Кт805бм характеристики транзистора: цоколевка, аналог, даташит

Технические характеристики

КТ805АМ, как все полупроводниковые приборы, имеет техническое описание от производителя. Оно содержит информацию об устройстве, его обозначению, а так же предельно допустимые характеристики. Рассмотрим их более подробно:

максимальное напряжение К-Э: постоянное (U_КЭ) до 60 В; импульсное (U_{КЭ и}) до 160 В при t_И≤ 500 мкс, t_Ф ≥15 мс, R_БЭ = 10 Ом, температуре перехода (Т_П) ≤ +100OС; до 180 вольт в схемах строчной телевизионной развертки при Т_К≤, t_И≤ 50 мс;
напряжение Э-Б (U_ЭБ): — 5 В, импульсное (U_{ЭБ и}) до 8 В, при t_И≤ 40 мс;
ток коллектора (I_К): -5 А; импульсный (I_{К и}) при t_И≤ 40 мс и Q≥1.5 — 8 А;
ток базы (I_Б) — 2 А; импульсный (I_{Б и}) при t_И≤ 20 мc — 2.5 А;
тепловое сопротивление кристалл-корпус (R_Т_(П-К)) — 3.3 OС/Вт;
средняя рассеиваемая мощность (P_К) на коллекторе при Т_К≤ +50 OС до 30 Вт, а при Т_К= +100 OС до 15 Вт. Если Т_К ≥ +50 OС, то мощность P_K рассчитывается по стандартной формуле P_K_макс = (150 – T_К)/R_Т_(П-К),Вт;
максимальная температура Т_П до + 150 OС, вокруг корпуса от -60 до +100 OС.

Электрические

Кроме предельно допустимых значений, в даташит на КТ805АМ указаны электрические значения. В них каждый параметр приводится с учётом определенных режимов измерений, указанных в отдельном столбце. Температура вокруг корпуса прибора при этом составляет не более +25 OС:

Аналоги

Полным отечественным аналогом у КТ805АМ, с идентичными электрическими параметрами, но в другом металлостеклянном корпусе является транзистор КТ305А. Эти два устройства указаны в одном техническом описании у всех российских производителей. Зарубежными аналогами в пластиковом корпусе ТО-220 можно считать: 2SC2562, 2SC3422 (Toshiba), в металлизированном TO3 — BDY60.

Полевые транзисторы

Так же очень распространенные на сегодняшний день компоненты. Их применяют даже чаще, чем биполярные. К примеру, инверторы теперь в основном только с полевыми, то есть биполярные приборы они уже стеснили. И если у вас возникает вопрос, можно ли заменить полевой транзистор биполярным, то ответ будет положительным. Однако в полевом плюсов намного больше, чем в биполярном.

Полевые усилители поглощают энергии намного меньше, чем биполярные, так как полевые управление фокусируют на напряжении и электрическим полем заряда, в то время когда биполярные же держатся на токе базы. Поэтому их предпочитают больше. Полевые транзисторы даже переключаются в разы быстрее, чем биполярные. К тому же они имеют хорошую термоустойчивость. И для того, чтобы переключить направления электрического тока, полевые транзисторы вправе соединяться параллельно и без резисторов, просто нужен драйвер, подходящий для этого.

Если же говорить о замене полевых триодов, то и здесь есть способ поиска их аналогов. В принципе в поиске с биполярными не сильно отличается, можно сказать даже, что будет практически таким же. Но разница небольшая есть: нет той проблемы с передачей тока, как у биполярного транзистора. Нельзя забывать о сток-исток, нужно помнить о запасе.

К тому же у полевого есть такой параметр, как сопротивление открытого канала. Вот от него легко определить, что будет с мощностью, и как она будет рассеиваться

Ну и, конечно же, очень важно рассчитывать это сопротивление открытого канала, так как можно потерять много энергии и напряжении при переходе не будет слишком высоким

Чем можно заменить полевые транзисторы?

Крутизна S также очень важна при поиске аналога. Данный параметр будет показывать состояние тока стока при напряжении затвора. Это позволит определить, сколько понадобится напряжения для коммутации.

Помните, что выбирать важно и исходя от порогового напряжения затвора, если напряжение будет в разы меньше порогового, то нормального функционирования от вашего аналога ждать не придется. Цепь при получении напряжения не получит нужного и вся мощность, точнее ее рассеивание останется на приборе, а для него этого нежелательно, ведь может случиться перегрев. В даташите еще говорится, что мощность рассеяния обоих приборов одинакова: и зависит это от корпуса

Если корпус большой, то получение тепловой мощности будет безопаснее рассеиваться

В даташите еще говорится, что мощность рассеяния обоих приборов одинакова: и зависит это от корпуса. Если корпус большой, то получение тепловой мощности будет безопаснее рассеиваться.

Емкость затвора так же очень важна в случае данного предмета

Очень важно, чтобы затвор не был крайне тяжелым, и необходимо помнить об этом при выборе. Будет очень хорошо, если он будет меньше в разы, так как это принесет удобство и легкость в использовании данного механизма. Однако если вам нет необходимости перепаивать, то спокойно можно выбрать размер, который идеально подойдет, схожий с оригиналом

Однако если вам нет необходимости перепаивать, то спокойно можно выбрать размер, который идеально подойдет, схожий с оригиналом.

К примеру, сейчас довольно часто меняют IRFP460 на более новую и современную 20N50, так как у него затвор крайне легкий. Опять-таки даташит скажет то же самое, указав на массу схожести, несмотря на преимущество второго.

Биполярный транзистор

Биполярный транзистор обладает двумя переходами: p-n-p или n-p-n. Принципиальное различие между ними – направление течения тока.

Коллектор и эмиттер, обладающие одинаковой проводимостью (в n-p-n транзисторе n-проводимостью), разделены базой, которая обладает p-проводимостью. Если даже эмиттер подключен к источнику питания, ему не пробиться напрямую в коллектор. Для этого необходимо подать ток на базу.

В таком случае электроны из эмиттера заполняют «дырки» последней. Но так как база слабо легирована, то и дырок в ней мало. Поэтому большая часть электронов переходит в коллектор и они начинают свое движение по цепи. Ток коллектора практически равен току эмиттера, ведь на базу приходится очень маленькое его значение.

Чтобы нагляднее себе это представить, можно воспользоваться аналогией с водопроводной трубой. Для управления количеством воды нужен вентиль (транзистор). Если приложить к нему небольшое усилие, он увеличит свое проходное сечение трубы и через него начнет проходить больше воды.

Основные особенности транзистора Дарлингтона

Основное достоинство составного транзистора это большой коэффициент усиления по току.

Следует вспомнить один из основных параметров биполярного транзистора. Это коэффициент усиления (h21). Он ещё обозначается буквой β («бета») греческого алфавита. Он всегда больше или равен 1. Если коэффициент усиления первого транзистора равен 120, а второго 60 то коэффициент усиления составного уже равен произведению этих величин, то есть 7200, а это очень даже неплохо. В результате достаточно очень небольшого тока базы, чтобы транзистор открылся.

Инженер Шиклаи (Sziklai) несколько видоизменил соединение Дарлингтона и получил транзистор, который назвали комплементарный транзистор Дарлингтона. Вспомним, что комплементарной парой называют два элемента с абсолютно одинаковыми электрическими параметрами, но разной проводимости. Такой парой в своё время были КТ315 и КТ361. В отличие от транзистора Дарлингтона, составной транзистор по схеме Шиклаи собран из биполярных разной проводимости: p-n-p и n-p-n. Вот пример составного транзистора по схеме Шиклаи, который работает как транзистор с n-p-n проводимостью, хотя и состоит из двух различной структуры.

схема Шиклаи

К недостаткам составных транзисторов следует отнести невысокое быстродействие, поэтому они нашли широкое применение только в низкочастотных схемах. Такие транзисторы прекрасно зарекомендовали себя в выходных каскадах мощных усилителей низкой частоты, в схемах управления электродвигателями, в коммутаторах электронных схем зажигания автомобилей.

Хорошо зарекомендовал себя для работы в электронных схемах зажигания мощный n-p-n транзистор Дарлингтона BU931.

Основные электрические параметры:

Напряжение коллектор – эмиттер 500 V;
Напряжение эмиттер – база 5 V;
Ток коллектора – 15 А;
Ток коллектора максимальный – 30 А;
Мощность рассеивания при 250С – 135 W;
Температура кристалла (перехода) – 1750С.

На принципиальных схемах нет какого-либо специального значка-символа для обозначения составных транзисторов. В подавляющем большинстве случаев он обозначается на схеме как обычный транзистор. Хотя бывают и исключения. Вот одно из его возможных обозначений на принципиальной схеме.

Напомню, что сборка Дарлингтона может иметь как p-n-p структуру, так n-p-n. В связи с этим, производители электронных компонентов выпускают комплементарные пары. К таким можно отнести серии TIP120-127 и MJ11028-33. Так, например, транзисторы TIP120, TIP121, TIP122 имеют структуру n-p-n, а TIP125, TIP126, TIP127 — p-n-p.

Также на принципиальных схемах можно встретить и вот такое обозначение.

Кт805бм транзистор: особенности использования

Основные особенности использования транзистора Кт805бм:

Максимальное значение коллекторного тока, Iк(max)	0,4 А
Максимальное значение напряжения коллектор-эмиттер, Uкэ(max)	60 В
Максимальная мощность потери, Рпот(max)	0,9 Вт
Максимальная рабочая частота, fт	50 МГц

Транзистор Кт805бм может быть использован в различных схемах, включая усилительные и коммутационные цепи.

Он обладает хорошими электрическими характеристиками, такими как высокая надежность, низкий уровень шума и достаточно большое значение коэффициента усиления тока.

При сборке схем с использованием Кт805бм транзистора, необходимо обратить внимание на следующие моменты:

Правильное подключение электроцепей к коллектору, базе и эмиттеру транзистора;
Необходимость применения радиатора для охлаждения транзистора, особенно при работе с высокой мощностью;
Выбор соответствующих элементов схемы (резисторы, конденсаторы и прочие) с учетом требуемых характеристик и условий работы транзистора;
Обеспечение надежного соединения контактов транзистора с проводниками схемы (сварка, пайка или другие методы);
Правильное размещение транзистора в схеме с учетом требований по минимизации наводок и помех от других элементов;

Соблюдение этих особенностей позволит максимально использовать возможности Кт805бм транзистора и обеспечить надежную работу электронного устройства.

Транзисторы биполярные в корпусе SOT-23

SMD транзисторы. Маркировка и взаимозамена SMD-транзисторов. Как по маркировке правильно определить тип установленного в плату SMD- прибора, быстро и точно найти замену, подскажет предлагаемый материал. Можно спорить о частоте таких совпадений, но они нередки и встречаются даже среди продукции одной фирмы. Различить такие совпадения может только опытный человек по окружающим компонентам обвески и схеме включения. А пока встречаются элементы, корпус которых имеет стандартные размеры, но нестандартное название.

Корпуса с одним и тем же названием могут иметь разную высоту. В табл. Большинство из SMD-транзисторов можно заменить на их аналоги, а также на обычные дискретные транзисторы, зная электрические характеристики возможных замен. Таблица 3. Маркировка некоторых SMD-транзисторов и аналог для замены. Обозначение на корпусе. Тип транзистора.

Аналог по электрическим. В СА. MMBCF3 -. В таблице представлен далеко не полный список активных приборов в SMD- корпусах. Данные по SMD-транзисторам можно найти самостоятельно, обратившись к справочной литературе. Маркировка и электрические характеристики некоторых SMD-транзисторов широкого применения. U кэ откр. F гр МГц. SOT Маркировка транзисторных SMD-сборок. Маркировка некоторых высоковольтных SMD-транзисторов.

Коэффициент передачи. Тип прибора. SST «. Сейчас на сайте: гостей 3 роботов. Новые пользователи: Administrator. Всего пользователей: 1.

Подписка на новости. Все для радиолюбителя. Для тебя. Пользователи : 1 Статьи : Просмотры материалов : Подписка на новости Все для радиолюбителя. Маркировка некоторых SMD-транзисторов и аналог для замены Обозначение на корпусе. Аналог по электрическим характеристикам. U кэ откр В. I к const mA. Коэффициент передачи на МГц.

Граничная частота.

Транзисторы КТ837(2Т837) и КТ829 – маркировка и цоколевка.

Особености проверки(прозвонки)на целосность транзисторов КТ829.

Так как транзистор КТ829 является составным, его вполне можно заменить несложной схемой КТ817+КТ819.

Не удивительно, что при проверки тестером переход база-эмиттер будет звониться в обе стороны, причем у разных КТ829 может наблюдаться значительный разброс по значению обратного сопротивления. От суммы сопротивлений изображенных в схеме на картинке, до гораздо меньших значений (7 кОм, к примеру). Отчего разброс так велик, автору доподлинно не известно, но то что на работоспособность КТ829 это влияет незначительно – это точно. Ведь имеющееся сопротивление эмиттер-база всего лишь слегка “подпирает” транзистор.

Транзисторы – купить… или найти бесплатно.

Где сейчас можно найти советские транзисторы?В основном здесь два варианта – либо купить, либо – получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.

Во время промышленного коллапса начала 90-х? образовались довольно значительные запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день. Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки – можно купить. Если же нет – всегда имеются более-менее современные импортные аналоги. Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте. Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например – “Гулливер”.

Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника – можно попытаться выпаять необходимые транзисторы из ее схем.Например, транзисторы КТ837 можно обнаружить в блоке усилителя активной акустической системы 35АС-013(Радиотехника S-70). в усилителях “Радиотехника У-7101 стерео,” “Радиотехника У-101 стерео.” На главную страницу

Характеристики и основные особенности

Основные характеристики транзистора KT805БМ:

Тип корпуса: TO-3P
Максимальное рабочее напряжение Vceo: 120 В
Максимальный коллекторный ток Ic: 5 А
Максимальная мощность Pw: 25 Вт
Коэффициент усиления hfe: 40-320
Максимальная рабочая температура Tj: 150 °С

Транзистор KT805БМ может использоваться в различных электронных схемах и устройствах:

В усилителях малой мощности, например, в радиоприемниках и аудиоусилителях;
В импульсных источниках питания;
Во встроенных системах управления;
Во включениях преобразователей постоянного и переменного тока.

Транзистор KT805БМ обладает низким уровнем шума, хорошей линейностью и высоким коэффициентом усиления, что позволяет использовать его в различных электронных схемах для усиления и коммутации сигналов.