2sd1616a datasheet pdf ( pinout ) - npn silicon transistor

Примеры использования

Вариантов применения транзистора TIP122 и его схем включения достаточно много, их просто невозможно уместить в одну статью. Поэтому рассмотрим только некоторые схемы с его участием. Первая — усилитель звуковой частоты на 12 Вт, вторая — автоматический регулятор скорости вращения вентилятора.

Усилитель низкой частоты

Данный усилитель сделан на микросхеме операционном усилителе TL081 и двух выходных транзисторах TIP122 и TIP127. При нагрузке 8 Ом рассматриваемый усилитель способен обеспечить выходную мощность 12 Вт. Напряжение питания данного прибора должно находиться в пределах от 12 до 18 вольт.

Автоматический регулятор скорости вращения вентилятора

Рассматриваемый регулятор скорости вращения вентилятора можно использовать для предотвращения перегрева различной бытовой аппаратуры, например, компьютера. Его устанавливают в корпус охлаждаемого им устройства. Данная схема позволяет автоматически регулировать скорость вращения вентилятора, в зависимости от температуры воздуха.

Температурный датчик LM335 ориентирован на работу при -40 до +1000 градусов цельсия. Напряжение на нем будет увеличиваться на 10 мВ вместе с ростом вокруг окружающей температуры. Напряжение с него подается на неинвертирующий вход операционного усилителя LM741. Со стабилитрона 1N4733 на инвертирующий вход микросхемы, через потенциометр, подается опорное напряжение 5.1 В.

В данной схеме потенциометр предназначен для регулирования порога срабатывания вентилятора. Транзистор находится в выходном каскаде усилителя и предназначен для непосредственного управления вентилятором.

Технические характеристики

Приведем технические характеристики на транзистор TIP122. Основными для данного устройства считаются:

Предельное напряжение между коллектором и эмиттером — 100 В;
Максимальное напряжение между коллектором и базой — 100 В;
Допустимое напряжение между эмиттером и базой — 5 В;
Рассеиваемая мощность до 65 Вт;
Коэффициент усиления по току (hfe) от 1000;
Максимальный ток коллектора — 8 А;
Диапазон рабочих температур -65…+160 0 С, у кристалла до 150 0 С.

Электрические

При проектировании схем с транзистором TIP122 нужно учитывать, что прибор не должен работать в условиях, превышающих рекомендуемые производителем. Длительное воздействие напряжений, выше этих значений, может отрицательно сказаться на работоспособности устройства. Ниже, в таблице, приведены его электрические параметры для температуры 25 0 С.

Обязательно обращайте внимание на температурные показатели

2SD1616A Datasheet PDF — NEC

Part Number	2SD1616A
Description	NPN Silicon Transistor
Manufacturers	NEC
Logo
There is a preview and 2SD1616A download ( pdf file ) link at the bottom of this page. Total 4 Pages

Preview 1 page

No Preview Available !

DATA SHEET
SILICON TRANSISTORS
2SD1616, 2SD1616A
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND MID-SPEED SWITCHING
FEATURES

• Low VCE(sat)

VCE(sat) = 0.15 V TYP. (IC = 1.0 A, IB = 50 mA)

• Large PT in small dimension with versatility

PT = 0.75 W, VCEO = 50/60 V, IC(DC) = 1.0 A

• Complementary transistor with the 2SB1116 and 1116A

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C)

Parameter
Symbol
Collector to base voltage

VCBO

Collector to emitter voltage

VCEO

Emitter to base voltage

VEBO

Collector current (DC)

IC(DC)

Collector current (pulse)

IC(Pulse)*

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

Tstg

* PW ≤ 10 ms, duty cycle ≤ 50%

Ratings
2SD1616 2SD1616A
60 120
50 60
6.0
1.0
2.0
0.75
150

−55 to +150

Unit
V
V
V
A
A
W

°C

PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25°C)

Parameter
Symbol
Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Collector cutoff current

ICBO VCB = 60 V, IE = 0

Emitter cutoff current

IEBO VEB = 6.0 V, IC = 0

DC current gain

hFE1** VCE = 2.0 V, IC = 100 mA

DC current gain

hFE2** VCE = 2.0 V, IC = 1.0 A

DC base voltage

VBE** VCE = 2.0 V, IC = 50 mA

Collector saturation voltage VCE(sat)** IC = 1.0 A, IB = 50 mA

Base saturation voltage

VBE(sat)** IC = 1.0 A, IB = 50 mA

Output capacitance

Cob VCB = 10 V, IE = 0, f = 1.0 MHz

Gain bandwidth product

fT VCE = 2.0 V, IC = 100 mA

Turn-on time
Storage time
Fall time

ton VCC = 10 V, IC = 100 mA

tstg IB1 = −IB2 = 10 mA

tf VBE(off) = −2 to –3 V

** Pulse test PW ≤ 350 µs, duty cycle ≤ 2% per pulsed

100 nA
100 nA
135
600/400
−

81 −

600 640 700 mV
0.15 0.3
V
0.9 1.2
V
19 pF
100 160
MHz

0.07 µs

0.95 µs

0.07 µs

hFE1/hFE CLASSIFICATION L : 135 to 270 K : 200 to 400 U : 300 to 600 (U rank is not available for the 2SD1616A.)

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please
confirm that this is the latest version.
Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for
availability and additional information.
Document No. D16199EJ1V0DS00
Date Published April 2002 N CP(K)
Printed in Japan

219928

On this page, you can learn information such as the schematic, equivalent, pinout, replacement, circuit, and manual for 2SD1616A electronic component.