Mmbt5550 pdf ( даташит ) - high voltage transistor

Технические характеристики 2n5401

Самыми важными, для транзистора, считаются предельно допустимые характеристики. Именно их производители приводят первыми в своей технической документации. Измерение параметров, как максимальных, так и электрических, происходит при температуре +25°С. Вот они:

напряжение К – Б U_{кб max}(V_CBO) = -160 В;
напряжение К – Э U_{кэ max}(V_CЕO) = -150 В;
напряжение Э – Б U_{эб max}(V_ЕBO) = -5 В;
ток через коллектор I_{к max} (I_C) = 600 мА;
максимальная рассеиваемая мощность без теплоотвода:
- для корпуса ТО-92 P_{к max} (P_D) = 0,625 Вт;
- для корпуса SOT-89 P_{к max} (P_D) = 0,5 Вт
- для корпуса SOT-23 P_{к max} (P_D) = 0,35 Вт.

максимальная рассеиваемая мощность с теплоотводом (корпус ТО-92) P_{к max} (P_D) = 1,5 Вт;
температура рабочая и хранения T_stg = -50 … +150°С;
предельная температура кристалла Т_j = 150°С.

Следующими по важности характеристиками являются электрические. От них также зависят функциональные возможности транзистора. При их измерении важную роль играют значения внешних параметров

В таблице они расположены в отдельной колонке, которая называется «Условия измерения»

При их измерении важную роль играют значения внешних параметров. В таблице они расположены в отдельной колонке, которая называется «Условия измерения».

Электрические характеристики транзистора 2N5401 (при Т = +25°C)
Параметры	Обозн.	Условия измерения	min	max	Ед. изм
Напряжение пробоя К –Э	U_{кэ(проб.)}	I_К=-1,0мA, I_Б=0	-150		В
Напряжение пробоя К – Б	U_{кб(проб.)}	I_К=-100мкA, I_Э=0	-160		В
Напряжение пробоя Э – Б	U_{эб(проб.)}	I_Э=-10мкA, I_К=0	-5		В
Обратный ток коллектора	I_кбо	U_кб=-120В, I_Э=0		-50	нА
U_кб=-120В, I_Э=0, Т_А=100°С		-50	мкА
Обратный ток эмиттера	I_эбо	U_эб= — 3 В, I_К=0		-50	нА
Статический к-т передачи тока	h_21э	I_К=-1 мA, U_кэ=-5В	50	240
I_К=-10мA, U_кэ=-5В	60
I_К=-50мA, U_кэ=-5В	50
Напряжение насыщения К — Э	U_{кэ(нас.)}	I_К=-10мA, I_Б=-1мA		-0,2	В
I_К=-50мA, I_Б=-5мA		-0,5
Напряжение насыщения Б — Э	U_{бэ(нас.)}	I_К=-10мA, I_Б=-1мA		-1	В
I_К=-50мA, I_Б=-5мA		-1
Граничная частота к-та передачи тока	f_гр	U_кэ=-10B,I_К=-10мA	100	300	МГц
Ёмкость коллекторного перехода	C_к	U_кб= -10В, I_Э= 0, f= 1мГц		6	пФ
К-т шума	К_ш	I_К=-250мкA, U_кэ=-5В, R_S =1.0 кОм, f =10 Гц … 15.7 кГц		8	дБ

MMBT5550 Datasheet (PDF)

..1. Size:199K motorola mmbt5550 mmbt5551.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBT5550LT1/DMMBT5550LT1High Voltage Transistors*MMBT5551LT1COLLECTORNPN Silicon3*Motorola Preferred Device1BASE2

..2. Size:105K fairchild semi mmbt5550.pdf

August 2005MMBT5550NPN General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose high voltage amplifiers and gas discharge display drivers.32SOT-231Marking: 1F1. Base 2. Emitter 3. Collector Absolute Maximum Ratings * Ta = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 140 VVCBO Collector-Base Voltage 160 VVEBO

..3. Size:714K jiangsu mmbt5550.pdf

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD J C T SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors MMBT5550 TRANSISTOR (NPN) SOT23 FEATURES High Voltage Transistor MARKING:M1F MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) 1. BASE Symbol Parameter Value Unit 2. EMITTER V Collector-Base Voltage 160 V CBO3. COLLECTOR V Collector-Emitter Voltage 140 V CEOV

..4. Size:469K htsemi mmbt5550.pdf

MMBT5550TRANSISTOR(NPN) SOT23 FEATURES High Voltage Transistor MARKING:M1F MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) 1. BASE Symbol Parameter Value Unit 2. EMITTER V Collector-Base Voltage 160 V CBO 3. COLLECTOR V Collector-Emitter Voltage 140 V CEOV Emitter-Base Voltage 6 V EBOI Collector Current 600 mA CPC Collector Power Dissipation 225 mW

..5. Size:340K kexin mmbt5550.pdf

SMD Type TransistorsNPN TransistorsMMBT5550 (KMBT5550)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.10.4+0.1-0.13 Features Collector Current Capability IC=0.6A Collector Emitter Voltage VCEO=140V1 2 High Voltage Transistor+0.1+0.050.95 -0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit

..6. Size:1026K anbon mmbt5550 mmbt5551.pdf

MMBT5550 / MMBT5551High Voltage TransistorsNPN SiliconPackage outlineFeatures High collector-emitterbreakdien voltage.SOT-23(BV = 140V~ 160V@I =1mA)CEO C This device is designed for general purpose high voltageamplifiers and gas discharge display driving. Epitaxial planar die construction. Lead-free parts for green partner, exceeds environmentalstandards of

..7. Size:1240K cn shikues mmbt5550 mmbt5551.pdf

0.1. Size:167K onsemi mmbt5550l mmbt5551l.pdf

MMBT5550L, MMBT5551LHigh Voltage TransistorsNPN SiliconFeatures S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Uniquewww.onsemi.comSite and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified andPPAP CapableCOLLECTOR3 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant1BASEMAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit2EMITTERCollector

0.2. Size:172K onsemi mmbt5550lt1g.pdf

MMBT5550L, MMBT5551L,SMMBT5551LHigh Voltage TransistorsNPN Siliconhttp://onsemi.comFeatures AEC-Q101 Qualified and PPAP CapableCOLLECTOR S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique3Site and Control Change Requirements These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS1BASECompliant2MAXIMUM RATINGSEMITTERRating Symbol Va

0.3. Size:121K onsemi mmbt5550lt1 mmbt5551lt1.pdf

MMBT5550LT1G,MMBT5551LT1GHigh Voltage TransistorsNPN Siliconhttp://onsemi.comFeatures These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCOLLECTORCompliant3MAXIMUM RATINGS 1BASERating Symbol Value UnitCollector-Emitter Voltage VCEO Vdc2MMBT5550 140EMITTERMMBT5551160Collector-Base Voltage VCBO VdcMARKINGMMBT5550 1603DIAGRAMMMBT555118

0.4. Size:198K zovie mmbt5550gh mmbt5551gh.pdf

Zowie Technology CorporationHigh Voltage TransistorsLead free productHalogen-free typeFEATURE We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.3COLLECTOR3MMBT5550GH11BASEMMBT5551GH 22SOT-23EMITTERMAXIMUM RATINGSRating Symbol Value UnitCollectorEmitter Voltage V CEO 140 VdcCollectorBase Voltage V CBO 160 VdcEmitterB

0.5. Size:766K wietron mmbt5550-51.pdf

MMBT5550MMBT5551High Voltage NPN TransistorsCOLLECTOR3311BASE22SOT-23EMITTERMMBT5550 MMBT5551VCEO 140 160160 1806.06005563002.4417MMBT5550 = M1F ; MMBT5551 = G1(TA=25 C unless otherwise noted)(3)MMBT5550 1401.0 ,MMBT5551 160MMBT5550 160-100 ,180MMBT55516.010 ,WEITRONhttp://www.weitron.com.twMMBT5550MMBT5551ELECTRICAL

W1P SMD транзистор PMBT2222A NPN

0
Корзина

(0
отзывы)

Расчетное время доставки: 10 дней

Цена:

80,00 рупий
/ПК

Цена со скидкой:

60,00 рупий /ПК

Количество:

(В наличии)

Общая стоимость:

Продано

Электрический ученик

2/kalibari Road, Pachim Ganki, Khowai, Tripura, 799202

(0
отзывы покупателей)

Самые продаваемые продукты

Описание
Загрузки
обзоры

1P SMD Transistor PMBT2222A NPN Переключающий транзистор.

W1P SMD Trnasistor Переключающий транзистор NPN в небольшом корпусе SOT23 (TO-236AB) Устройство для поверхностного монтажа (SMD) пластик
упаковка. пластиковая, накладная упаковка; 3 терминала; 1,9мм
подача; Корпус 2,9 мм x 1,3 мм x 1 мм

Особенности :

Высокий ток (макс. 600 мА)
Low voltage (max. 40 V)
AEC-Q101 qualified
Type number : PMBT2222A
Marking code : W1P
Package : SOT23

Applications :

Switching and linear amplification
ИБП и инвертор

Предельные значения :

ВКБО напряжение коллектор-база открытый эмиттер — 75 В
ВКЭО напряжение коллектор-эмиттер открытая база — 40 В
ВЭБО напряжение эмиттер-база открытый коллектор — 6 В ток — 800 мА
IBM пиковый базовый ток — 200 мА
Ptot полная рассеиваемая мощность Tamb ≤ 25 °C — 250 мВт
Tj
температура перехода — 150 °C
Tamb1 температура окружающей среды -6 С
Температура хранения Tstg -65 150 °C

Загрузить спецификацию 1P Transistor pdf .

SOT-23: аналоги

Согласно функционалу, принцип работы рассматриваемых регуляторов аналогичен микросхемам ШИМ xx384x, устойчивым и надежным.

С заменой или выбором аналогов таких регуляторов часто возникают трудности из-за кодировки при обозначении видов микросхем. К тому же, существует много фирм-производителей элементов, которые не выкладывают документацию в открытый доступ. Дело в том, что не каждый изготовитель приборов предоставляет схемы в сервису по ремонту. Так что ремонтники вынуждены осваивать возможные варианты схем по имеющимся компонентам и монтажу именно на плате.

В практическом применении обычно используются ШИМ-микросхемы с кодировкой EAxxx. Вы не найдете официальных документов к ним, но есть картинки из PDF от System General.

Взгляните на таблицу, по которым можно подобрать аналоги с соответствующей выводной цоколевкой. Они отличаются применением 3-го вывода.

ШИМ-регуляторы (PWM), где по-другому используется вывод 3, таблица:

При применении всех указанных ШИМ, присмотритесь к выводу 3. С его помощью можно обеспечить тепловую защиту и избежать увеличения напряжения на входе. Допускается фиксированная или регулируемая конденсатором частота.

Биполярный транзистор 2N1711 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2N1711

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100

Корпус транзистора:

2N1711
Datasheet (PDF)

..1. Size:623K rca 2n1711.pdf

..2. Size:51K philips 2n1711 cnv 2.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D1112N1711NPN medium power transistor1997 May 28Product specificationSupersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN medium power transistor 2N1711FEATURES PINNING High current (max. 500 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 50 V).1 emit

..3. Size:46K st 2n1711.pdf

2N1711EPITAXIAL PLANAR NPNDESCRIPTION The 2N1711 is a silicon Planar Epitaxial NPNtransistor in Jedec TO-39 metal case. It isintented for use in high performance amplifier,oscillator and switching circuits.The 2N1711 is also used to advantage inamplifiers where low noise is an important factor.TO-39INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAMABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol Parameter Va

..4. Size:47K st 2n1711 .pdf

..5. Size:64K central 2n1613 2n1711 2n1893.pdf

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

..6. Size:127K bocasemi 2n956 2n718a 2n1711.pdf

http://www.bocasemi.comBoca Semiconductor Corp. BSC http://www.bocasemi.com

..7. Size:74K cdil 2n1711.pdf

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR TRANSISTOR 2N1711TO-39Metal Can PackageGeneral Purpose TransistorABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector Emitter Voltage, RBE

..8. Size:92K microelectronics 2n1613 2n1711.pdf

9.1. Size:318K no 2n1716s.pdf

INCH-POUND The documentation and process conversion measures necessary to comply with this revision MILPRF19500/263B shall be completed by 13 April 2015. 12 January 2015 SUPERSEDING MILS19500/263A(ER) 15 May 1963 PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET TRANSISTOR, NPN, SILICON, HIGH POWER, THROUGH-HOLE MOUNT, TYPES 2N1714 THROUGH 2N1717, QUALITY LEVEL JAN Inactive

9.2. Size:318K no 2n1715s.pdf

9.3. Size:318K no 2n1717s.pdf

9.4. Size:317K no 2n1714s.pdf

Другие транзисторы… 2N1704
, 2N1705
, 2N1706
, 2N1707
, 2N1708
, 2N1708A
, 2N1709
, 2N1710
, , 2N1711-46
, 2N1711A
, 2N1711B
, 2N1711L
, 2N1711S
, 2N1713
, 2N1714
, 2N1715
.

SMD Транзисторы в SOT корпусах

Цены в формате
.

pdf,
.xls

Маркировка	Код	Характеристики транзистора
BC807- 40	5C	Биполярный транзистор в SOT 23, pnp, 45 B, 500 мА, hFE 250 — 600
BC817- 40	6C	Биполярный транзистор в SOT 23, npn, 45 В, 500 мА, hFE 250 — 600
BC847B	1Fp	Биполярный транзистор в SOT 23, npn, 45 В, 100 мА, hFE 200 — 450
BC847BDW1T1	1F	Два транзистора в SOT363, npn, 45 В, 100 ма, hFE 420 — 800
BC847BW	1F	Биполярный транзистор в SOT 323, npn, 45 В, 100 мА, hFE 220 — 475
BC847C	1Gp	Биполярный транзистор в SOT 23, npn, 45 В, 100 мА, hFE 420 — 800
BC847CW	1G	Биполярный транзистор в SOT 323, npn, 45 В, 100 мА, hFE 420 — 800
BC857B	3Fp	Биполярный ранзистор в SOT 23, pnp, 45 В, 100 мА, hFE 220 — 475
BC857BDW1T1	3F	Два транзистора в SOT363, pnp, 45 В, 100 ма, hFE 420 — 800
BC857BW	3F	Биполярный транзистор в SOT 323, pnp, 45 В, 100 мА, hFE 220 — 475
BC857C	3Gp	Биполярный транзистор в SOT 23, pnp, 45 В, 100 мА, hFE 420 — 800
BC857CW	3G	Биполярный транзистор в SOT 323, p-n-p, 45 В, 100 мА, hFE 420 — 800
BFG520/XR	N48	СВЧ транзистор в SOT143R, 15 B, 70 мA, 9 ГГц
BFG541	BFG541	СВЧ транзистор в SOT223, 20 В, 120 мА, 9 ГГц
BFG591	BFG591	СВЧ транзистор в SOT223, 20 В, 200 мА, 7 ГГц
BFR92A	P2p	СВЧ транзистор в SOT23, 15 В, 25 мА, 5 ГГц
BFR93A	R2	СВЧ транзистор в SOT23, 12 В, 35 мА, 5 ГГц
BFS17A	E2p	ВЧ транзистор в SOT23, 15 В, 25 мА, 2,8 ГГц
BSS138PS,115	NZ	MOSFET транзистор в SOT 363, двойной N-канал, 60 В 0,32 А
FDS6982AS		MOSFET сборка в SO-8, N-канал, 30 В, 8,6 А
HE8050GD-AB3-R		Транзистор средней мощности в SOT 89, n-p-n, 25 В, 1500 мА, hFE 85 — 500
HE8550LD-AB3-R		Транзистор средней мощности в SOT 89, p-n-p, 25 В, 1500 мА, hFE 85 — 500
IRFR5305TRPBF		MOSFET транзистор в TO-252-3, P-канал, 55 В, 31 А
IRF5305PBF		MOSFET транзистор в TO-220AB, P-канал, 55 В, 31 А
IRLML2502TRPBF	1G	MOSFET транзистор в SOT 23, N-канал, 20 В 4,2 А
IRLML5203TRPBF	1H	MOSFET транзистор в SOT 23, N-канал, 30 В 3,0 А
IRLML6401TRPBF	1F	MOSFET транзистор в SOT 23, P-канал, 12 В, 4,3 А
KST42	1D	Биполярный транзистор в SOT 23, npn, 300 B, 500 мА, hFE > 25
MMBT3904LT1	1AM	Биполярный транзистор в SOT 23, npn, 40 В, 200 мА, hFE 100 — 300
MMBT3906LT1	2A	Биполярный транзистор в SOT 23, pnp, 40 В, 200 мА, hFE 100 — 300
MMBT2222ALT1	1P	Транзистор средней мощности в SOT 23, npn, 40 В, 600 мА, hFE 75 — 300
MMBTA42LT1	1D	Высоковольтный транзистор в SOT 23, npn, 300 В, 500 мА, hFE >25
MMBTA92LT1	2D	Высоковольтный транзистор в SOT 23, pnp, 300 В, 500 мА, hFE >25
2SD2114KW		Составной транзистор Дарлингтона в SOT 23, npn, 20 В, 500 мА, hFE 1200 — 2700
UMF5N	5F	Транзисторный ключ в SOT363, pnp/npn, 12/50 В, 500/30 мА, hFE 270 — 680
UMD9N	D9	Два транзисторных ключа в SOT363, pnp/npn, 50 В 100 мА, hFE min 68

Отечественные и зарубежные аналоги

Прямого аналога транзистора 13001 в номенклатуре отечественных кремниевых триодов нет, но при средних эксплуатационных режимах можно применять кремниевые полупроводниковые приборы структуры N-P-N из таблицы.

При режимах, близких к максимальным, надо внимательно выбирать аналоги так, чтобы параметры позволяли эксплуатировать транзистор в конкретной схеме. Также надо уточнять цоколевку приборов – она может не совпадать с расположением выводов 13001, это может привести к проблемам с установкой на плату (особенно, для исполнения SMD).

Из зарубежных аналогов для замены подойдут такие же высоковольтные, но более мощные кремниевые N-P-N транзисторы:

(MJE)13002;
(MJE)13003;
(MJE)13005;
(MJE)13007;
(MJE)13009.

Они отличаются от 13001, большей частью, повышенным током коллектора и увеличенной мощностью, которую может рассеивать полупроводниковый прибор, но также может иметь место различие в корпусе и расположении выводов.

В каждом конкретном случае надо проверять цоколевку. Во многих случаях могут подойти транзисторы LB120, SI622 и т.п., но надо внимательно сравнить специфические характеристики.

Так, у LB120 напряжение коллектор-эмиттер составляет те же 400 вольт, но между базой и эмиттером больше 6 вольт подавать нельзя. Также у него несколько ниже максимальная рассеиваемая мощность – 0,8 Вт против 1 Вт у 13001. Это надо учитывать при принятии решения о замене одного полупроводникового прибора на другой. То же самое относится к более мощным высоковольтным отечественным кремниевым транзисторам структуры N-P-N:

Они заменяют приборы серии 13001 функционально, имеют большую мощность (а иногда и более высокое рабочее напряжение), но расположение выводов и габариты корпуса могут разниться.

Справочная таблица по SMD транзисторам

Обозначение на корпусе	Тип транзистора	Условный аналог
15	MMBT3960	2N3960
1A	BC846A	BC546A
1B	BC846B	BC546B
1C	MMBTA20	MPSA20
1D	BC846	—
1E	BC847A	BC547A
1F	BC847B	BC547B
1G	BC847C	BC547C
1H	BC847	—
1J	BC848A	BC548A
1K	BC848B	BC548B
1L	BC848C	BC548C
1M	BC848	—
1P	FMMT2222A	2N2222A
1T	MMBT3960A	2N3960A
1X	MMBT930	—
1Y	MMBT3903	2N3903
2A	FMMT3906	2N3906
2B	BC849B	BC549B
2C	BC849C	BC549C / BC109C / MMBTA70
2E	FMMTA93	—
2F	BC850B	BC550B
2G	BC850C	BC550C
2J	MMBT3640	2N3640
2K	MMBT8598	—
2M	MMBT404	—
2N	MMBT404A	—
2T	MMBT4403	2N4403
2W	MMBT8599	—
2X	MMBT4401	2N4401
3A	BC856A	BC556A
3B	BC856B	BC556B
3D	BC856	—
3E	BC857A	BC557A
3F	BC857B	BC557B
3G	BC857C	BC557C
3J	BC858A	BC558A
3K	BC858B	BC558B
3L	BC858C	BC558C
3S	MMBT5551	—
4A	BC859A	BC559A
4B	BC859B	BC559B
4C	BC859C	BC559C
4E	BC860A	BC560A
4F	BC860B	BC560B
4G	BC860C	BC560C
4J	FMMT38A	—
449	FMMT449	—
489	FMMT489	—
491	FMMT491	—
493	FMMT493	—
5A	BC807-16	BC327-16
5B	BC807-25	BC327-25
5C	BC807-40	BC327-40
5E	BC808-16	BC328-16
5F	BC808-25	BC328-25
5G	BC808-40	BC328-40
549	FMMT549	—
589	FMMT589	—
591	FMMT591	—
593	FMMT593	—
6A	BC817-16	BC337-16
6B	BC817-25	BC337-25
6C	BC817-40	BC337-40
6E	BC818-16	BC338-16
6F	BC818-25	BC338-25
6G	BC818-40	BC338-40
9	BC849BLT1	—
AA	BCW60A	BC636 / BCW60A
AB	BCW60B	—
AC	BCW60C	BC548B
AD	BCW60D	—
AE	BCX52	—
AG	BCX70G	—
AH	BCX70H	—
AJ	BCX70J	—
AK	BCX70K	—
AL	MMBTA55	—
AM	BSS64	2N3638
AS1	BST50	BSR50
B2	BSV52	2N2369A
BA	BCW61A	BC635
BB	BCW61B	—
BC	BCW61C	—
BD	BCW61D	—
BE	BCX55	—
BG	BCX71G	—
BH	BCX71H	BC639
BJ	BCX71J	—
BK	BCX71K	—
BN	MMBT3638A	2N3638A
BR2	BSR31	2N4031
C1	BCW29	—
C2	BCW30	BC178B / BC558B
C5	MMBA811C5	—
C6	MMBA811C6	—
C7	BCF29	—
C8	BCF30	—
CE	BSS79B	—
CEC	BC869	BC369
CF	BSS79C	—
CH	BSS82B / BSS80B	—
CJ	BSS80C	—
CM	BSS82C	—
D1	BCW31	BC108A / BC548A
D2	BCW32	BC108A / BC548A
D3	BCW33	BC108C / BC548C
D6	MMBC1622D6	—
D7	BCF32	—
D8	BCF33	BC549C / BCY58 / MMBC1622D8
DA	BCW67A	—
DB	BCW67B	—
DC	BCW67C	—
DE	BFN18	—
DF	BCW68F	—
DG	BCW68G	—
DH	BCW68H	—
E1	BFS17	BFY90 / BFW92
EA	BCW65A	—
EB	BCW65B	—
EC	BCW65C	—
ED	BCW65C	—
EF	BCW66F	—
EG	BCW66G	—
EH	BCW66H	—
F1	MMBC1009F1	—
F3	MMBC1009F3	—
FA	BFQ17	BFW16A
FD	BCV26	MPSA64
FE	BCV46	MPSA77
FF	BCV27	MPSA14
FG	BCV47	MPSA27
GF	BFR92P	—
H1	BCW69	—
H2	BCW70	BC557B
H3	BCW89	—
H7	BCF70	—
K1	BCW71	BC547A
K2	BCW72	BC547B
K3	BCW81	—
K4	BCW71R	—
K7	BCV71	—
K8	BCV72	—
K9	BCF81	—
L1	BSS65	—
L2	BSS70	—
L3	MMBC1323L3	—
L4	MMBC1623L4	—
L5	MMBC1623L5	—
L6	MMBC1623L6	—
L7	MMBC1623L7	—
M3	MMBA812M3	—
M4	MMBA812M4	—
M5	MMBA812M5	—
M6	BSR58 / MMBA812M6	2N4858
M7	MMBA812M7	—
O2	BST82	—
P1	BFR92	BFR90
P2	BFR92A	BFR90
P5	FMMT2369A	2N2369A
Q3	MMBC1321Q3	—
Q4	MMBC1321Q4	—
Q5	MMBC1321Q5	—
R1	BFR93	BFR91
R2	BFR93A	BFR91
S1A	SMBT3904	—
S1D	SMBTA42	—
S2	MMBA813S2	—
S2A	SMBT3906	—
S2D	SMBTA92	—
S2F	SMBT2907A	—
S3	MMBA813S3	—
S4	MMBA813S4	—
T1	BCX17	BC327
T2	BCX18	—
T7	BSR15	2N2907A
T8	BSR16	2N2907A
U1	BCX19	BC337
U2	BCX20	—
U7	BSR13	2N2222A
U8	BSR14	2N2222A
U9	BSR17	—
U92	BSR17A	2N3904
Z2V	FMMTA64	—
ZD	MMBT4125	2N4125

Если вдруг в таблице не оказалось нужных Вам данных, то у нас на сайте есть программа по SMD элементам, скачать которую можно совершенно на этой странице. Вообще у нас все программы бесплатные, без регистраций, без файлообменников и без СМС!Вы также можете задать любой интересующий вопрос и на нашем ФОРУМЕ!

Где и как использовать ?

Это транзистор частенько встречается в различных схемах с большим напряжением на нагрузке. Напряжение, которое он может пропустить через контакты коллектора и эмиттера достигает 160 В. Может использоваться в качестве электронного ключа для включения нагрузок до 600 мА.

Этого тока достаточно для работы с различными незначительными нагрузками, а так же использования его в качестве транзистора дифкаскада. Для любителей паять электронные схемы в сети интернет широко распространена статья “Собираем Lazar” по сборке усилителя мощности звуковой частоты “Лазар” с полным описанием процесса, в котором 2N5551 используется парно.

Маркировка полевых SMD транзисторов

Маркировка	Тип прибора	Маркировка	Тип прибора

6A	MMBF4416	C92	SST4392
6B	MMBF5484	C93	SST4393
6C	MMBFU310	H16	SST4416
6D	MMBF5457	I08	SST108
6E	MMBF5460	I09	SST109
6F	MMBF4860	I10	SST110
6G	MMBF4393	M4	BSR56
6H	MMBF5486	M5	BSR57
6J	MMBF4391	M6	BSR58
6K	MMBF4932	P01	SST201
6L	MMBF5459	P02	SST202
6T	MMBFJ310	P03	SST203
6W	MMBFJ175	P04	SST204
6Y	MMBFJ177	S14	SST5114
B08	SST6908	S15	SST5115
B09	SST6909	S16	SST5116
B10	SST6910	S70	SST270
C11	SST111	S71	SST271
C12	SST112	S74	SST174
C13	SST113	S75	SST175
C41	SST4091	S76	SST176
C42	SST4092	S77	SST177
C43	SST4093	TV	MMBF112
C59	SST4859	Z08	SST308
C60	SST4860	Z09	SST309
C61	SST4861	Z10	SST310
C91	SST4391

Для чего предназначены выводы

Обозначение производится следующим образом:

Ground (GND) — аббревиатура основного провода.
Input Voltage (VCC) — питание.
Feedback (FB) — обратная связь для контроля напряжения.
Output (JUT) — соединение с затвором главного транзистора.
Current sense input pin (SEN) — токовый датчик, подключаемый к стоку главного транзисторного прибора.
Internal Oscillator frequency setting pin (RI) — подключение резистора извне, задающего частоту. В ряде микросхем он заменяется на CT.
Brownout Protection Pin (BNO) — регулятор наименьшего напряжения питания. Когда оно на этом входе меньше порогового, осуществляется отключение подачи импульсов от микросхемы.

Когда питание подается ко входу контроллера VCC, за ним следует напряжение с помощью резистора указанного моста. С помощью микросхемы запускается выдача импульсов. В дальнейшем питание подается с помощью выпрямления напряжения на нижней левой обмотке трансформатора импульсного типа.

Генерация на микросхеме происходит с фиксированной частотой. Ее задают значением резистора на RI, либо емкости на СТ.

Напряжение стабилизируется с помощью сопоставления силы тока, который протекает через главный транзистор MOSFET и обратного напряжения. Оценка тока осуществляется с учетом величины снижения напряжения резистора в цепи транзисторного стока, при подключении к выходу SEN.

Обратное напряжение снимают с регулирующегося стабилитрона. Минуя оптопару, он попадает на FB

От величины напряжения на заданных выходах зависит импульсная скважность на OUT. В большей части микросхем есть разные защитные системы, которые предотвращают поломку в нестандартных случаях