Рабочие режимы IRF740
Uзи (напряжение) бывает или нулевым, или обратным. Второе помогает прикрыть транзистор, поэтому и применяется внутри усилителей группы А и иных схемах с плавным регулированием.
В так называемом режиме отсечки Uзи=Uотсечки. Тогда для всех приборов оно разное, хоть и прилагается в обратную сторону.
Типы подключений
По аналогии с биполярниками, у рассматриваемого устройства есть 3 варианта подключения:
- С одним истоком. Самая распространенная схема, усиливает ток и мощность.
- С одним затвором. Непопулярный вариант. Небольшое напряжение входа, усиление отсутствует.
- С одним стоком. Напряжение усиливается почти на 100%, сильное сопротивление входа, маленькое — выхода. По-другому схема называется токовым повторителем.
Аналоги
Для замены C4106 могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, мезапланарные, предназначенные для использования в переключающих устройствах, импульсных модуляторах, мощных преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения.
Отечественное производство
| Тип | PC | UCB | UCE | UBE | IC/ICP | TJ | UCE (sat) | UBE (sat) | fT | Cob | hFE | Корпус | Временные параметры: ton / tstg / tf мкс |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SC4106 | 50 | 500 | 400 | 7 | 7 / 14 | 150 | 0,8 | 1,5 | 20 | 80 | 10…50 | TO-220C | 0,5 / 2,5 / 0,3 |
| КТ840А | 60 | 900 | 400 | 5 | 6 / 8 | 150 | 0,6 | 1,5 | 8…15 | — | 10…100 | TO-3 | 0,2 / 3,5 / 0,6 |
| КТ840Б | 750 | 350 | 5 | — | |||||||||
| КТ840В | 800 | 375 | 5 | — | |||||||||
| КТ841А | 50 | 600 | 350 | 5 | 10 / 15 | 150 | 1,5 | 2,2 | 10…25 | 300 | 12…45 | TO-3 | 0,08 / 0,8 / 0,5 |
| КТ841Е | 800 | 400 | |||||||||||
| КТ841Д | 500 | 400 | |||||||||||
| КТ854А | 60 | 600 | 500 | 5 | 10 / 15 | 150 | 2 | — | 10 | — | 20 | TO-220AB | — |
| 2Т856А | 125 | — | 950 | 5 | 10 / 12 | — | 1,5 | — | — | — | 10…60 | TO-3 | — / — / 0,5 |
| 2Т856Б | — | 750 | — | — | — | — | |||||||
| 2Т856В | — | 550 | — | — | — | — | |||||||
| 2Т856Г | — | 850 | — | — | — | — | |||||||
| КТ858А | 60 | 400 | 400 | 6 | 7 / 10 | 150 | 1 | 1,2 | — | — | 10 | TO-220AB | — / 2,5 / 0,75 |
| КТ859А | 40 | 800 | 800 | 10 | 3 / 4 | 150 | 1,5 | 1,4 | — | — | 10 | TO-220AB | 0,35 / 3,5 / 0,35 |
| КТ862В | 50 | 600 | 400 | 5 | 10 / 15 | 150 | 1,5 | 1,6 | 20…30 | 250 | 12…50 | TO-3 | 0,4 / 2 / 0,5 |
| КТ868А | 70 | 900 | 400 | 5 | 6 / 8 | 150 | 1,5 | — | 8 | — | 10…100 | TO-3 | — |
| КТ868Б | 750 | 375 | 6 / 8 | 150 | — | — | — | ||||||
| КТ8110 | 60 | 500 | 500 | 7 | 7 / 14 | 175 | 0,8 | 1,5 | — | — | 15…30 | — | 0,7 / 2,5 / 0,7 |
Зарубежное производство
| Тип | PC | UCB | UCE | UBE | IC/ICP | TJ | UCE (sat) | UBE (sat) | fT | Cob | hFE | Корпус | Временные параметры: ton / tstg / tf мкс |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SC4106 | 50 | 500 | 400 | 7 | 7 / 14 | 150 | 0,8 | 1,5 | 20 | 80 | 10…50 | TO-220C | 0,5 / 2,5 / 0,3 |
| 2SC3158 | 60 | 500 | 400 | 7 | 7 | — | 1 | 1,2 | — | — | 20 | TO-220F | 1 / 2,5 / 1 |
| 2SC4055 | 60 | 600 | 450 | 7 | 8 | 180 | 1 | 1,5 | 20 | — | 100 | TO-220 | 0,5 / 2 / 0,2 |
| 2SC4105 | 40 | 500 | 400 | 7 | 4 / 8 | 150 | 0,8 | 1,5 | 20 | 50 | 10…50 | TO-220C | 0,5 / 2,5 / 0,3 |
| 2SC4107 | 60 | 500 | 400 | 7 | 10 / 20 | 150 | 0,8 | 1,5 | 20 | 120 | 10…50 | TO-220C | 0,5 / 2,5 / 0,3 |
| 2SC4108 | 100 | 500 | 400 | 7 | 12 / 25 | 150 | 0,8 | 1,5 | 20 | 160 | 10…50 | TO-3PB | 0,5 / 2,5 / 0,3 |
| 2SC4109 | 140 | 500 | 400 | 7 | 16 / 32 | 150 | 0,8 | 1,5 | 20 | 230 | 10…50 | TO-3PN | 0,5 / 2,5 / 0,3 |
| 3DK3039 | 50 | 500 | 400 | 7 | 7 | 175 | 1 | 1,5 | — | — | 25 | TO-220 ٭ | 1 / — / 1 |
| SGSD00020 | 70 | 650 | 400 | — | 8 | 175 | — | — | — | — | 1000 | TO-220 | — |
| SGSF341 | 85 | 850 | 400 | — | 10 | 175 | — | — | — | — | — | TO-220 | — |
| SGSF343 | 85 | 1000 | 450 | — | 8 | 175 | — | — | — | — | — | TO-220 | — |
| SGSF344 | 85 | 1200 | 600 | 7 | 7 | 175 | 1,5 | 1,5 | — | — | — | TO-220 | 1,2 / 3,5 / 0,4 |
| SM2175 | 60 | — | 400 | — | 15 | 200 | — | — | 20 | — | 200 | TO-220 | — |
| BUL128 | 70 | 700 | 400 | 9 | 4 / 8 | 150 | 1,5 | 1,3 | — | — | 10…40 | TO-220 | — / 3 / 0,4 |
| BUL128B-D | 70 | 700 | 400 | 9…18 | 4 / 8 | 150 | 1,5 | 1,3 | — | — | 10…32 | TO-220 | — / 0,6 / 0,1 |
| BUL128DR7 | 75 | 700 | 400 | 9 | 4 | 150 | 0,8 | 1,2 | 7 | — | 10…40 | TO-220 | — / 4 / 0,8 |
| BUL128DR8 | 75 | 700 | 400 | 9 | 4 | 150 | 0,8 | 1,2 | 7 | — | 10…40 | TO-220F | — / 4 / 0,8 |
| BUL128FP | 31 | 700 | 400 | 9 | 4 / 8 | 150 | 1,5 | 1,3 | — | — | 10…45 | TO-220FP | — / 2,9 / 0,4 |
Примечание: данные таблиц получены из даташит компаний-производителей.
Графические иллюстрации характеристик
Рис. 2. Внешние характеристики транзистора. Зависимость тока коллектора IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE при различных значениях тока базы (указаны на поле рисунка).
Характеристика для схемы с общим эмиттером.
Рис. 3. Передаточная характеристика транзистора. Зависимость тока коллектора IC от напряжения база-эмиттер UBE.
Характеристика снята при напряжении коллектор-эмиттер UCE = 5 В при нескольких значениях температуры внешней среды.
Характеристика для схемы с общим эмиттером.
Рис. 4. Зависимость статического коэффициента усиления транзистора hFE от величины коллекторной нагрузки IC.
Характеристики сняты при нескольких значениях температуры внешней среды и напряжении коллектор-эмиттер UCE = 5 В.
Рис. 5. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) от величины коллекторной нагрузки IC.
Зависимость снята при соотношении токов коллектора и базы IC/IB = 5 и при нескольких значениях температуры внешней среды.
Рис. 6. Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер UBE(sat) от величины коллекторной нагрузки IC.
Зависимость снята при соотношении токов коллектора и базы IC/IB = 5 и при нескольких значениях температуры внешней среды.
Рис. 7. Графики изменений временных параметров ton, ts, tf при изменении коллекторной нагрузки IC.
Характеристики сняты (пояснения на поле рисунка) при резистивной нагрузке, напряжении питания UCC = 200 В и соотношении токов: IC = 5IB1 = -2,5IB2, (tstg = ts).
Рис. 8. Область безопасной работы транзистора для случая резистивной нагрузки, температуре корпуса Tc = 25°C. Ограничения:
— по току коллектора для постоянного тока — IC (режим DC OPERATION), для однократного импульса — ICP разных длительностей: ≤ 50 мкс, 100 мкс, 1 мс,10 мс;
— по напряжению UCEO = 400 В;
— режим ограничений рассеиваемой мощности по условиям вторичного пробоя: S/B Limited (пояснения на поле рисунка).
Рис. 9. Расширенная область безопасной работы. Транзистор включен при обратном смещении и введены ограничения по напряжению коллектор-эмиттер UCE(sus) = 500 В.
Характеристика снята при температуре корпуса Tc = 25°C. Величина постоянного тока смещения базы IB2 = -1,2 А. Величина индуктивности нагрузки L = 100 мкГн (пояснения на поле рисунка).
Рис. 10. Ограничения по величине рассеиваемой мощности, возникающие при увеличении температуры внешней среды Ta.
Нижняя характеристика снята при отсутствии охладителя транзистора (пояснение на поле рисунка — No heat sink).
Тепловые характеристики
Главный параметр, ограничивающий использование полевика — температура, необходимая для его нормальной работы, то есть, ее возрастание. Оно зависит от сопротивления прибора, когда сквозь него проходит электричество. Если оно небольшое, все равно присутствует небольшая рассеивающаяся мощность, что и вызывает нагрев.
Чтобы упростить расчеты, зависящие от нагревания IRF740, а в datasheet прописаны показатели его теплового сопротивления: от кристалла к корпусу и кристалл-внешняя среда.
Неверные вычисления тепловых характеристик для применения в проектах и неправильная пайка вызывают перегревание транзисторов. Как-то раз я читал радиолюбительский форум, и там один из участников говорил, что в сформированной им схеме пиратский металлоискатель слишком нагрет. Электронщик долго разбирался, и оказалось, что дело в некачественной пайке устройства на плату и снижение температуры.
2SC4408 Datasheet (PDF)
..1. Size:186K toshiba 2sc4408.pdf
8.1. Size:150K toshiba 2sc4409.pdf
2SC4409 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) 2SC4409 Power Amplifier Applications Unit: mm Power switching applications Low collector saturation voltage: VCE (sat) = 0.5V (max) (at I = 1A) C High speed switching time: t = 500ns (typ.) stg Small flat package P = 1~2 W (Mounted on ceramic substrate) C Complementary to 2SA1681 Ma
8.2. Size:113K sanyo 2sc4404.pdf
Ordering number:EN2757NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor2SC4404UHF Local Oscillator,Wide-Band Amplifier ApplicationsApplications Package Dimensions UHF OSC, wide-band amplifiers. unit:mm2059BFeatures 0.3 High cutoff frequency : fT=5.0GHz typ0.15 High power gain : MAG=14dB typ (f=0.9GHz)3 Small noise figure : NF=2.2dB typ (f=0.9GHz)0~0.1
8.3. Size:105K sanyo 2sc4406.pdf
Ordering number:EN2759ANPN Epitaxial Planar Silicon Transistor2SC4406VHF Frequency Mixer,Local Oscillator ApplicationsApplications Package Dimensions VHF mixer, frequency converters, local oscillators. unit:mm2059BFeatures 0.3 High cutoff frequency : fT=1.2GHz typ0.15 High power gain : PG=15dB typ (f=0.4GHz)3 Good dependence of fT on current.0~
8.4. Size:112K sanyo 2sc4405.pdf
Ordering number:EN2758NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor2SC4405UHF, Low-Noise,Wide-Band Amplifier ApplicationsApplications Package Dimensions UHF, low-noise amplifiers, wide-band amplifiers. unit:mm2059BFeatures 0.3 High cutoff frequency : fT=5.0GHz typ0.15 High power gain : MAG=14dB typ (f=0.9GHz)3 Small noise figure : NF=1.5dB typ (f=0.9GH
8.5. Size:105K sanyo 2sc4407.pdf
Ordering number:EN2760NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor2SC4407VHF/UHF Mixer,Local Oscillator ApplicationsApplications Package Dimensions VHF/UHF mixers, frequency converters, localunit:mmoscillators.2059B0.3Features0.15 High cutoff frequency : fT=3.0GHz typ3 High power gain : PG=12dB typ (f=0.9GHz)0~0.1 Small noise figure : NF=3.0dB
8.6. Size:112K sanyo 2sc4403.pdf
Ordering number:EN2756NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor2SC4403VHF/UHF Local Oscillator ApplicationsApplications Package Dimensions VHF/UHF oscillators. unit:mm2059BFeatures 0.3 High cutoff frequency : fT=3.0GHz typ0.15 High power gain : MAG=12dB typ (f=0.9GHz)3 Small noise figure : NF=2.5dB typ (f=0.9GHz)0~0.1 Very small-sized package
8.7. Size:79K sanyo 2sc4400.pdf
Ordering number:EN3195NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor2SC4400High-FrequencyGeneral-Purpose Amplifier ApplicationsFeatures Package Dimensions High power gain.unit:mm High cutoff frequency.2059B Small Cob, Cre. Very small-sized package permitting the 2SC4400-0.30.15applied sets to be made small and slim.30~0.11 20.3 0.60.65 0.65
8.8. Size:119K sanyo 2sc4401.pdf
Ordering number:EN2754NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor2SC4401VHF/UHF Mixer, Local Oscillator,Low-Voltage Amplifier ApplicationsApplications Package Dimensions VHF/UHF MIX/OSC, low-voltage high-frequencyunit:mmamplifiers.2059B0.3Features0.15 Low-voltage operation3: fT=3.0GHz typ (VCE=3V)0~0.1: MAG=11dB typ (VCE=3V, IC=3mA): NF=3.0dB typ
8.9. Size:120K sanyo 2sc4402.pdf
Ordering number:EN2755NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor2SC4402VHF/UHF Mixer, Local Oscillator,Low-Voltage Amplifier ApplicationsApplications Package Dimensions VHF/UHF MIX/OSC, low-voltage high-frequencyunit:mmamplifiers.2059B0.3Features0.15 Low-voltage operation3: fT=3.0GHz typ (VCE=3V)0~0.1: MAG=12dB typ (VCE=3V, IC=10mA): NF=1.5dB ty
8.10. Size:1046K kexin 2sc4409.pdf
SMD Type TransistorsNPN Transistors2SC44091.70 0.1 Features Low collector saturation voltage High speed switching time Small flat package0.42 0.10.46 0.1 PC = 1~2 W (Mounted on a ceramic substrate) Complementary to 2SA16811.Base2.Collector3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector — Base Voltage
Полевики с обособленным затвором
Эти устройства часто используются как полупроводниковые управляющиеся ключи. Как правило, они функционируют в режиме ключа. Есть 2 положения — включить и выключить 3 названия:
- МДП, что означает присутствие в устройстве диэлектрического материала, полупроводника и металла.
- МОП. В него входит окислительный элемент, полупроводник и металл.
- МОФСЕТ:metal-oxide-semiconductor.
Все перечисленное — только варианты одного и того же наименования. Окислительный, или диэлектрический элемент — это, по сути, изолятор затвора. Он находится между самим затвором и n-участком. Это пространство белого цвета, с точечками, состоящее из кремниевого диоксида.
Диэлектрик не допускает электрического контакта подложки и затворного электрода. Он функционирует не так, как p-n переход, по принципу расширения канального перекрытия и перехода. Устройство действует за счёт смены концентрации полупроводниковых переносчиков заряда под влиянием внешнего электрополя.
Есть 2 вида распространённых транзисторов МОП: с индукционным и встроенным каналами.
Со встроенным
Принцип действия такого прибора аналогичен полевому транзистору с управлением от p-n перехода при нулевом напряжении затвора. Ток при этом течёт через ключ.
Транзисторы с внутренним каналом
Возле истока и стока есть 2 области с большим количеством заряженных примесей, имеющих повышенную проводимость. Здесь подложкой является p-основание.
Кристалл соединяется с истоком, поэтому на большей части условных графиков он так и изображен. Когда напряжение на затворе повышается, в канале появляется поперечное электрополе, отталкивающее Электроны. Происходит закрытие канала, когда достигается порог Uзи.
Когда подается отрицательное напряжение затвора — истока, стоковая сила тока уменьшается. Транзистор закрывается. Это называется режимом обеднения. Если же подаётся напряжение со знаком «+», на затворе и истоке осуществляется обратное: за счет притягивания электронов возрастает сила тока. Это явление именуют режимом обогащения.
Все описанное подходит к транзисторам типа n, с внутренним каналом. В случае с p происходит замена электронов так называемыми дырками, и происходит изменение полярности напряжения на другой знак.
С индуктивным каналом
В таких транзисторах не протекает ток, если нет напряжения затвора. Если сказать точнее, ток очень небольшой, поскольку он является обратным от подложки — к высоко легированным элементам стока и истока.
Если напряжение есть, мы имеем дело с вариантом канала индукции, где под влиянием поля заряды со знаком «-» попадают на территорию затвора. Это означает появление электронного коридора между истоком и стоком. При появлении канала происходит открытие транзистора и протекание через него электричества.
Приведем пример практического применения высокого сопротивления выхода. Устройства с такими свойствами довольно популярны. Это согласующие приборы, которыми проводится подключение электроакустики — гитар с пьезозвукоснимающими приборами и электрических гитар с электромагнитными снимателями звука, к входам с маленькими сопротивлениями
От невысокого сопротивления может произойти просадка сигнала выхода. Его форма может меняться в разных пределах, согласно частоте сигнала. Это можно предотвратить введением каскада невысокого сопротивления входа. Таким способом удобно подключаются электрогитары к линейным входам компьютерных видеокарт. Это делает звук более ярким, а тембр — насыщенным.
Подбор транзисторов в усилитель JLH
Выходные транзисторы
- Старые экземпляры, которые делались по меза-планарной технологии (2N3055), которую вытеснила эпитаксильно-паланарная современная (MJE3055) — очень музыкальные транзисторы.
- Несмотря на АЧХ, звук 2n3055 звонче и прозрачнее, но у 2sc3281 звук более приглушённый и ламповый, что ли. Видимо, сказывается распределение гармоник
- Самыми лучшими и стабильными в этом агрегате все-таки оказались MJ15024, MJ15003, 2N2773. Бэтта транзисторов выходного каскада при 4 Ом нагрузке должна быть не менее 120.
- Супер транзисторы — MJ15026, 15027 за 27 $ один, в Штатах 7 $.
Ну и моторолловский клон 2SC3281 — это MJL3281A, он по линейности Кус вообще рекордсмен. Практически прямая «полка», а спад беты начинается с 5-6 Ампер. По звуку лидируют MJL3281A (NPN) MJL1302A (PNP) как самые интегрально-линейные мощные биполярные транзисторы для ЗЧ.
Очень хороший результат дает параллельное включение на выходе 2-х 3-х транзисторов средней мощности 2sc5707, предварительно отобранных по бэтте (она у них очень высокая – до 560). Паяем по 2-3 транзистора на общую медную пластину, а потом ее крепим к радиатору через прокладку, паять лучше легкоплавким припоем пос-61.
В пластике (ТО-247) можно ставить MJE21193, 2CS5200, КТ8101 (в порядке ухудшения качества); В металле (ТО-3) можно MJ15003, MJ15024, 2N3055, КТ819ВМ, ГМ (в таком же порядке); Из наших — КТ908, КТ903, КТ808, КТ805, КТ803 (КТ908 на голову выше всех, из отечественных они самые лучшие).
Не применяйте MJL21294, эти транзисторы не для этого усилителя. Тем более при 4 Ом нагрузке. Вот в однотактном повторителе Игоря Семынина или усилителях с составными транзисторами на выходе им самое место. В усилителе по схеме JLH чем выше Кус выходных транзисторов и предвыходного — тем лучше. MJL-21194 сейчас лучшие для звука но не для Худа, в JLH можно применить MJ15003, но у них корпус неудобный, как и у 2N3055
Смотрел характеристики аппарата на таком комплекте транзисторов: Выходные высокочастотные 2sc5200 + драйверный каскад на вс550bp, входной транзистор bc109b. Искажения получились 0,02. 0,03 % при прекрасном меандре. При тех же условиях низкочастотные моторолы с невысокой бэтой дают искажения 0,08-0,1 % при сильно заваленном фронте меандра.
Схема с ВЧ транзисторами на выходе должна обязательно корректироваться от возбуждения установкой конденсаторов между базой и коллектором драйверного транзистора порядка 10-15 пФ и конденсатором емкостью 22-60 пФ параллельно резистору ООС R5 2,7 кОм. Если конденсатор ООС имеет номинал 470-680 мкФ, то делитель ООС 2,7 кОм/240 Ом лучше уменьшить до 1,2 кОм/120 Ом, что даст меньшие искажения и большую устойчивость.
Современные транзисторы проигрывают винтажным по качеству воспроизведения НЧ. Я считаю, что 2SA1943, 2SC5200 обеспечивают лучшее звучание, чем MJ15003, 15004 или MJ15024, 25.
MJL21194 сочетают в себе плюсы: плоский удобный для монтажа корпус и узкую полосу в 4-6,5 МГц. Правда они имеют два «минуса» — высокую стоимость и маленький коэффициент усиления. Мощные современные транзисторы с ft>30MHz ставить не рекомендуются — будет возбуд. Старые НЧ транзисторы лучше себя ведут, чем новодельные ВЧ. В этом смысле стоит попробовать наши Кт805-Кт819
У транзисторов серий: MJ, MJL, MJW – 21193, 21194, 21195, 21196… применена медная металлизация на поверхности кристалла для формирования вывода базы, что выравнивает температуру поверхности кристалла, улучшает распределение тока по площади кристалла и расширяет ОБР, особенно в области высоких напряжений.
Драйверный транзистор
Перепробовал множество транзисторов в драйвере, лучшие результаты показал 2sc2240, что закономерно т.к. у него 300-700 бэтта, при прекрасной линейности тока коллектора в диапазоне 1,0-50 мА и малая емкость 3 пФ, приклеиваем к нему медную пластинку получаем превосходный драйвер средней мощности = Ибуки
Если у вас выходные транзисторы с большой бэттой, то ток от драйверного транзистора нужен не очень большой 15-25 мА, так что не нужно туда ставить тупой конский транзистор. Из советских неплох кт602Б, но его нужно отбирать с бетой при токе 20-30 мА не менее 200.
Маломощный предвыходной транзистор показывает намного лучшие результаты по качеству меандра и искажениям чем BD139 и такие же «среднемощные» из-за более линейных характеристик при токах 10-30 мА, высокого h21э и малых межэлектродных емкостей. Особенно хорош прирост качества в классической схеме 1969 года.
Как проверить устройство с помощью мультиметра
Основная часть полевиков проверяется с помощью стандартного мультиметра. Первым делом нужно проверить, как работает так называемый диод-паразит, соединяющий выводы истока и стока. Далее — проверьте как мофсет открывают и закрывают одновременным быстрым прикосновением щупов оборудования к контактам G и S.
Если такая подача положительного заряда на первый вывод открывает транзистора, а между первым и вторым возникает короткое замыкание, значит, устройство находится в рабочем состоянии. При проблемах с его открытием, он нерабочий.
Но чтобы провести полноценную проверку мофсета, не достаточно одного мультиметра. Чтобы его открыть, на затворе должно быть напряжение максимум 4-5 В, а мультиметр выдает всего лишь 0,3. Так что, для проверки нужен запас источников питания, к примеру, стандартная крона.
Если быстро коснуться с помощью “минусовой” клеммы этой кроны контакта И, или “плюсово” — G, открывается транзистора. При этих условиях ток движется в 2 направлениях, можно сказать об исправности транзистора. До проверки на степени закрытия и открытия, проверьте, исправен ли паразитный диод. Взгляните на схему.
Достоинства и недостатки
Основной плюс всех ролевиков — высокий уровень входного сопротивления. Сопротивлением выхода называется соотношение силы тока с напряжением затвора-истока.
Суть работы прибора состоит в том, что им управляет электрическое поле, образующееся, когда прикладывается напряжение. Иными словами, полевиками управляет напряжение.
Полевики почти не тратят электричество, что уменьшает потери управления, изменение сигналов, перегруженность по току, исходящему от сигнального источника.
Средние показатели частоты полевиков намного превосходят биполярники. Это вызвано тем, что рассасывание заряда происходит быстрее. Ряд современных биполярников по основным характеристикам не уступают полевикам, за счет использования современных усовершенствованных технологий и сужения базы.
Транзисторы почти бесшумны. Дело в том, что в них практически нет инжекции заряда.
Устройство стабильно работает при температурных перепадах. Оно потребляет невысокую мощность состоянии проводника, что увеличивает КПД.
Основной минус — в том, что у таких транзисторов есть своего рода боязнь статики. То есть, если наэлектризовать руки и притронуться к прибору, он перестанет работать. Это называется результатом управления ключом посредством поля.
Поэтому для работы с транзисторами необходимы перчатки из диэлектрических материалов. Мало того, они должны заземляться с помощью специального браслета, с помощью паяльника с низким напряжением, у которого изолировано жало.
Транзисторные выводы нужно обмотать проволокой. Это приведёт к временному короткому замыканию при монтаже. Для современных приборов это почти безопасно, так как в них входят элементы для защиты, например, стабилитроны. Их задача — сработать при возрастании напряжения.
Бывают случаи, когда радиоэлектроники излишне опасаются, поэтому надевают на голову шапки, изготовленные из фольги. Инструкцию, конечно, нужно соблюдать, но это не говорит о том, что при минимальном отклонении от нее сразу сломается прибор.