C4467 datasheet pdf ( pinout ) - npn transistor

C4467 Datasheet PDF — Allegro Micro Systems

Part Number	C4467
Description	NPN Transistor — 2SC4467
Manufacturers	Allegro Micro Systems
Logo
There is a preview and C4467 download ( pdf file ) link at the bottom of this page. Total 1 Pages

Preview 1 page

No Preview Available !

www.DataSheet4U.com
2SC4467

Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SA1694)

Application : Audio and General Purpose

sAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Symbol
2SC4467
Unit

VCBO 160 V

VCEO 120 V

VEBO

Tstg

6
8
3
80(Tc=25°C)
150
–55 to +150
V
A
A
W
°C
°C

sElectrical Characteristics

(Ta=25°C)
Symbol

ICBO

IEBO

V(BR)CEO

hFE

VCE(sat)

COB

Conditions

VCB=160V

VEB=6V

IC=50mA

VCE=4V, IC=3A

IC=3A, IB=0.3A

VCE=12V, IE=–0.5A

VCB=10V, f=1MHz

2SC4467

10max

120min

50min∗

1.5max

20typ

200typ

Unit

µA

V
V
MHz
pF

∗hFE Rank O(50 to100), P(70 to140), Y(90 to180)

sTypical Switching Characteristics (Common Emitter)

VCC

VBB1

VBB2

IB1

(V)

(Ω) (A)

(V)
(V) (A)
40 10 4 10 –5 0.4

IB2 ton tstg tf

(A) (µs) (µs) (µs)

–0.4 0.13typ 3.50typ 0.32typ

External Dimensions MT-100(TO3P)

15.6±0.4

9.6

4.8±0.2

2.0±0.1

a ø3.2±0.1

b
2
3
1.05
+0.2
-0.1
0.65
+0.2
-0.1

5.45±0.1

1.4
BCE
Weight : Approx 6.0g
a. Type No.
b. Lot No.

I C– V CE Characteristics (Typical)

8
150mA
100mA
75mA
6
50mA
4
20mA
2

IB=10mA

0 12 34

Collector-Emitter Voltage VCE(V)

V CE( s a t ) – I B Characteristics (Typical)

I C– V BE Temperature Characteristics (Typical)

(VCE=4V)

8
2
1

IC=8A

4A
2A

0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0

Base Current IB(A)

6
4
2

0 0.5 1.0 1.5

Base-Emittor Voltage VBE(V)

h FE– I C Characteristics (Typical)

200

(VCE=4V)

Typ
100
50

h FE– I C Temperature Characteristics (Typical)

200
125˚C

(VCE=4V)

100 25˚C
–30˚C
50

θ j-a– t Characteristics

3
1
0.5
20
0.02
0.1 0.5 1

Collector Current IC(A)

58
20
0.02
0.1 0.5 1

Collector Current IC(A)

58
0.3
1
10 100
Time t(ms)
1000

f T– I E Characteristics (Typical)

(VCE=12V)

40
30
Typ
20
10

–0.02
–0.1
–1

Emitter Current IE(A)

–8

Safe Operating Area (Single Pulse)

20
10ms

10 100ms

5
DC
1
0.5
Without Heatsink
Natural Cooling
0.1
5 10
50 100 200

Collector-Emitter Voltage VCE(V)

Pc–Ta Derating
80
60
40
20
Without Heatsink
3.5

0 25 50
75 100 125
Ambient Temperature Ta(˚C)
150
107

On this page, you can learn information such as the schematic, equivalent, pinout, replacement, circuit, and manual for C4467 electronic component.

Information	Total 1 Pages
Link URL
Product Image and Detail view	1. NPN Transistor, 2SC4467 — Sanken
Download

Share Link :

Electronic Components Distributor

An electronic components distributor is a company that sources, stocks, and sells electronic components to manufacturers, engineers, and hobbyists.

SparkFun Electronics	Allied Electronics	DigiKey Electronics	Arrow Electronics
Mouser Electronics	Adafruit	Newark	Chip One Stop

Теория импульсных блоков питания

В обычных источниках питания изменение напряжения и гальваническая развязка выполнялись на трансформаторе со стальным сердечником, работающим на частоте 50 Гц, полупроводниковым выпрямителем и линейным стабилизатором напряжения.

Однако КПД этой схемы очень низкий (не превышает 50%), большая часть мощности преобразуется в тепло в трансформаторе, диоде и аналоговом стабилизаторе. Большая номинальная выходная мощность требует наличия сетевого трансформатора повышенного размера и большой потери тепла. Этого неудобства можно избежать, увеличив рабочую частоту до нескольких сотен кГц и заменив регулятор напряжения электронным ключом с интеллектуальным управлением. Их задача – преобразовать сетевое напряжение в постоянное, а затем в выпрямленное напряжение, выполняемое быстрым переключением транзисторов. В результате получается высокочастотное прямоугольное напряжение, которое преобразуется импульсным трансформатором и выпрямителем.

Стабилизация выходной мощности достигается изменением ширины импульса при постоянной частоте или включением переключения в определенные периоды времени в зависимости от нагрузки схемы. Наиболее важные преимущества SMPS, сравнимые с обычными блоками питания:

малый вес, уменьшенный объем, повышенная эффективность
малая емкость фильтрующих конденсаторов для высоких частот переключения
отсутствие слышимых помех из-за того, что частота переключения находится за пределами слышимого диапазона
простое управление различными выходными напряжениями
легко снижать высокое сетевое напряжение

С развитием мощных транзисторов с быстрой коммутацией для высоких частот, стало возможным использовать ИИП, работающие на частотах до 1 МГц. С помощью этого типа резонансных трансформаторов рабочие частоты могут быть увеличены даже до 3 МГц. Тем не менее, эти преимущества уменьшаются из-за нежелательного высокочастотного излучения, а также из-за более низкой скорости реакции на возможные изменения нагрузки.

Эта тенденция привела к разработке новых ферритов Mn-Zn с очень мелкой структурой зерен и материалов с уменьшенными гистерезисными потерями, что позволяет передавать мощность в диапазоне от 1 до 3 МГц. Высокие рабочие частоты приводят к дальнейшему уменьшению размеров ядер и, следовательно, всего блока питания. Новый принцип конструкции в планарной технологии позволяет изготавливать высокочастотные трансформаторы с кардинально уменьшенными размерами (плоские трансформаторы, низкопрофильные трансформаторы). Эта технология оказывает сильное влияние на разработку преобразователей постоянного и переменного тока, а также на производство гибридных импульсных источников питания.

Но вернёмся к теории. Импульсный источник питания работает контролируя среднее напряжение, подаваемое на нагрузку. Это делается путем размыкания и замыкания переключателя (обычно мощного полевого транзистора) на высокой частоте. Система более известна как широтно-импульсная модуляция – ШИМ. Схема ШИМ – самая важная, которая отличает этот тип блока питания, поэтому стоит вспомнить хотя бы само название.

На приведенной диаграмме показаны идеи, лежащие в основе работы ШИМ, и ее довольно просто понять: V = напряжение, T = период, t (вкл.) = длительность импульса. Среднее напряжение приложенное к нагрузке, можно объяснить следующей формулой:

Vo (av) = (t (on) / T) x Vi

Импульсы следуют друг за другом быстро (это порядка многих кГц, то есть тысячи раз в секунду), и для того, чтобы нагрузка не видела внезапных импульсов, необходимы конденсаторы, обеспечивающие относительно постоянный уровень напряжения. Уменьшение времени t (on) вызывает уменьшение среднего значения выходного напряжения Vo (av) и наоборот – увеличение длительности высокого вольтажного состояния t (on) увеличивает выходное напряжение Vo (av).

Частота, с которой работает ШИМ, обычно находится в диапазоне от 30 кГц до 150 кГц, но может быть намного выше.

Тиристоры и симисторы

Тиристор
— это полупроводниковый прибор, который может находится в двух
состояниях:

открытом — пропускает ток, но только в одном направлении,
закрытом — не пропускает ток.

Так как тиристор пропускает ток только в одном направлении, для
включения и выключения нагрузки он подходит не очень хорошо. Половину
времени на каждый период переменного тока прибор простаивает. Тем не
менее, тиристор можно использовать в диммере. Там он может применяться
для управления мощностью, отсекая от волны питания кусочек требуемой
мощности.

Симистор — это, фактически двунаправленный тиристор. А значит он
позволяет пропускать не полуволны, а полную волну напряжения питания
нагрузки.

Открыть симистор (или тиристор) можно двумя способами:

подать (хотя бы кратковременно) отпирающий ток на управляющий электрод;
подать достаточно высокое напряжение на его «рабочие» электроды.

Второй способ нам не подходит, так как напряжение питания у нас будет
постоянной амплитуды.

После того, как симистор открылся, его можно закрыть поменяв
полярность или снизив ток через него то величины, меньшей чем так
называемый ток удержания. Но так как питание организовано переменным
током, это автоматически произойдёт по окончании полупериода.

При выборе симистора важно учесть величину тока удержания
(\(I_H\)). Если взять мощный симистор с большим током удержания, ток
через нагрузку может оказаться слишком маленьким, и симистор просто не
откроется

Производители

Daya Electric Group; DCCOM (Dc Components); Futurlec; HTSEMI (Shenzhen Jin Yu Semiconductor); KEXIN (Guangdong Kexin Industrial); Kisemiconductor (Kwang Myoung I.S.); Micro Electronics; NEC; Rectron Semiconductor; SECO (SeCoS Halbleitertechnologie GmbH); Stanson Technology; TGS (Tiger Electronic); UTC (Unisonic Technologies); Weitron Technology; Willas Electronic Corp; Winnerjoin (Shenzhen Yongerjia Industry).

Аналоги транзистор C945

Type	Mat	Struct	Pc	Ucb	Uce	Ueb	Ic	Tj	Ft	Cc	Hfe	Caps
2DC2412R	Si	NPN	0.3	50	0.15	180	180	SOT23
2SC1623RLT1	Si	NPN	0.3	60	50	7	0.15	150	180	3	180	SOT23
2SC1623SLT1	Si	NPN	0.3	60	50	7	0.15	150	180	3	270	SOT23
2SC2412-R	Si	NPN	0.2	60	50	7	0.15	150	180	2	180	SOT23
2SC2412-S	Si	NPN	0.2	60	50	7	0.15	150	180	2	270	SOT23
2SC2412KRLT1	Si	NPN	0.2	60	50	7	0.15	150	180	2	180	SOT23
2SC2412KSLT1	Si	NPN	0.2	60	50	7	0.15	150	180	2	270	SOT23
2SC945LT1	Si	NPN	0.23	60	50	5	0.15	150	150	2.2	200	SOT23
2SD1501	Si	NPN	1	70	1	150	250	SOT23
2STR1160	Si	NPN	0.5	60	60	5	1	150	250	SOT23
50C02CH-TL-E	Si	NPN	0.7	60	50	5	0.5	150	500	2.8	300	SOT23
BRY61	Si	PNPN	0.25	70	70	70	0.175	150	1000	SOT23
BSP52T1	Si	NPN	1.5	100	80	5	0.5	150	150	5000	SOT23
BSP52T3	Si	NPN	1.5	100	80	5	0.5	150	150	5000	SOT23
C945	Si	NPN	0.2	60	50	5	0.15	150	150	3	130	SOT23
DNLS160	Si	NPN	0.3	60	1	150	200	SOT23
DTD123	Si	Pre-Biased-NPN	0.2	50	0.5	150	200	250	SOT23
ECG2408	Si	NPN	0.2	60	65	0.3	150	300	300	SOT23
FMMT493A	Si	NPN	0.5	60	1	150	500	SOT23
FMMTL619	Si	NPN	0.5	50	1.25	180	300	SOT23
L2SC1623RLT1G	Si	NPN	0.225	60	50	7	0.15	150	250	3	180	SOT23
L2SC1623SLT1G	Si	NPN	0.225	60	50	7	0.15	150	250	3	270	SOT23
L2SC2412KRLT1G	Si	NPN	0.2	60	50	7	0.15	150	180	2	180	SOT23
L2SC2412KSLT1G	Si	NPN	0.2	60	50	7	0.15	150	180	2	270	SOT23
MMBT945-H	Si	NPN	0.2	60	50	5	0.15	150	150	3	200	SOT23
MMBT945-L	Si	NPN	0.2	60	50	5	0.15	150	150	3	130	SOT23
NSS60201LT1G	Si	NPN	0.54	60	4	150	SOT23
ZXTN19100CFF	Si	NPN	1.5	100	4.5	150	200	SOT23F
ZXTN25050DFH	Si	NPN	1.25	50	4	200	240	SOT23
ZXTN25100DFH	Si	NPN	1.25	100	2.5	175	300	SOT23