзисторов NPN | Double Digital NPN Transistor Array |
| L1 | “Цифровой” транзистор PNP | Digital Transistor PNP |
| L2 | Набор “цифровых” транзисторов PNP | Double Digital PNP Transistor Array |
| L3 | Набор “цифровых” транзисторов | PNP, NPN | Double Digital PNP-NPN Transistor Array |
| N1 | Биполярный НЧ транзистор NPN (f < 400 МГц) | AF-Transistor NPN |
| N2 | Биполярный ВЧ транзистор NPN (f > 400 МГц) | RF-Transistor NPN |
| N3 | Высоковольтный транзистор NPN (U > 150 В) | High-Voltage Transistor NPN |
| N4 | “Супербета” транзистор NPN (г“21э > 1000) | Darlington Transistor NPN |
| N5 | Набор транзисторов NPN | Double Transistor Array NPN |
| N6 | Малошумящий транзистор NPN | Low-Noise Transistor NPN |
| 01 | Операционный усилитель | Single Operational Amplifier |
| 02 | Компаратор | Single Differential Comparator |
| P1 | Биполярный НЧ транзистор PNP (f < 400 МГц) | AF-Transistor PNP |
| P2 | Биполярный ВЧ транзистор PNP (f > 400 МГц) | RF-Transistor PNP |
| P3 | Высоковольтный транзистор PNP (U > 150 В) | High-Voltage Transisnor PNP |
| P4 | “Супербета” транзистор PNP (п21э > 1000) | Darlington Transistor PNP |
| P5 | Набор транзисторов PNP | Double Transistor Array PNP |
| P6 | Набор транзисторов PNP, NPN | Double Transistor Array PNP-NPN |
| S1 | Один сапрессор | Transient Voltage Suppressor (TVS) |
| S2 | Два сапрессора | Dual |
| T1 | Источник опорного напряжения | “Bandgap”, 3-Terminal Voltage Reference |
| T2 | Стабилизатор напряжения | Voltage Regulator |
| T3 | Детектор напряжения | Voltage Detector |
| U1 | Усилитель на полевых транзисторах | GaAs Microwave Monolithic Integrated Circuit (MMIC) |
| U2 | Усилитель биполярный NPN | Si-MMIC NPN, Amplifier |
| U3 | Усилитель биполярный PNP | Si-MMIC PNP, Amplifier |
| V1 | Один варикап (варактор) | Tuning Diode, Varactor |
| V2 | Два варикапа (варактора) | Dual |
| Z1 | Один стабилитрон | Zener Diode |
Технические характеристики
На предельно допустимые характеристики 2SD2499 стоит обратить внимание в первую очередь. Их превышение, так же как и длительная эксплуатация на максимальных рабочих режимах, приводит к сокращению сроков полезного использования или порче изделия
Именно их производитель указывает в даташит в самом начале. Приведём наиболее важные из них.
Предельно допустимые
D2499 имеет следующие предельно допустимые значения параметров (при ТA =+25 ОС) :
Максимальное напряжение:
- К-Б VCBO (Uкб max) до 1500 В;
- К-Э VCEO (Uкэ max) до 600 В;
- Э-Б VEBO (Uэб max) до 5 В;
Ток коллектора:
- IC (Iк max) до 6 А;
- ICМ (Iк пик) до 12 А;
- ток базы IВ (IБ max) до 3 А;
- рассеиваемая мощность (при ТC= +25ОС) РС (Рк max) до 50 Вт;
- диапазон рабочих температур TSTG от -55 до 150ОС;
- температура кристалла TJ до + 150ОС.
Электрические
После предельных значений в даташит на D2499 представлены номинальные параметры устройства «Электрические характеристики», при которых производитель гарантирует его стабильную работу. Для рассматриваемого изделия они указываются в отдельной таблице при температуры окружающей среды (ТA) до +25oС.
У отдельных производителей можно увидеть для максимальной температуры кристалла (ТC).
Несколько слов о деталях:
При сборке усилителя, в качестве конденсаторов постоянной ёмкости (помимо электролитических), желательно применять слюдяные конденсаторы. Например типа КСО, такие, как ниже на рисунке.
Транзисторы МП40А можно заменить на транзисторы МП21, МП25, МП26. Транзисторы ГТ402Г – на ГТ402В; ГТ404Г – на ГТ404В; Выходные транзисторы ГТ806 можно ставить любых буквенных индексов. Применять более низкочастотные транзисторы типа П210, П216, П217 в этой схеме не рекомендую, поскольку на частотах выше 10кГц они здесь работают плоховато (заметны искажения), видимо, из-за нехватки усиления тока на высокой частоте.
Площадь радиаторов на выходные транзисторы должна быть не менее 200 см2, на предоконечные транзисторы не менее 10 см2. На транзисторы типа ГТ402 радиаторы удобно делать из медной (латунной) или алюминиевой пластины, толщиной 0,5 мм, размером 44х26.5 мм.
Пластина разрезается по линиям, потом этой заготовке придают форму трубки, используя для этой цели любую подходящую цилиндрическую оправку (например сверло). После этого заготовку (1) плотно надевают на корпус транзистора (2) и прижимают пружинящим кольцом (3), предварительно отогнув боковые крепёжные ушки.
Кольцо изготовляется из стальной проволоки диаметром 0,5-1,0 мм. Вместо кольца можно использовать бандаж из медной проволоки. Теперь осталось загнуть снизу боковые ушки для крепления радиатора за корпус транзистора и отогнуть на нужный угол надрезанные перья.
Подобный радиатор можно также изготовить и из медной трубки, диаметром 8мм. Отрезаем кусок 6…7см, разрезаем трубку вдоль по всей длине с одной стороны. Далее на половину длины разрезаем трубку на 4 части и отгибаем эти части в виде лепестков и плотно надеваем на транзистор.
Так как диаметр корпуса транзистора где-то 8,2 мм, то за счёт прорези по всей длине трубки, она плотно оденется на транзистор и будет удерживаться на его корпусе за счёт пружинящих свойств. Резисторы в эмиттерах выходного каскада – либо проволочные мощностью 5 Вт, либо типа МЛТ-2 3 Ом по 3шт параллельно. Импортные пленочные использовать не советую – выгорают мгновенно и незаметно, что ведет к выходу из строя сразу нескольких транзисторов.
Проверка работоспособности
Вопрос о том, как проверить строчный транзистор d2499 мультиметром и определить его исправность встречается очень часто. На практике его тестируют стандартным способом, как обычный биполяник, но при этом есть свои нюансы. Рассмотрим их подробнее, они характерны для большинства подобных устройств.
Так как структура нашего строчника NPN, то для начала необходимо установить мультиметр в режим «прозвонки диодов». Отрицательный щуп (черный) ставим на вывод К, а положительным (красным) соединяем с контактом Б. На тестере, при этом, должно появится небольшое падение напряжения. При смене полярности будет отображаться цифра «1», КЗ быть не должно.
Далее надо проверить переход Б-Э. Ставим красный щуп на контакт Э, черный остаётся на Б. Так как между выводами Б и Э стоит резистор, то мультиметр будет пищать, сигнализируя прохождение тока. Необходимо проверить сопротивление на этом участке, оно должно быть в пределах от 40 до 50 Ом.
Между выводов К-Э установлен демпферный диод и это надо учитывать. В режиме «прозвонки диодов» на тестере отображается падение напряжения. Сопротивление между этими контактами транзистора замеряется на пределе до 200 MОм. У оригинального 2SD2499 оно составляет более 150 MОм. И чем выше это значение, тем лучше.
Пример проверки похожих строчных транзисторов можно посмотреть в видеоролике.
https://youtube.com/watch?v=tOqGtf7yT5U
C5249 Datasheet PDF — Sanken electric
| Part Number | C5249 | |
| Description | NPN Transistor — 2SC5249 | |
| Manufacturers | Sanken electric | |
| Logo | ||
|
There is a preview and C5249 download ( pdf file ) link at the bottom of this page. Total 1 Pages |
|
Preview 1 page
No Preview Available !
www.DataSheet.co.kr Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (High Voltage Switchihg Transistor) Application : Switching Regulator and General Purpose sAbsolute maximum ratings (Ta=25°C) Symbol VCBO 600 V VCEO 600 V VEBO 7 V IC 3(Pulse6) A IB 1.5 A PC 35(Tc=25°C) Tstg –55 to +150 sElectrical Characteristics Symbol ICBO VCB=600V IEBO V(BR)CEO VEB=7V IC=10mA hFE VCE=4V, IC=1A VCE(sat) IC=1A, IB=0.2A VBE(sat) IC=1A, IB=0.2A fT VCE=12V, IE=–0.3A COB VCB=10V, f=1MHz (Ta=25°C) 100max µA 100max µA 600min V 0.5max V 1.2max V 6typ MHz 50typ pF sTypical Switching Characteristics (Common Emitter) VCC RL IC VBB1 VBB2 IB1 (V) (Ω) (A) (V) (V) (A) 200 200 1 10 –5 0.1 IB2 (A) ton (µs) 1.0max tstg (µs) 19max tf (µs) 1.0max External Dimensions FM20(TO220F) 10.1±0.2 4.2±0.2 2.8 c0.5 ø3.3±0.2 a 1.35±0.15 1.35±0.15 2.54 2.4±0.2 2.2±0.2 Weight : Approx 2.0g I C– V CE Characteristics (Typical) 3 300mA 200mA IB=20mA VCE(sat)–IC Characteristics (Typical) 0.5 IC/IB=5 Const. I C– V BE Temperature Characteristics (Typical) (VCE=4V) 3 0 1 2 34 Collector-Emitter Voltage VCE(V) 0.01 0.05 0.1 Collector Current IC(A) 0 0.5 1.0 Base-Emittor Voltage VBE(V) h FE– I C Characteristics (Typical) (VCE=4V) 200 Collector Current IC(A) 1 t on• t stg• t f– I C Characteristics (Typical) 30 VCC 200V 5 IC:IB1:–IB2=10:1:1 tstg 1 ton tf 0.5 1 Collector Current IC(A) 3 θ j-a– t Characteristics 3 Safe Operating Area (Single Pulse) 7 Collector-Emitter Voltage VCE(V) Reverse Bias Safe Operating Area –IB2=–1.0A Duty:less than 1% Collector-Emitter Voltage VCE(V) Pc–Ta Derating 0 25 50 |
|
On this page, you can learn information such as the schematic, equivalent, pinout, replacement, circuit, and manual for C5249 electronic component. |
| Information | Total 1 Pages |
| Link URL | |
| Download |
Share Link :
Electronic Components Distributor
|
An electronic components distributor is a company that sources, stocks, and sells electronic components to manufacturers, engineers, and hobbyists. |
| SparkFun Electronics | Allied Electronics | DigiKey Electronics | Arrow Electronics |
| Mouser Electronics | Adafruit | Newark | Chip One Stop |