B892 datasheet pdf ( pinout ) - pnp transistor

Принципиальная схема

Принципиальная схема такого УМЗЧ показана на рис. 1. Устройство представляет собой одноканальный транзисторный усилитель мощности низкой частоты, рассчитанный на однополярное напряжение питания 5…28 В и сопротивление подключенной нагрузки 2…50 Ом.

Максимальная выходная мощность зависит от напряжения питания, применённых выходных транзисторов и условий их охлаждения. Для упрощения схемы в конструкции применены не составные биполярные транзисторы с высоким и сверхвысоким коэффициентом передачи тока базы.

Рис. 1. Схема экономичного УМЗЧ на 13 Ватт на транзисторах 2SC3331V, 2SA1286, 2SA928A, 2SD2058Y.

Напряжение звуковой частоты через RC фильтр R1C1 поступает на регулятор громкости — переменный резистор R2. Через разделительный конденсатор C3 напряжение ЗЧ поступает на маломощный транзистор VТ1, включенный по схеме с общим эмиттером.

Основное усиление по напряжению осуществляет транзистор VТ2 со сверхвысоким коэффициентом передачи тока базы. Выходной каскад собран на мощных п-р-п транзисторах VТ4, VТ5. Транзистор VТ2 вместе с VT3 представляют собой составной транзистор по схеме Шиклаи.

По схеме такого же составного транзистора включены VТ4, VТ5. Применение транзистора VТ4 позволяет значительно снизить ток коллектора VТ2, а также упрощает управление током покоя выходного каскада, позволяет получить большую выходную мощность при меньших искажениях.

Ток покоя выходного каскада зависит от падения напряжения на последовательно включенных VD1, VD2, RT1. В представленном усилителе он может быть от нуля.

Коэффициент усиления по напряжению задаётся соотношением сопротивлений резисторов R10, R8. При положении подвижного контакта переменного резистора в режиме максимальной громкости он будет около 62. Резистор R6 и конденсатор С2 — фильтр напряжения смещения VT1.

Подстроечным резистором R2 устанавливают в средней точке выходного каскада («+» конденсатора С7) рабочее напряжение, равное половине напряжения питания.

Резистор R11 включен по схеме вольтодобавки для питания VТ4. Резисторы R13, R14 уменьшают сквозной ток через транзисторы VТ4, VТ5 в моменты их переключения, а также, немного стабилизируют их ток покоя.

Цепочка R9C5 уменьшает вероятность самовозбуждения УМЗЧ. Конденсаторы С6, С9 — блокировочные в цепи питания.

При нулевом токе покоя и напряжении питания 9 В УМЗЧ потребляет ток 0,6 мА. То же при напряжении питания 25 В — 3,2 мА. Максимальная выходная мощность без ограничения амплитуды выходного сигнала 13 Вт при напряжении питания 25В на нагрузке сопротивлением 4 Ом. То же при напряжении питания 5 В — 0,25Вт или 2,25Вт при 12В.

При напряжении питания 25 В амплитуда выходного сигнала 22 В на нагрузке сопротивлением 4 Ом или 24 В на 8 Ом.

Соответствие: отечественный транзистор ⇒ импортный аналог

Транзистор	Аналог
КТ209	MPS404
КТ368А9	BF599
КТ3102АМ КТ3102БМ КТ3102ВМ КТ3102ДМ	BC547A BC547B BC548B BC549C
КТ3107БМ КТ3107ГМ КТ3107ДМ КТ3107ЖМ КТ3107ИМ КТ3107КМ КТ3107ЛМ	BC308A BC308A BC308B BC309B BC307B BC308C BC309C
КТ3117А КТ3117Б	2N2221 2N2222A
КТ3126А	BF506
КТ3127А	2N4411
КТ3129Б9 КТ3129В9 КТ3129Г9	BC857A BC858A BC858B
КТ3130А9 КТ3130Б9 КТ3130В9	BCW71 BCW72 BCW31
КТ3142А	2N2369
КТ3189А9 КТ3189Б9 КТ3189В9	BC847A BC847B BC847C
КТ635Б	2N3725
КТ639А КТ639Б КТ639В КТ639Г КТ639Д КТ639Е КТ639Ж	BD136-6 BD136-10 BD136-16 BD138-6 BD138-10 BD140-6 BD140-10
КТ644А КТ644Б КТ644В КТ644Г	PN2905A PN2906 PN2907 PN2907A
КТ645А КТ645Б	2N4400 2N4400
КТ646А КТ646Б	2SC495 2SC496
КТ660А КТ660Б	BC337 BC338

Транзистор	Аналог
КТ668А КТ668Б КТ668В	BC556 BC557 BC558
КТ940А	BF458
КТ940Б КТ940В	BF457 BF459
КТ961А КТ961Б КТ961В	BD139 BD137 BD135
КТ969А	BF469
КТ972А КТ972Б	BD877 BD875
КТ684А КТ684Б КТ684В	BC636 BC638 BC640
КТ685А КТ685Б КТ685В КТ685Г	PN2906 PN2906A PN2907 PN2907A
КТ686А КТ686Б КТ686В КТ686Г КТ686Д КТ686Е	BC327-16 BC327-25 BC327-40 BC328-16 BC328-25 BC328-40
КТ6109А КТ6109Б КТ6109В КТ6109Г КТ6109Д	SS9012D SS9012E SS9012F SS9012G SS9012H
КТ6110А КТ6110Б КТ6110В КТ6110Г КТ6110Д	SS9013D SS9013E SS9013F SS9013G SS9013H
КТ6111А КТ6111Б КТ6111В КТ6111Г	SS9014A SS9014B SS9014C SS9014D
КТ6112А КТ6112Б КТ6112В	SS9015A SS9015B SS9015C
КТ6113А КТ6113Б КТ6113В КТ6113Г КТ6113Д КТ6113Е	SS9018D SS9018E SS9018F SS9018G SS9018H SS9018I

Транзистор	Аналог
КТ6114А КТ6114Б КТ6114В	SS8050B SS8050C SS8050D
КТ6115А КТ6115Б КТ6115В	SS8550B SS8550C SS8550D
КТ6116А КТ6116Б	2N5401 2N5400
КТ6117А КТ6117Б	2N5551 2N5550
КТ6128А КТ6128Б	SS9016D SS9016E
КТ973А КТ973Б	BD878 BD876
KT9116A KT9116Б	TPV-394 TPV-375
KT9133A	TPV-376
KT9142A	2SC3218
KT9150	TPV-595
KT9151A	2SC3812
KT9152A	2SC3660
КТ6136А	2N3906
КТ728А КТ729А	MJ3055 2N3055
КТ808АМ КТ808БМ	2SC1619A 2SC1618
КТ814Б КТ814В КТ814Г	BD136 BD138 BD140
КТ815Б КТ815В КТ815Г	BD135 BD137 BD139
КТ817Б КТ817В КТ817Г	BD233 BD235 BD237
КТ818Б	TIP42
КТ819Б	TIP41
КТ840А КТ840Б	BU326A BU126

Транзистор	Аналог
КТ856А КТ856Б	BUX48A BUX48
КТ867А	BUY21
КТ872А КТ872Б КТ872Г	BU508A BU508 BU508D
КТ878А КТ878Б КТ878В	BUX98 2N6546 BUX98A
КТ879А КТ879Б	2N6279 2N6278
КТ892А КТ892Б КТ892В	TIP661 BU932Z TIP662
КТ899А	2N6388
КТ8107А	BU508A
КТ8109А	TIP151
КТ8110А	2SC4242
КТ8121А	MJE13005
КТ8126А КТ8126Б	MJE13007 MJE13006
КТ8164А КТ8164Б	MJE13005 MJE13004
КТ8170А1 КТ8170Б1	MJE13003 MJE13002
КТ8176А КТ8176Б КТ8176В	TIP31A TIP31B TIP31C
КТ8177А КТ8177Б КТ8177В	TIP32A TIP32B TIP32C
КТ6128В КТ6128Г КТ6128Д КТ6128Е	SS9016F SS9016G SS9016H SS9016I
КТ6137А	2N3904
КТ928А	2N2218
КТ928Б КТ928В	2N2219 2N2219A

B892 Datasheet PDF — Sanyo Semiconductor Corporation

Part Number	B892
Description	PNP Transistor — 2SB892
Manufacturers	Sanyo Semiconductor Corporation
Logo
There is a preview and B892 download ( pdf file ) link at the bottom of this page. Total 4 Pages

Preview 1 page

No Preview Available !

www.DatOarSdhereinegt4nUu.mcobmer:930C

PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Darlington Transistors
2SB892/2SD1207
Large-Current Switching Applications
Features
· Power supplies, relay drivers, lamp drivers, and
automotive wiring.
Features
· FBET and MBIT processed (Original process of
SANYO).
· Low saturation voltage.
· Large current capacity and wide ASO.
Package Dimensions
unit:mm
2006A
[2SB892/2SD1207]
( ) : 2SB892
Specifications

Absolute Maximum Ratings at Ta = 25˚C

Parameter
Collector-to-Base Voltage
Collector-to-Emitter Voltage
Emitter-to-Base Voltage
Collector Current
Collector Current (Pulse)
Allowable Collector Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
Tj
Tstg

Electrical Characteristics at Ta = 25˚C

Conditions
Parameter
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Gain-Bandwidth Product
Output Capacitance
Symbol
Conditions
ICBO
IEBO
hFE1
hFE2
fT
Cob
VCB=(–)50V, IE=0
VEB=(–)4V, IC=0
VCE=(–)2V, IC=(–)100mA
VCE=(–)2V, IC=(–)1.5A
VCE=(–)10V, IC=(–)50mA
VCB=(–)10V, f=1MHz

* : The 2SB892/2SD1207 are graded as follows by hFE at 100mA :

100 R 200 140 S 280 200 T 400 280 U 560
EIAJ : SC-51
SANYO : MP
B : Base
C : Collector
E : Emitter
Ratings
(–)60
(–)50
(–)6
(–)2
(–)4
1
150
–55 to +150
Unit
V
V
V
A
A
W
˚C
˚C
Ratings
min typ
100
40
150
12
(22)
max
(–)0.1
(–)0.1
560
Unit
µA
µA
MHz
pF
pF
Any and all SANYO products described or contained herein do not have specifications that can handle
applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft’s
control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious
physical and/or material damage. Consult with your SANYO representative nearest you before using
any SANYO products described or contained herein in such applications.
SANYO assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that
exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges,or other
parameters) listed in products specifications of any and all SANYO products described or contained
herein.
SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Bussiness Headquaters
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN
91098HA (KT)/4067KI/3145KI No.930–1/4