2sc3281 datasheet pdf ( pinout ) - silicon power transistor

Voltage specs

The voltage specifications of the 2SC3281 transistor are collector to base voltage is 200V, collector-to-emitter voltage is 200V, and emitter to base voltage is 5V.

The collector-to-emitter saturation voltage value of the 2SC3281 transistor is 2.5V, it is the value for the switching of the device.

The voltage specs show it is a higher-voltage transistor used for higher-power applications.

Current specs

The current capacity of the transistor device shows the load-taking ability, the maximum collector current value of 2SC3281 is 15A.

The base current value of the 2SC3281 transistor is 1.5A, it is the maximum switching current of the device.

DC Current gain specs

The DC current gain value of the 2SC3281 transistor is 55 to 160hFE, it is the ability of a transistor for amplification.

Transition frequency

The transition frequency of the 2SC3281 transistor is 25MHz, and the frequency range of the device is important for all audio-related applications.

Junction temperature/ storage temperature

The junction temperature or storage temperature is -55 to 150℃, it is the maximum temperature capacity of the semiconductor device.

Биполярный транзистор

Биполярный транзистор обладает двумя переходами: p-n-p или n-p-n. Принципиальное различие между ними – направление течения тока.

Коллектор и эмиттер, обладающие одинаковой проводимостью (в n-p-n транзисторе n-проводимостью), разделены базой, которая обладает p-проводимостью. Если даже эмиттер подключен к источнику питания, ему не пробиться напрямую в коллектор. Для этого необходимо подать ток на базу.

В таком случае электроны из эмиттера заполняют «дырки» последней. Но так как база слабо легирована, то и дырок в ней мало. Поэтому большая часть электронов переходит в коллектор и они начинают свое движение по цепи. Ток коллектора практически равен току эмиттера, ведь на базу приходится очень маленькое его значение.

Чтобы нагляднее себе это представить, можно воспользоваться аналогией с водопроводной трубой. Для управления количеством воды нужен вентиль (транзистор). Если приложить к нему небольшое усилие, он увеличит свое проходное сечение трубы и через него начнет проходить больше воды.

Основные особенности транзистора Дарлингтона

Основное достоинство составного транзистора это большой коэффициент усиления по току.

Следует вспомнить один из основных параметров биполярного транзистора. Это коэффициент усиления (h21). Он ещё обозначается буквой β («бета») греческого алфавита. Он всегда больше или равен 1. Если коэффициент усиления первого транзистора равен 120, а второго 60 то коэффициент усиления составного уже равен произведению этих величин, то есть 7200, а это очень даже неплохо. В результате достаточно очень небольшого тока базы, чтобы транзистор открылся.

Инженер Шиклаи (Sziklai) несколько видоизменил соединение Дарлингтона и получил транзистор, который назвали комплементарный транзистор Дарлингтона. Вспомним, что комплементарной парой называют два элемента с абсолютно одинаковыми электрическими параметрами, но разной проводимости. Такой парой в своё время были КТ315 и КТ361. В отличие от транзистора Дарлингтона, составной транзистор по схеме Шиклаи собран из биполярных разной проводимости: p-n-p и n-p-n. Вот пример составного транзистора по схеме Шиклаи, который работает как транзистор с n-p-n проводимостью, хотя и состоит из двух различной структуры.

схема Шиклаи

К недостаткам составных транзисторов следует отнести невысокое быстродействие, поэтому они нашли широкое применение только в низкочастотных схемах. Такие транзисторы прекрасно зарекомендовали себя в выходных каскадах мощных усилителей низкой частоты, в схемах управления электродвигателями, в коммутаторах электронных схем зажигания автомобилей.

Хорошо зарекомендовал себя для работы в электронных схемах зажигания мощный n-p-n транзистор Дарлингтона BU931.

Основные электрические параметры:

Напряжение коллектор – эмиттер 500 V;
Напряжение эмиттер – база 5 V;
Ток коллектора – 15 А;
Ток коллектора максимальный – 30 А;
Мощность рассеивания при 250С – 135 W;
Температура кристалла (перехода) – 1750С.

На принципиальных схемах нет какого-либо специального значка-символа для обозначения составных транзисторов. В подавляющем большинстве случаев он обозначается на схеме как обычный транзистор. Хотя бывают и исключения. Вот одно из его возможных обозначений на принципиальной схеме.

Напомню, что сборка Дарлингтона может иметь как p-n-p структуру, так n-p-n. В связи с этим, производители электронных компонентов выпускают комплементарные пары. К таким можно отнести серии TIP120-127 и MJ11028-33. Так, например, транзисторы TIP120, TIP121, TIP122 имеют структуру n-p-n, а TIP125, TIP126, TIP127 — p-n-p.

Также на принципиальных схемах можно встретить и вот такое обозначение.

5.2. Схема с эмиттерной стабилизацией

Схема эмиттерной стабилизацией (ЭС) имеет три сопротивления: R’_Б, R»_Б и R_Э. индексы отражают названия электродов, к которым подключены эти сопротивления, рис. 5.3:

Рис. 5.3. Схема эмиттерной стабилизации, транзистор включен по схеме с ОЭ.

Элементы одного каскада условно отделены от другого пунктирными линиями. Нагрузкой каскада может быть аналогичный каскад; тогда вместо R_H будем указывать R_ВХ.СЛ – входное сопротивление следующего каскада.

Известно, что для БТ характерным является наличие заметного входного тока i_ВХ.0 = i_Б0, как было отмечено выше через сопротивление R_Э приходит сумма токов: i_Э0 = i_Б0 + i_К0. отпирающее напряжение смещения (между базой и эмиттером) U_СМ = U_Б0 должно быть положительным для транзистора n-p-n, а для транзистора p-n-p – отрицательным:

U_Б0 = [U_R»Б – U_RЭ] = i_ДЕЛ ·R»_Б – i_Э0 ·R_Э = [i_ДЕЛ ·R»_Б – (i_K0 – i_Б0)]; (5.1)

Должно выполняться условие:

|U_R»Б| > |U_RЭ|;

Здесь R’_Б и R»_Б – делитель напряжения в цепи базы. Для БТ при расчетах иногда удобнее использовать вместо напряжения U_Б0, ток смещения i_Б0. Эти величины однозначно связаны входной характеристикой, рис. 5.2а.

Данная схема обеспечивает не только необходимое смещение для транзистора, но и стабилизирует положение РТ при действии дестабилизирующих факторов (температуры, нестабильности источника питания, старения элементов схемы, разброса параметров транзистора и др.). Например, при увеличении тока i_К0 величина U_Б0уменьшается, в управлении (5.1) и наоборот. Это стабилизирует положение РТ и можно сказать является результатом введения ООС. Напряжение обратной связи создаётся на сопротивлении R_Э:

U_СВ = ∆i_K0· R_Э. (5.2)

где ∆i_K0– изменение тока коллектора. С увеличением R_Э возрастает U_СВ и её глубина:

; (5.3)

здесь – эквивалентное сопротивление делителя; h_21Э – статический коэффициент усиления по току БТ в схеме с общим эмиттером; R_ВХ.Э– входное сопротивление транзистора в схеме с общим эмиттером. Из уравнения (5.2) видно, что с увеличение R_Э возрастает U_СВ и её глубина, уравнение (5.3). Напряжение ООС подаётся на вход транзистора через сопротивление делителя R’_Б и R»_Б. Чем меньше эти сопротивления, тем эффективнее работает данная схема, тем лучше стабилизация режима. Однако выбирать очень малыми сопротивления в цепи базы нельзя, т.к. эти сопротивления шунтируют вход УЭ и уменьшают передаваемое на вход напряжение сигнала. Данная схема является одной из самых эффективных схем, используемых в радиоэлектронике.

Модификации и группы транзистора C3198

Модель	P_C	U_CB	U_CE	U_BE	I_C	T_J	f_T	C_C	h_{FE ٭}	NF (типовое) dB	Корпус
C3198	0,625	60	50	5	0,15	150	80	3,5	25…700	≤ 10	TO-92
C SC3198 (O, Y, GR, BL)	0,625	60	50	5	0,15	125	80	3,5	25…700	≤ 10	TO-92
FTC3198	0,625	60	50	5	0,15	150	80	3,5	25…700	≤ 10	TO-92
KTC3198	0,625	60	50	5	0,15	150	80	3,5	25…700	≤ 10	TO-92
KTC3198A	0,4	60	50	5	0,15	150	80	2	25…700	1	TO-92
KTC3198L ٭٭	0,625	60	50	5	0,15	150	80	2	25…700	0,5 (1) 0,2 (2)	TO-92

٭ — диапазон значений параметра h_FE разделяется производителями во всех модификациях на четыре подгруппы (O, Y, GR, BL).

٭٭ — значения коэффициента шума транзистора KTC3198L: 0,5 (1) и 0,2 (2) определены при частотах сигнала соответственно 100 Гц и 1 кГц.

Биполярный транзистор 2SC3280 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SC3280

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 220
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 55

Корпус транзистора: X104

2SC3280
Datasheet (PDF)

..1. Size:25K wingshing 2sc3280.pdf

2SC3280 NPN PLANAR SILICON TRANSISTORAUDIO POWER AMPLIFIERDC TO DC CONVERTER 2-21F1A High Current Capability High Power Dissipation Complementary to 2SA1301ABSOLUTE MAXIMUM RATING (Ta=25CC)CCCharacteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 160 V Collector-Emitter Voltage VCEO 160 V Emitter-Base voltage VEBO 6 V Collector Current (DC) IC 12 A Collec

..2. Size:202K inchange semiconductor 2sc3280.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3280DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 160V(Min)(BR)CEOCollector-Emitter Saturation Voltage-: V = 2.0V(Max)@ I = 8ACE(sat) CComplement to Type 2SA1301Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applicationsRecommend for 80W high fidelity au

8.1. Size:134K mospec 2sc3281.pdf

AAA

8.2. Size:190K jmnic 2sc3281.pdf

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC3281 DESCRIPTION With TO-3PL package Complement to type 2SA1302 APPLICATIONS Power amplifier applications Recommended for 100W high fidelity audio frequency amplifier output stage PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-3PL) and symbol 3

8.3. Size:28K sanken-ele 2sc3284.pdf

LAPT 2SC3284Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SA1303)Application : Audio and General Purpose(Ta=25C) Absolute maximum ratings (Ta=25C) Electrical Characteristics External Dimensions MT-100(TO3P)Symbol Ratings Symbol Conditions Ratings UnitUnit0.24.80.415.60.1VCBO 150 ICBO VCB=150V 100max A 9.6 2.0VVCEO 150 IEBO VEB=5V 100max

8.4. Size:198K inchange semiconductor 2sc3285.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3285DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-V = 800V(Min)CEO(SUS)High Speed SwitchingGood Linearity of hFEMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power switching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector

8.5. Size:202K inchange semiconductor 2sc3281.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3281DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 200V(Min)(BR)CEOCollector-Emitter Saturation Voltage-: V = 3.0V(Max)@ I = 10A, I = 1ACE(sat) C BHigh Power DissipationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applicationsRecommend for 100W high fid

8.6. Size:202K inchange semiconductor 2sc3284.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3284DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-V = 150V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type 2SA1303Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio and general purpose applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALU

Другие транзисторы… 2SC3277N
, 2SC3278
, 2SC3279
, 2SC3279L
, 2SC3279M
, 2SC3279N
, 2SC3279P
, 2SC328
, TIP3055
, 2SC3280O
, 2SC3280R
, 2SC3281
, 2SC3281O
, 2SC3281R
, 2SC3282
, 2SC3282A
, 2SC3283
.

2SC3281 vs 2SC5200 vs 2SC5242

Here we listed the electrical specifications of 2SC3281, 2SC5200, and 2SC5242 transistors, this listing comparison is really useful for a better understanding.

Characteristics	2SC3281	2SC5200	2SC5242
Collector to base voltage (VCB)	200V	230V	230V
Collector to emitter voltage (VCE)	200V	230V	230V
Emitter to base voltage (VEB)	5V	5V	5V
Collector to emitter saturation voltage (VCE (SAT))	2.5V	0.4 to 3V	0.4 to 3V
Collector current (IC)	15A	15A	15A
Base current	1.5A	1.5A	1.5A
Power dissipation	150W	150W	130W
Junction temperature & operating temperature (TJ)	-55 to 150°C	-55 to +150°C	-55 to +150°C
Transition frequency (FT)	25MHZ	30MHz	30MHz
Gain (hFE)	55 to 160hFE	55 to 150hFE	55 to 160hFE
Output capacitance	270pF	200pF	200pF
Package	TO-3P	TO-3P	TO-3P

Классификация выходных каскадов

Есть несколько методов сборки выходного каскада:

Из транзисторов, имеющих различную проводимость. Для этих целей чаще всего используют «комплементарные» (близкие по параметрам) транзисторы.
Из транзисторов, имеющих одинаковую проводимость.
Из транзисторов составного типа.
Из полевых транзисторов.

Работа усилителя, сконструированного, при помощи комплементарных транзисторов, отличается простотой: положительная сигнальная полуволна запускает работу одного транзистора, а отрицательная — другого. Необходимо, чтобы плечи (транзисторы) работали в одинаковых режимах и для реализации этого используется базовое смещение.

Если усилитель использует в работе одинаковые транзисторы, то никаких принципиальных отличий от первого варианта это не имеет. За исключением того факта, что для подобных транзисторов сигнал отличаться не должен.

При работе с остальными разновидностями усилителей необходимо помнить, что отрицательное напряжение для p-n-p транзисторов, и положительное — для n-p-n транзисторов.

Обычно звание усилителя мощности принадлежит именно оконечному каскаду, поскольку он работает с самыми большими величинами, хотя с технической точки зрения так можно называть и предварительные каскады. К числу основных показателей усилителя можно отнести: полезную, отдаваемую в нагрузку мощность, КПД, полосу усиливаемых частот, коэффициент нелинейных искажений. На эти показатели весьма сильно влияет выходная характеристика транзистора. При создании усилителя напряжения может быть использована однотактная и двутактная схемы. В первом случае режим работы усилителя линейный (класс А). Данная ситуация характеризуется тем, что протекание тока по транзистору длится до тех пор пока не окончится период входного сигнала.

Однотактный усилитель отличается высокими показателями по линейности. Однако эти качества могут искажаться при намагничивании сердечника. Для предотвращения подобной ситуации необходимо озаботиться наличием цепи трансформатора с высоким уровнем индуктивности для первичной цепи. Это отразится на размерах трансформатора. К тому же, ввиду принципа его работы, он обладает достаточно низким КПД.

В сравнении с ним данные по двутактному усилителю (класс B) куда выше. Данный режим позволяет искажать форму транзисторного тока на выходе. Это увеличивает результат отношения переменного и постоянного токов, снижая вместе с тем уровень потребляемой мощности, это и считается самым главным плюсом применения двутактных усилителей. Их работа обеспечивается подачей двух равных по значению, но фазно противоположных напряжений. Если отсутствует трансформатор со средней точкой, то можно воспользоваться фазоинверсным каскадом, который снимет противоположные по фазе напряжения с соответственных резисторов цепей коллектора и эмиттера.

Существует двухтактная схема, не включающая в себя выходной трансформатор. Для этого потребуются разнотипные транзисторы, работающие как эмиттерные повторители. Если оказывать воздействие двуполярным входным сигналом, то будет происходить поочерёдное открытие транзисторов, и расхождение токов по противоположным направлениям.

2SC3281 Datasheet (PDF)

..1. Size:134K mospec 2sc3281.pdf

AAA

..2. Size:190K jmnic 2sc3281.pdf

..3. Size:202K inchange semiconductor 2sc3281.pdf

8.1. Size:25K wingshing 2sc3280.pdf

8.2. Size:28K sanken-ele 2sc3284.pdf

8.3. Size:198K inchange semiconductor 2sc3285.pdf

8.4. Size:202K inchange semiconductor 2sc3284.pdf

8.5. Size:202K inchange semiconductor 2sc3280.pdf

2SC3281 graphical characteristics

output characteristics of the 2SC3281 transistor

The graph shows the output characteristics of the 2SC3281 transistor, the graph plots with collector current vs collector to emitter voltage.

At different base current values, the collector current forms constant curves with respect to the collector-to-emitter voltage.

safe operating area characteristics of the 2SC3281 transistor

The graph shows the safe operating area characteristics of the 2SC3281 transistor, the graph plots with collector current vs collector to emitter voltage.

The characteristics of this graph indicated different specs such as switching limits, temperature, and resistance values with respect to graphical representation.

2SC3281 Datasheet (PDF)

..1. 2sc3281.pdf Size:134K _mospec

AAA

..2. 2sc3281.pdf Size:190K _jmnic

..3. 2sc3281.pdf Size:202K _inchange_semiconductor

8.1. 2sc3280.pdf Size:25K _wingshing

8.2. 2sc3284.pdf Size:28K _sanken-ele

8.3. 2sc3285.pdf Size:198K _inchange_semiconductor

8.4. 2sc3284.pdf Size:202K _inchange_semiconductor

8.5. 2sc3280.pdf Size:202K _inchange_semiconductor

Другие транзисторы… 2SC3279L
, 2SC3279M
, 2SC3279N
, 2SC3279P
, 2SC328
, 2SC3280
, 2SC3280O
, 2SC3280R
, C945
, 2SC3281O
, 2SC3281R
, 2SC3282
, 2SC3282A
, 2SC3283
, 2SC3283A
, 2SC3284
, 2SC3285
.

5.6. Особенности цепей питания и смещения в каскадах на полевых транзисторах

В режимах усиления ПТ могут работать без входных токов и поэтому рассматриваются как приборы, управляемые напряжением: R_УПР = R_З затвора. Это является основным их отличаем от БТ. Такие условия работы обеспечиваются при подаче на входной электрод определённого по знаку напряжения смещения. Рабочая точка выбирается на наиболее крутом и линейном участке характеристики подачей противоположного (по сравнению E_П и U) по знаку напряжения смещения. Обычная схема резистивных каскадов на ПТ аналогична схеме каскада на БТ, рис. 5.7.

Рис. 5.7. Схема резистивного каскада на ПТ

Элементом связи является резистор R_С. Для получения нужного по знаку и величине смещения при использование ПТ с p-n переходом в цепь истока включается резистор R_И, на котором постоянная составляющая выходного тока i_С создаёт напряжение, равное необходимому смещению:

U_З0 = i_C0·R_И

При этом резистор R_З соединяет управляющий электрод (затвор) с общей для входа и выхода заземленной точкой. Небольшие токи утечки на этом резисторе не должны создавать заметного напряжения:

i_УТ·R_З ≈ 0;

т.е. величина R_З должна быть ограничена и указывается в справочнике для используемого ПТ. Током утечки i_УТ для ПТ является обратный ток запертого p-n перехода затвор-канал. Резистор в цепи истока шунтируют большей ёмкостью С_И.

В рассматриваемой схеме можно увеличить стабильность, если ввести ООС по постоянному току путём включения делителя в цепь затвора (пунктир, рис. 5.7) Для ПТ с изолированным затвором и встроенным каналом, работающих в режиме обеднения, схема цепей питания имеет вид, показанный на рис.5.7 (без R′_З). При работе ПТ в режиме обогащения, а также для ПТ с индуцированным каналом могут быть использованы схемы, аналогичные БТ, рассмотренных выше.

Voltage specs

Current specs

DC Current gain specs

Transition frequency

Junction temperature/ storage temperature

Биполярный транзистор

Основные особенности транзистора Дарлингтона

5.2. Схема с эмиттерной стабилизацией

Модификации и группы транзистора C3198

Биполярный транзистор 2SC3280 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

2SC3280 Datasheet (PDF)

2SC3281 vs 2SC5200 vs 2SC5242

Классификация выходных каскадов

2SC3281 Datasheet (PDF)

2SC3281 graphical characteristics

2SC3281 Datasheet (PDF)

5.6. Особенности цепей питания и смещения в каскадах на полевых транзисторах

Похожие записи:

Похожие записи:

2SC3280
Datasheet (PDF)