Транзистор кт973: характеристики и аналоги

Кт972: характеристики транзистора, аналоги, цоколевка

Разновидности порядка действия биполярных транзисторов

Нормальный активный режим

Характеристика:

  1. Открытая эмиттерно-базовая область (смещение по прямому направлению);
  2. Закрытая коллекторно-базовая область (смещение по обратному направлению);
  3. Положительный уровень напряжения в эмиттерно-базовой области;
  4. Отрицательный уровень напряжения в коллекторно-базовой области.

Пункты 3 и 4 приведены для  p-n-p транзисторов. Для моделей с n-p-n структурой характеристика будет обратной данной.

Инверсный активный режим

Характеристика:

  1. Обратное смещение на эмиттерном переходе;
  2. Прямое смещение на коллекторным переходе.

Остальные пункты как для нормального активного режима.

Режим насыщения

Характеристика:

  1. Соединение Э-перехода и К-перехода с внешними источниками;
  2. Прямое смещение эмиттерного и коллекторного перехода;
  3. Ослабление диффузного электрического поля из-за электрического поля внешних источников;
  4. Снижение уровня потенциального барьера, что приведёт к ослаблению контроля диффузии основных НЗ, а также смещению большого количества дырок из эмиттерных и коллекторных областей в область базы.

Вследствие последнего пункта происходит формирование эмиттерных и коллекторных токов насыщения (Iэ.нас. и Iк.нас.)

В этом же режиме фигурирует понятие «напряжение насыщения» на переходе К-Э. Благодаря ему можно определить степень падения напряжения для открытого транзистора. Подобным образом напряжение насыщения для перехода Б-Э  определяет степень падения напряжения для приведённого участка.

Режим отсечки

Характеристика:

  • Смещение по обратному направлению в К-области;
  • Смещение Э-перехода по любому направлению, при условии, что оно не превысит пороговый показатель, который отграничивает начало процесса испускания электронов эмиттером в базовый слой.

Уровень приведённого показателя в случае с кремниевым биполярным транзистором достигает 0,6-0,7 Вольт, значит режим отсечки возможен при нулевой силе тока на базе, либо при уровне напряжения менее 0,7 Вольт на Э-Б переходе.

Барьерный режим

Характеристика:

  • Соединение базового сегмента и коллектора на коротко, либо с применением малогабаритного резистора;
  • Производится подключение резистора к коллекторной или эмиттерной цепи, чтобы он мог задавать ток посредством транзисторного элемента.

Действие в представленном режиме преобразует полупроводниковый триод в аналог диода с последовательным подключением к токозадающему резистору. Каскад, построенный в соответствии с данной схемой,имеет небольшое количество составляющих и почти не зависит от характеристик используемого устройства.

Характеристики транзистора КТ817

Транзистор Uкбо(и),В Uкэо(и), В Iкmax(и), А Pкmax(т), Вт h21э fгр., МГц
КТ817А 40 40 3 (6) 1 (25) 25-275 3
КТ817Б 45 45 3 (6) 1 (25) 25-275 3
КТ817Б2 45 45 3 (6) 1 (25) ≥100 3
КТ817В 60 60 3 (6) 1 (25) 25-275 3
КТ817Г 100 90 3 (6) 1 (25) 25-275 3
КТ817Г2 100 90 3 (6) 1 (25) ≥100 3

Uкбо(и) – Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-базаUкэо(и) – Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-эмиттерIкmax(и) – Максимально допустимый постоянный (импульсный) ток коллектораPкmax(т) – Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом)h21э – Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттеромfгр – граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером

Комплиментарной парой транзистора КТ817 является КТ816

Характеристики биполярного транзистора.

Выделяют несколько основных характеристик транзистора, которые позволяют понять, как он работает, и как его использовать для решения задач. И первая на очереди — входная характеристика, которая представляет из себя зависимость тока базы от напряжения база-эмиттер при определенном значении напряжения коллектор-эмиттер:

I_{б} = f(U_{бэ}), \medspace при \medspace U_{кэ} = const

В документации на конкретный транзистор обычно указывают семейство входных характеристик (для разных значений U_{кэ}):

Входная характеристика, в целом, очень похожа на прямую ветвь . При U_{кэ} = 0 характеристика соответствует зависимости тока от напряжения для двух p-n переходов включенных параллельно (и смещенных в прямом направлении). При увеличении U_{кэ} ветвь будет смещаться вправо.

Переходим ко второй крайне важной характеристике биполярного транзистора — выходной. Выходная характеристика — это зависимость тока коллектора от напряжения коллектор-эмиттер при постоянном токе базы

I_{к} = f(U_{кэ}), \medspace при \medspace I_{б} = const

Для нее также указывается семейство характеристик для разных значений тока базы:

Видим, что при небольших значениях U_{кэ} коллекторный ток увеличивается очень быстро, а при дальнейшем увеличении напряжения — изменение тока очень мало и фактически не зависит от U_{кэ} (зато пропорционально току базы). Эти участки соответствуют разным .

Для наглядности можно изобразить эти режимы на семействе выходных характеристик:

Участок 1 соответствует активному режиму работы транзистора, когда эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный — в обратном. Как вы помните, в данном режиме незначительный ток базы управляет током коллектора, имеющим бОльшую величину.

Для управления током базы мы увеличиваем напряжение U_{бэ}, что в соответствии со входными характеристиками приводит к увеличению тока базы. А это уже в соответствии с выходной характеристикой в активном режиме приводит к росту тока коллектора. Все взаимосвязано.

Небольшое дополнение. На этом участке выходной характеристики ток коллектора все-таки незначительно зависит от напряжения U_{кэ} (возрастает с увеличением напряжения). Это связано с процессами, протекающими в биполярном транзисторе. А именно — при росте напряжения на коллекторном переходе его область расширяется, а соответственно, толщина слоя базы уменьшается. Чем меньше толщина базы, тем меньше вероятность рекомбинации носителей в ней. А это, в свою очередь, приводит к тому, что коэффициент передачи тока \beta несколько увеличивается. Это и приводит к увеличению тока коллектора, ведь:

I_к = \beta I_б

Двигаемся дальше

На участке 2 транзистор находится в режиме насыщения. При уменьшении U_{кэ} уменьшается и напряжение на коллекторном переходе U_{кб}. И при определенном значении U_{кэ} = U_{кэ \medspace нас} напряжение на коллекторном переходе меняет знак и переход оказывается смещенным в прямом направлении. То есть в активном режиме у нас была такая картина — эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный — в обратном. В режиме же насыщения оба перехода смещены в прямом направлении.

В этом режиме основные носители заряда начинают двигаться из коллектора в базу — навстречу носителям заряда, которые двигаются из эмиттера в коллектор. Поэтому при дальнейшем уменьшении U_{кэ} ток коллектора уменьшается. Кроме того, в режиме насыщения транзистор теряет свои усилительные свойства, поскольку ток коллектора перестает зависеть от тока базы.

Режим насыщения часто используется в схемах ключей на транзисторе. В одной из следующих статей мы как раз займемся практическими расчетами реальных схем и там используем рассмотренные сегодня характеристики биполярного транзистора.

И, наконец, область 3, лежащая ниже кривой, соответствующей I_{б} = 0. Оба перехода смещены в обратном направлении, протекание тока через транзистор прекращается. Это так называемый режим отсечки.

Все параметры транзисторов довольно-таки сильно зависят как друг от друга, так и от температуры, поэтому в документации приводятся характеристики для разных значений. Вот, например, зависимость коэффициента усиления по току (в зарубежной документации обозначается как h_{FE}) от тока коллектора для биполярного транзистора BC847:

Как видите, коэффициент усиления не просто зависит от тока коллектора, но и от температуры окружающей среды. Разным значениям температуры соответствуют разные кривые.

Справочники

 
   
 
 

Цоколевка широко распространенных транзисторов и цветовая и кодовая маркировка транзисторов.

Цветовая и кодовая маркировка транзисторов

В цветовой и кодовой маркировке транзисторов нет единых стандартов. Каждый завод, который производит транзисторы, принимает свои цветовые и кодовые обозначения. Вы можете встретить транзисторы одного типа и группы, которые изготовлены разными заводами и маркируются по-разному, или разные транзисторы, которые марки­руются одинаково. В этом случае их можно отличить только по некоторым до­полнительным признакам, таким как длина выводов коллектора и эмиттера или окраска торцевой (противоположной выводам) поверхности транзистора.

Табл. 8.13. Цветовая и кодовая маркировка транзисторов в корпусе КТ-26.

Цветовая маркировка транзисторов осуществляется двумя точками. Тип транзи­стора обозначается на боковой поверхности, а маркировка группы на торцевой (рис. 8.2).

Кодовая маркировка наносится на боковую поверх­ность транзистора (рис. 8.2). Тип транзистора обозначается кодовым знаком (табл. 8.13), а группа — соответствующей буквой. Дата изготовления в соответствии с ГОСТ 26486-82 кодируется двумя буквами или буквой и цифрой (табл. 8.14). Первая буква обознача­ет год выпуска, а следующая за ней цифра или буква — месяц. Кодированное обозначение даты изготовления применяется не только для транзисторов, но и для других радиоэлементов. На рис. 8.3 приведены примеры кодовой и цветовой маркировки транзисторов в корпусе КТ-26.

Транзисторы в корпусе КТ-27 могут маркироваться или буквенно — цифровым кодом (табл. 8.16 и рнс. 8.4) или ко­дом, состоящим из геометриче­ских фигур (рис. 8.4).

Транзисторы в корпусе КТ-27 дополнительно маркиру­ются окрашиванием торца кор­пуса, противоположного выводам: КТ814 — серо — бежевый;

КТ815 — серый нлн снренево — фиолетовый;

КТ816 — розово — красный;

КТ817 — серо — зелёный;

КТ683 — фиолетовый;

КТ9115 — голубой.

Транзисторы КТ814Б, КТ815Б, КТ816Б и КТ817Б иногда маркируются только окрашиванием торцевой поверхности без нанесения буквенно — цифрового кода.

Примеры маркировки транзисторов в корпусе КТ-13 приведены на рис. 8.6. Буква группы у транзисторов КТ315 наносится сбоку поверхности, а КТ361 — посередине.

Тип транзисторов КПЗОЗ и КП307 в корпусе КТ-1-12 маркируются соот­ветственно цифрами 3 и 7, группа — соответствующей буквой. Транзисторы КП327А маркируются одной белой точкой, а КП327Б — двумя (рис. 8.3).

Здесь Ваше мнение имеет значение

 —
 поставьте вашу оценку (оценили — 66 раз)

   

Кизлюк А.И.

Ключевые теги: Кизлюк

 
 
 
Смотри также:
 
   
  • Калькулятор РЛ
  • Прибор для проверки транзисторов «ППТ»
  • Портативный прибор для подбора пары мощных транзисторов KB усилителя мощнос …
  • Обозначение зарубежных радиоэлементов
  • Цветовая маркировка резисторов
  • Кашкаров А. П. — Популярный справочник радиолюбителя (2008)
  • Основные системы условных обозначений зарубежных полупроводниковых приборов
  • Усилитель мощности без динамических искажений
  • Основы основ начинающего радиолюбителя. Краткая справка
  • Справочник по устройству и ремонту телефонных аппаратов зарубежного и отече …
  • Программа для определения типа транзистора по цветной и кодовой маркировке
  • Новые MOSFET транзисторы DualCool NexFET с двухсторонним охлаждением от T …
  • Как простым омметром проверить полевой транзистор
  • «Хитрые» неисправности транзисторов серии КТ3102, КТ3107
  • STMicro анонсировала новую серию транзисторов с технологией STripFET
 

Маркировка и цоколёвка

Данный прибор имеет структуру n — p — n . Выводы элемента слева-направо, при обращении лицевой части транзистора к нам(плоская сторона с маркировкой), имеют такой порядок – “коллектор-база-эмиттер”. Цоколёвку КТ3102 нужно знать и учитывать её при пайке прибора. Ошибка при пайке может повредить весь транзистор.

Маркировка транзисторов применяется для различия одного типа прибора от другого. Например, различия между типом А и Б. В случае КТ3102, маркировка имеет следующую структуру:

  • Зелёный кружок на лицевой стороне означает тип транзистора. В нашем случае – КТ3102.
  • Кружок сверху означает букву прибора (А, Б, В и т.д). Применяются следующие обозначения :

А – красный или бордовый. Б – жёлтый. В – зелёный. Г – голубой. Д – синий. Е – белый. Ж – тёмно-коричневый.

На некоторых приборах вместо цветовых обозначений, маркировка пишется словами. Например, 3102 EM. Подобные обозначения удобнее цветных.

Знание маркировки транзистора позволит правильно подобрать нужный элемент, согласно требуемым параметрам.

Транзистор КТ382 — DataSheet

Перейти к содержимому

Описание

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 400 МГц. Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей высокой частоты и СВЧ. Выпускаются в металокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами. Обозначение типа приводится на этикетке. На крышке корпуса наносится условная маркировка цветными точками 2Т382А — одна черная, КТ382А — две черные 2Т382Б — одна красная, КТ382Б — две красные. Масса транзистора не более 0,3 г.

Параметры транзистора КТ382
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед.
изм.
Аналог КТ382А(М) 2N5032 *3, MRF5031HX *1
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ382А(М) 65 °C (85 °C) 100 мВт
КТ382Б(М) 65 °C (85 °C) 100
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером

fгр, f*h31б, f**h31э, f***max
КТ382А(М)

≥1800
МГц
КТ382Б(М)

≥1800

Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера
UКБО проб. , U*КЭR проб., U**
КЭО проб.
КТ382А(М)

15
В

КТ382Б(М)

15

Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора
UЭБО проб., 
КТ382А(М)

3
В

КТ382Б(М)

3

Максимально допустимый постоянный ток коллектора
IK max, I*К , и max

КТ382А(М)

20(40*)
мА

КТ382Б(М)

20(40*)

Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера
IКБО, I*КЭR, I**КЭO
КТ382А(М)
15 В
≤0. 5
мкА

КТ382Б(М)
15 В

≤0.5
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером
h21э,  h*21Э
КТ382А(М)
1 В; 5 мА
40…330*

КТ382Б
1 В; 5 мА
40…330*

Емкость коллекторного перехода
cк,  с*12э
КТ382А(М)
5 В
≤2
пФ

КТ382Б(М)
5 В
≤2

Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером
 rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у. р.
КТ382А(М)
400 МГц
≥9**
Ом, дБ

КТ382Б(М)
400 МГц
≥5**

Коэффициент шума транзистора
Кш, r*b, P**вых
КТ382А(М)
400 МГц

≤3

Дб, Ом, Вт

КТ382Б(М)
400 МГц
≤4.5

Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте
τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс)
КТ382А(М)

≤15
пс

КТ382Б(М)

≤10

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Ток или поле, управление транзисторами

Большинству людей, так или иначе имеющими дело с электроникой, принципиальное устройство полевых и биполярных транзисторов должно быть известно. По крайней мере, из названия «полевой транзистор», очевидно, что управляется он полем, электрическим полем затвора, в то время как биполярный транзистор управляется током базы.

Ток и поле, различие здесь кардинальное. У биполярных транзисторов управление током коллектора осуществляется путем изменения управляющего тока базы, в то время как для управления током стока полевого транзистора, достаточно изменить приложенное между затвором и истоком напряжение, и не нужен уже никакой управляющий ток как таковой.

Понравилась статья? Поделиться с друзьями:
Пафос клуб
Добавить комментарий

;-) :| :x :twisted: :smile: :shock: :sad: :roll: :razz: :oops: :o :mrgreen: :lol: :idea: :grin: :evil: :cry: :cool: :arrow: :???: :?: :!: