Реле времени
TL431 нашел свое применение не только как источник опорного напряжения, а и во многих других применениях. Например благодаря тому что входной ток TL431 составляет 2-4мкА, то на основе этой микросхемы можно построить реле времени: при размыкании контакта S1 C1 начинает медленно заряжаться через R1, а когда напряжение на входе TL431 достигнет 2,5 В выходной транзистор DA1 откроется и через светодиод оптопары PC817 начнет протекать ток, соответственно откроется и фототранзистор и замкнет внешнюю цепь.
В этой схеме резистор R2 ограничивает ток через оптрон и стабилизатор (например 680 Ом), R3 нужен чтобы предупредить зажигание светодиода от тока собственных нужд TL431 (например 2 кОм).
компенсационный стабилизатор напряжения
Принцип компенсационного стабилизатора на TL431 такой же как и на обычном стабилитроне: разность напряжений между входом и выходом компенсирует мощный биполярный транзистор. Но точность стабилизации получается выше, за счет того что обратная связь берется с выхода стабилизатора. Резистор R1 нужно рассчитывать на минимальный ток 5 мА, R2 и R3 рассчитываются, также как для параметрического стабилизатора.
Чтобы стабилизировать токи на уровне единиц и десятков Ампер одним транзистором в компенсационном стабилизаторе не обойтись, нужен промежуточный усилительный каскад. Оба транзистора работают по схеме с эмиттерного повторителя, т.е. происходит усиление тока, а напряжение не усиливается.
На рисунке представлена реальная схема компенсационного стабилизатора на TL431, в ней появились новые компоненты: резистор R2 ограничивающий ток базы VT1 (например 330 Ом), резистор R3 – компенсирующий обратный ток коллектора VT2 (что особенно актуально при нагреве VT2) (например 4,7 кОм) и конденсатор C1 – повышающий устойчивость работы стабилизатора на высоких частотах (например 0,01 мкФ).
Какие бывают стандарты маркировки
Маркировка, которая наносится на корпус SMD-элементов, как правило, отличается от их фирменных названий. Причина банальная – нехватка места из-за миниатюрности корпуса. Проблема особенно актуальна для ЭРЭ, которые размещаются в корпусах с шестью и менее выводами.
Это миниатюрные диоды, транзисторы, стабилизаторы напряжения, усилители и т.д. Для разгадки “что есть что” требуется проводить настоящую экспертизу, ведь по одному маркировочному коду без дополнительной информации очень трудно идентифицировать тип ЭРЭ. С момента появления первых SMD-приборов прошло более 20 лет.
Несмотря на все попытки стандартизации, фирмы-изготовители до сих пор упорно изобретают все новые разновидности SMD-корпусов и бессистемно присваивают своим элементам маркировочные коды.
Полбеды, что наносимые символы даже близко не напоминают наименование ЭРЭ, – хуже всего, что имеются случаи “плагиата”, когда одинаковые коды присваивают функционально разным приборам разных фирм.
Тип | Наименование ЭРЭ | Зарубежное название |
A1 | Полевой N-канальный транзистор | Feld-Effect Transistor (FET), N-Channel |
A2 | Двухзатворный N-канальный полевой транзистор | Tetrode, Dual-Gate |
A3 | Набор N-канальных полевых транзисторов | Double MOSFET Transistor Array |
B1 | Полевой Р-канальный транзистор | MOS, GaAs FET, P-Channel |
D1 | Один диод широкого применения | General Purpose, Switching, PIN-Diode |
D2 | Два диода широкого применения | Dual Diodes |
D3 | Три диода широкого применения | Triple Diodes |
D4 | Четыре диода широкого применения | Bridge, Quad Diodes |
E1 | Один импульсный диод | Rectifier Diode |
E2 | Два импульсных диода | Dual |
E3 | Три импульсных диода | Triple |
E4 | Четыре импульсных диода | Quad |
F1 | Один диод Шоттки | AF-, RF-Schottky Diode, Schottky Detector Diode |
F2 | Два диода Шоттки | Dual |
F3 | Три диода Шоттки | Tripple |
F4 | Четыре диода Шоттки | Quad |
K1 | “Цифровой” транзистор NPN | Digital Transistor NPN |
K2 | Набор “цифровых” транзисторов NPN | Double Digital NPN Transistor Array |
L1 | “Цифровой” транзистор PNP | Digital Transistor PNP |
L2 | Набор “цифровых” транзисторов PNP | Double Digital PNP Transistor Array |
L3 | Набор “цифровых” транзисторов | PNP, NPN | Double Digital PNP-NPN Transistor Array |
N1 | Биполярный НЧ транзистор NPN (f < 400 МГц) | AF-Transistor NPN |
N2 | Биполярный ВЧ транзистор NPN (f > 400 МГц) | RF-Transistor NPN |
N3 | Высоковольтный транзистор NPN (U > 150 В) | High-Voltage Transistor NPN |
N4 | “Супербета” транзистор NPN (г“21э > 1000) | Darlington Transistor NPN |
N5 | Набор транзисторов NPN | Double Transistor Array NPN |
N6 | Малошумящий транзистор NPN | Low-Noise Transistor NPN |
01 | Операционный усилитель | Single Operational Amplifier |
02 | Компаратор | Single Differential Comparator |
P1 | Биполярный НЧ транзистор PNP (f < 400 МГц) | AF-Transistor PNP |
P2 | Биполярный ВЧ транзистор PNP (f > 400 МГц) | RF-Transistor PNP |
P3 | Высоковольтный транзистор PNP (U > 150 В) | High-Voltage Transisnor PNP |
P4 | “Супербета” транзистор PNP (п21э > 1000) | Darlington Transistor PNP |
P5 | Набор транзисторов PNP | Double Transistor Array PNP |
P6 | Набор транзисторов PNP, NPN | Double Transistor Array PNP-NPN |
S1 | Один сапрессор | Transient Voltage Suppressor (TVS) |
S2 | Два сапрессора | Dual |
T1 | Источник опорного напряжения | “Bandgap”, 3-Terminal Voltage Reference |
T2 | Стабилизатор напряжения | Voltage Regulator |
T3 | Детектор напряжения | Voltage Detector |
U1 | Усилитель на полевых транзисторах | GaAs Microwave Monolithic Integrated Circuit (MMIC) |
U2 | Усилитель биполярный NPN | Si-MMIC NPN, Amplifier |
U3 | Усилитель биполярный PNP | Si-MMIC PNP, Amplifier |
V1 | Один варикап (варактор) | Tuning Diode, Varactor |
V2 | Два варикапа (варактора) | Dual |
Z1 | Один стабилитрон | Zener Diode |