Характеристики транзистора d2058 (2sd2058)

Маркировка smd транзисторов — кодовые обозначения

Реле времени

TL431 нашел свое применение не только как источник опорного напряжения, а и во многих других применениях. Например благодаря тому что входной ток TL431 составляет 2-4мкА, то на основе этой микросхемы можно построить реле времени: при размыкании контакта S1 C1 начинает медленно заряжаться через R1, а когда напряжение на входе TL431 достигнет 2,5 В выходной транзистор DA1 откроется и через светодиод оптопары PC817 начнет протекать ток, соответственно откроется и фототранзистор и замкнет внешнюю цепь.
В этой схеме резистор R2 ограничивает ток через оптрон и стабилизатор (например 680 Ом), R3 нужен чтобы предупредить зажигание светодиода от тока собственных нужд TL431 (например 2 кОм).

компенсационный стабилизатор напряжения

Принцип компенсационного стабилизатора на TL431 такой же как и на обычном стабилитроне: разность напряжений между входом и выходом компенсирует мощный биполярный транзистор. Но точность стабилизации получается выше, за счет того что обратная связь берется с выхода стабилизатора. Резистор R1 нужно рассчитывать на минимальный ток 5 мА, R2 и R3 рассчитываются, также как для параметрического стабилизатора.

Чтобы стабилизировать токи на уровне единиц и десятков Ампер одним транзистором в компенсационном стабилизаторе не обойтись, нужен промежуточный усилительный каскад. Оба транзистора работают по схеме с эмиттерного повторителя, т.е. происходит усиление тока, а напряжение не усиливается.
На рисунке представлена реальная схема компенсационного стабилизатора на TL431, в ней появились новые компоненты: резистор R2 ограничивающий ток базы VT1 (например 330 Ом), резистор R3 – компенсирующий обратный ток коллектора VT2 (что особенно актуально при нагреве VT2) (например 4,7 кОм) и конденсатор C1 – повышающий устойчивость работы стабилизатора на высоких частотах (например 0,01 мкФ).

Какие бывают стандарты маркировки

Маркировка, которая наносится на корпус SMD-элементов, как правило, отличается от их фирменных названий. Причина банальная – нехватка места из-за миниатюрности корпуса. Проблема особенно актуальна для ЭРЭ, которые размещаются в корпусах с шестью и менее выводами.

Это миниатюрные диоды, транзисторы, стабилизаторы напряжения, усилители и т.д. Для разгадки “что есть что” требуется проводить настоящую экспертизу, ведь по одному маркировочному коду без дополнительной информации очень трудно идентифицировать тип ЭРЭ. С момента появления первых SMD-приборов прошло более 20 лет.

Несмотря на все попытки стандартизации, фирмы-изготовители до сих пор упорно изобретают все новые разновидности SMD-корпусов и бессистемно присваивают своим элементам маркировочные коды.

Полбеды, что наносимые символы даже близко не напоминают наименование ЭРЭ, – хуже всего, что имеются случаи “плагиата”, когда одинаковые коды присваивают функционально разным приборам разных фирм.

Тип Наименование ЭРЭ Зарубежное название
A1 Полевой N-канальный транзистор Feld-Effect Transistor (FET), N-Channel
A2 Двухзатворный N-канальный полевой транзистор Tetrode, Dual-Gate
A3 Набор N-канальных полевых транзисторов Double MOSFET Transistor Array
B1 Полевой Р-канальный транзистор MOS, GaAs FET, P-Channel
D1 Один диод широкого применения General Purpose, Switching, PIN-Diode
D2 Два диода широкого применения Dual Diodes
D3 Три диода широкого применения Triple Diodes
D4 Четыре диода широкого применения Bridge, Quad Diodes
E1 Один импульсный диод Rectifier Diode
E2 Два импульсных диода Dual
E3 Три импульсных диода Triple
E4 Четыре импульсных диода Quad
F1 Один диод Шоттки AF-, RF-Schottky Diode, Schottky Detector Diode
F2 Два диода Шоттки Dual
F3 Три диода Шоттки Tripple
F4 Четыре диода Шоттки Quad
K1 “Цифровой” транзистор NPN Digital Transistor NPN
K2 Набор “цифровых” транзисторов NPN Double Digital NPN Transistor Array
L1 “Цифровой” транзистор PNP Digital Transistor PNP
L2 Набор “цифровых” транзисторов PNP Double Digital PNP Transistor Array
L3 Набор “цифровых” транзисторов | PNP, NPN Double Digital PNP-NPN Transistor Array
N1 Биполярный НЧ транзистор NPN (f < 400 МГц) AF-Transistor NPN
N2 Биполярный ВЧ транзистор NPN (f > 400 МГц) RF-Transistor NPN
N3 Высоковольтный транзистор NPN (U > 150 В) High-Voltage Transistor NPN
N4 “Супербета” транзистор NPN (г“21э > 1000) Darlington Transistor NPN
N5 Набор транзисторов NPN Double Transistor Array NPN
N6 Малошумящий транзистор NPN Low-Noise Transistor NPN
01 Операционный усилитель Single Operational Amplifier
02 Компаратор Single Differential Comparator
P1 Биполярный НЧ транзистор PNP (f < 400 МГц) AF-Transistor PNP
P2 Биполярный ВЧ транзистор PNP (f > 400 МГц) RF-Transistor PNP
P3 Высоковольтный транзистор PNP (U > 150 В) High-Voltage Transisnor PNP
P4 “Супербета” транзистор PNP (п21э > 1000) Darlington Transistor PNP
P5 Набор транзисторов PNP Double Transistor Array PNP
P6 Набор транзисторов PNP, NPN Double Transistor Array PNP-NPN
S1 Один сапрессор Transient Voltage Suppressor (TVS)
S2 Два сапрессора Dual
T1 Источник опорного напряжения “Bandgap”, 3-Terminal Voltage Reference
T2 Стабилизатор напряжения Voltage Regulator
T3 Детектор напряжения Voltage Detector
U1 Усилитель на полевых транзисторах GaAs Microwave Monolithic Integrated Circuit (MMIC)
U2 Усилитель биполярный NPN Si-MMIC NPN, Amplifier
U3 Усилитель биполярный PNP Si-MMIC PNP, Amplifier
V1 Один варикап (варактор) Tuning Diode, Varactor
V2 Два варикапа (варактора) Dual
Z1 Один стабилитрон Zener Diode
Понравилась статья? Поделиться с друзьями:
Пафос клуб
Добавить комментарий

;-) :| :x :twisted: :smile: :shock: :sad: :roll: :razz: :oops: :o :mrgreen: :lol: :idea: :grin: :evil: :cry: :cool: :arrow: :???: :?: :!: