Транзистор с2655: характеристики и цоколевка

Временные параметры

По предназначению, основной режим работы транзистора C2335 – ключевой, с глубоким насыщением и частыми переключениями. Тепловые потери транзистора, работающего в ключевом режиме, во многом определяются потерями на коммутационных интервалах, когда транзистор переходит из проводящего состояния в непроводящее и наоборот. Поэтому все производители таких изделий придают большое значение временным параметрам и приводят их значения в информационных материалах.

Пример схемы измерения временных параметров транзистора.

Временные параметры:

t_on – время включения;
t_stg – время сохранения импульса тока;
t_f – время спадания импульса тока.

Импульсы напряжения UIN длительностью PW = 50 мкс поступают на вход схемы со скважностью ≤ 2%

U_CC – напряжение питания.
R_L – сопротивление нагрузки.
I_C – ток коллектора.
I_B₁ и I_B₂ – токи базы в разные периоды времени.
U_BB = — 5 В – напряжение смещения транзистора.

“Base current waveform” – диаграмма тока базы во времени.

“Collector current waveform” – диаграмма тока коллектора во времени.

Электрические характеристики

Характеристика	Обозначение	Параметры при измерениях	Значения
Рабочее напряжение коллектор-эмиттер, В	U_CEO(sus)	I_C = 3 А, I_B1 = 0,6 А, L = 1 мгн	≥ 400
Рабочее напряжение коллектор-эмиттер, В	U_CEX(sus)1	I_C = 3,0 А, I_B1 = 0,6 А, I_B2 = — 0,6 А, U_BE(off) = — 5 В, L = 1 мкгн, с ограни-чением напряжения.	≥ 450
Рабочее напряжение коллектор-эмиттер, В	U_CEX(sus)2	I_C = 6,0 А, I_B1 = 2,0 А, I_B2 = — 0,6 А, U_BE(off) = — 5В, L = 1 мкгн, с ограни-чением напряжения.	≥ 400
Ток коллектора выключения, мкА	I_CBO	U_CB = 400 В, I_E = 0	≤ 10
Ток коллектора выключения, мА	I_CER	U_CE = 400 В, R_BE = 51 Ом, T_c= 125°C	≤ 1
Ток коллектора выключения, мкА	I_CEX1	U_CE = 400 В, U_BE(off) = — 1,5В	≤ 10
Ток коллектора выключения, мА	I_CEX2	U_CE = 400 В, U_BE(off) = — 1,5 В, T_c= 125°C	≤ 1
Ток эмиттера выключения, мкА	I_EBO	U_EB = 5,0 В, I_C = 0	≤ 10
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В	U_CE(sat) ٭	I_C = 3,0 А, I_B = 0,6 А	≤ 1,0
Напряжение насыщения база-эмиттер, В	U_BE(sat)٭	I_C = 3,0 А, I_B = 0,6 А	≤ 1,2
Статический коэффициент усиления по току	h_FE(1) ٭	U_CE = 5,0 В, I_C = 0,1 А	20….80
h_FE(2) ٭	U_CE = 5,0 В, I_C = 1,0 А	20….80
h_FE (3) ٭	U_CE = 5,0 В, I_C = 3,0 А	≥ 10
Временные параметры транзистора, см. схему измерений
Время включения транзистора, мкс	t_on	U_CC = 150 В, I_C = 3,0 А, I_B1 = 0,6 А, I_B2 = — 0,6 А, R_L = 50 Ом.	≤ 1,0
Время сохранения импульса, мкс	t_stg	≤ 2,5
Время спадания импульса, мкс	t_f	≤ 1,0

٭ — измерено при длительности импульса тока 350 мкс и скважности 2%. Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta=25°C. Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta=25°C

Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta=25°C.

Производитель разделяет транзисторы по величине параметра h_FE₂ на группы R, O, Y в пределах указанного диапазона.

Классификация	R	O	Y
h_FE2	20….40	30….60	40….80

Описание и назначение

Основное назначение транзистора С2655 — усиление электрических сигналов. Благодаря своим характеристикам и возможностям, он широко применяется в схемах усилителей, генераторов, стабилизаторов напряжения, импульсных и широтно-импульсных модуляторов. Также он применяется в схемах управления электродвигателями, включая ШИМ регуляторы.

Транзистор С2655 обладает высоким коэффициентом усиления и низким уровнем шума, что делает его особенно полезным для усиления слабых сигналов и повышения чувствительности электронных устройств. Он также обладает низким входным и выходным импедансами, что обеспечивает эффективную передачу сигналов между элементами схемы.

Характеристика	Значение
Тип транзистора	Биполярный
Корпус	TO-92
Максимальная мощность	400 мВт
Максимальное рабочее напряжение	50 В
Максимальный ток коллектора	100 мА
Максимальная рабочая частота	100 МГц

Таким образом, транзистор С2655 представляет собой надежное и универсальное устройство, которое находит применение в самых различных схемах и устройствах. Его высокие характеристики позволяют эффективно усиливать и передавать электрические сигналы, что делает его неотъемлемой частью современной электроники.

2SC2655 Datasheet (PDF)

0.1. 2sc2655.pdf Size:148K _toshiba

2SC2655 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) 2SC2655 Industrial Applications Power Amplifier Applications Unit: mmPower Switching Applications Low saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max) (IC = 1 A) High collector power dissipation: PC = 900 mW High-speed switching: tstg = 1.0 s (typ.) Complementary to 2SA1020. Absolute Maximum

0.2. 2sc2655l-y.pdf Size:385K _mcc

MCCMicro Commercial ComponentsTM 2SC2655L-O20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 913112SC2655L-YPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Halogen free available upon request by adding suffix «-HF» Collector of 0.9Watts of Power Dissipation. NPN Collector-current 2.0A Plastic-Encapsulate Operating and storage junction temper

0.3. 2sc2655l-o.pdf Size:385K _mcc

0.4. 2sc2655-o.pdf Size:405K _mcc

MCCMicro Commercial ComponentsTM 2SC2655-O20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 913112SC2655-YPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Halogen free available upon request by adding suffix «-HF» Collector of 0.9Watts of Power Dissipation. NPN Collector-current 2.0A Plastic-Encapsulate Operating and storage junction temperat

0.5. 2sc2655-y.pdf Size:405K _mcc

0.6. 2sc2655.pdf Size:254K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SC2655 NPN SILICON TRANSISTOR POWER AMPLIFIER APPLICATIONS POWER SWITCHING APPLICATIONS FEATURES * Low saturation voltage: VCE(SAT)= 0.5V (Max.) * High speed switching time: TSTG=1.0s (Typ.) ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Halogen Free 1 2 3 2SC2655L-x-AE3-R 2SC2655G-x-AE3-R SOT-23 E B C

0.7. 2sc2655.pdf Size:212K _secos

2SC2655 2A , 50V NPN Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free TO-92MOD FEATURES Low saturation voltageVCE(sat)=0.5V(Max)(IC=1A) AD High speed switching timetstg=1s(Typ.) B Complementary to 2SA1020 KEFCLASSIFICATION OF hFE (1) CProduct-Rank 2SC2655-O

0.8. 2sc2655 to-92l.pdf Size:251K _lge

2SC2655 TO-92L Transistor (NPN)TO-92L1.EMITTER 2.COLLECTOR 3.BASE 4.700 2 3 5.1001Features Low saturation voltage: VCE(sat)=0.5V(Max)(IC=1A) 7.800 High speed switching time: tstg=1s(Typ.) 8.200 Complementary to 2SA1020 0.6000.800MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 0.350Symbol Parameter Symbol Units0.55013.800VCBO Collector-Base Vo

0.9. 2sc2655 to-92mod.pdf Size:276K _lge

2SC2655 TO-92MOD Transistor (NPN)1.EMITTER TO-92MOD1 22.COLLECTOR 3 3.BASE Features5.800 Low saturation voltage: VCE(sat)=0.5V(Max)(IC=1A) 6.200 High speed switching time: tstg=1s(Typ.) Complementary to 2SA1020 8.4008.800MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 0.9001.100Symbol Parameter Symbol Units0.4000.600VCBO Collector-Base Voltag

0.10. 2sc2655.pdf Size:277K _wietron

2SC2655NPN General Purpose TransistorsP b Lead(Pb)-Free1231.EMITTER3.BASE2.COLLECTORTO-92MOD ELECTRICAL CHARACTERISTICSTamb=25 unless otherwise specified Parameter Symbol Test conditions MIN TYP MAX UNITCollector-base breakdown voltage V(BR)CBO VIc=100A,IE=0 50 Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO VIc=10mA,IB=0 50 Emitter-base breakdown voltag

0.11. 2sc2655.pdf Size:204K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Pow Transistor 2SC2655DESCRIPTIONSilicon NPN epitaxial typeLow saturation voltageComplementary to 2SA1020100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applicationsPower switching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV

Отечественные и импортные аналоги

Первая позиция в таблице, – транзистор С945, для которого предлагаются аналоги.

Аналог	V_CEO	I_C	P_C	h_FE	f_T
C945	50	0,15	0,4	70	200
Отечественное производство
КТ3102	45	0,1	0,25	250	300
Импорт
KSC945	50	0,15	0,25	40	300
2N2222	30	0,8	0,5	100	250
2N3904	40	0,2	0,31	40	300
2SC3198	50	0,15	0,4	20	130
2SC1815	50	0,15	0,4	70	80
2SC2002	60	0,3	0,3	90	70
2SC3114	50	0,15	0,4	55	100
2SC3331	50	0,2	0,5	100	200
2SC2960	50	0,15	0,25	100	100

Среди перечня аналогов транзистор КТ3102 отличается широкой доступностью и незначительной стоимостью, поэтому радиолюбители часто используют его для замены С945

Обращаем ваше внимание, что его мощность рассеяния значительно ниже оригинала, – ориентировочно на 30%. Перед использованием КТ3102 проверьте мощностные режимы, в которых ему предстоит работать. Примечание: данные в таблице взяты из даташип компаний-производителей

Примечание: данные в таблице взяты из даташип компаний-производителей.

Применение в электронике

Основное преимущество транзистора С2655 заключается в его высокой частоте переключения, которая достигает значений порядка нескольких гигагерц. Это позволяет использовать его в радиоэлектронике и телекоммуникационных системах, где требуется обработка и передача сигналов высоких частот.

Транзистор С2655 также обладает низким уровнем шума и высоким коэффициентом усиления, что делает его идеальным выбором для усилителей сигнала. Он может быть использован в устройствах преобразования аналогового сигнала в цифровой и обратно, в приемниках, передатчиках, фильтрах и других аналоговых и цифровых устройствах.

Цоколевка транзистора С2655 входит в стандартный набор контактов транзисторов с типоразмером TO-92, что делает его совместимым с различными конструкциями печатных плат. Это упрощает процесс проектирования и сборки электронных устройств, где необходимо использование транзистора С2655.

Контакт	Описание
1 (B)	База — управляющий электрод, к которому подается управляющий сигнал
2 (C)	Коллектор — электрод, через который осуществляется подключение к источнику питания и отвод тока потребителя
3 (E)	Эмиттер — электрод, через который осуществляется отвод тока потребителя

Транзистор С2655 представляет собой надежное и универсальное устройство, которое находит применение во многих различных областях электроники. Благодаря своим характеристикам и цоколевке, он может быть легко интегрирован в различные схемы и устройства для решения различных задач.

Применение транзистора C2655

Основные области применения транзистора C2655:

Область применения	Описание
Усилительные схемы	Транзистор C2655 может использоваться в различных усилительных схемах, например, в схемах низкочастотных и радиочастотных усилителей. Благодаря своим параметрам, он обеспечивает высокую линейность и малый уровень искажений в усилительных цепях.
Источники питания	Транзистор C2655 может быть использован в источниках питания для стабилизации напряжения и тока. Он обладает высокой надежностью и стабильностью работы даже при больших нагрузках.
Силовые устройства	Транзистор C2655 можно применять в силовых устройствах, например, включать его в усилительные схемы для управления большими токами и мощностями.
Коммутационные схемы	Транзистор C2655 может использоваться в коммутационных схемах, таких как транзисторные ключи, сигнальные транзисторы и логические элементы. Он обладает высокой скоростью коммутации и низкими потерями энергии.
Таймеры и генераторы	Транзистор C2655 может быть включен в схемы таймеров и генераторов, позволяя генерировать различные сигналы и импульсы с заданными параметрами.
Датчики и измерительные приборы	Транзистор C2655 может использоваться в датчиках и измерительных приборах для усиления слабых сигналов и преобразования их в удобные для обработки значения.

Транзистор C2655 обладает некоторыми преимуществами, такими как высокая надежность, универсальность применения и хорошее соотношение цена-качество. Он широко доступен на рынке и может быть использован в различных электронных устройствах.

Аналоги

Для замены подойдут транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные. Предназначены для применения в высокочастотных устройствах и узлах радиоэлектронной аппаратуры общего применения.

Производство российское и белорусское

Модель	P_C T_a = 25°C	U_CB	U_CE	U_BE	I_C	T_J	f_T	C_ob	h_FE	Корпус
S8050A	0,625	40	25	6	0,8	150	100	9	85	TO-92
КТ6111 А/Б/В/Г	1	40	25	6	0,1	150	100	1,7	45…630	TO-92
КТ6114 А/Б/В	0,45	50	45	5	0,1	150	150	3,5	60…1000	TO-92
КТ968 В	4	300	200	5	0,1	150	90	2,8	35…220	TO-39

Зарубежное производство

Модель	P_C	U_CB	U_CE	U_BE	I_C	T_J	f_T	C_ob	h_FE	Корпус
S8050A	0,625	40	25	6	0,8	150	100	9	85	TO-92
3DG8050A	0,625	40	25	6	0,8	150	100	9	85	TO-92
BC517S	0,625	40	30	10	1	150	200	—	33000	TO-92
BTN8050A3	0,625	40	25	6	1,5	150	100	6	160	TO-92
BTN8050BA3	0,625	40	25	6	1,5	150	100	—	160	TO-92
CX908B/C/D	0,625	40	25	6	1	150	100	—	120…260	TO-92
KTC3203	0,625	—	30	—	0,8	150	190	—	100	TO-92
KTC3211	0,625	40	25	6	1,5	150	190	9	85	TO-92
KTS8050	0,625	—	25	—	0,8	175	—	—	100	TO-92
M8050-C/D	0,625	40	25	6	—	150	150	—	120…160	TO-92
S8050	0,3	409	25	5	0,5	150	150	—	120	SOT-23
8050HQLT1	0,3	40	25	5	1,5	150	—	—	150	SOT-23
8050QLT1	0,3	40	25	5	0,8	150	—	—	150	SOT-23
8050SLT1	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	120	SOT-23
CHT9013GP	0,3	45	25	5	0,5	150	150	—	120	SOT-23
F8050HPLG	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	120	SOT-23
KTC9013SC	0,35	40	30	5	0,5	150	150	—	200	SOT-23
MMBT8050D	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	200	SOT-23
MMS9013-H/L	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	200	SOT-23
NSS40201L	0,54	40	25	—	4	150	150	—	120	SOT-23
NSS40201LT1G	0,54	40	40	6	2	—	150	—	200	SOT-23
NSV40201LT1G	0,54	40	40	6	2	150	150	—	200	SOT-23
PBSS4140T	0,3	40	40	5	1	150	150	—	300	SOT-23
S9013	0,3	40	25	5	0,8	150	150	—	120	SOT-23
ZXTN2040F	0,35	—	40	—	1	—	150	—	300	SOT-23
ZXTN25040DFL	0,35	—	40	—	1,5	—	190	—	300	SOT-23
ZXTN649F	0,5	—	25	—	3	—	—	—	200	SOT-23

Примечание: все данные в таблицах взяты из даташит компаний-производителей.

Основные технические характеристики

Обычно у транзисторов серии S8050 такие технические характеристики:

Тип проводимости транзистора NPN;
Тип корпуса ТО-92 или SOT-23;
Максимально допустимый коллекторный ток (Maximum Collector Current) IK макс (Ic max) 0,7А или 700мА (mA), при температуре окружающей среды 25 градусов (С);
Максимальное допустимое напряжение между коллектором и эмиттером (Collector-Emitter Voltage) UКЭ макс (VCE) не более 20 В (V);
Максимальное допустимое напряжение между эмиттером и базой (Emitter-Base Voltage)UЭБ макс(VЕВО) не более 5 В (V);
Максимальная мощность, рассеиваемая на коллекторе(Maximum Collector Dissipation) PK макс (PC ) 1 Ватт (Watt);
Граничная частота передачи тока(Current Gain Bandw >

Внимание! Параметры транзистора S8050 у разных производителей могут незначительно отличатся друг от друга

Аналоги и описание

Комплементарной парой для него является S8550. Полные аналоги (не Российские) транзистора s8050 можно считать 9013, 9014 и 2N5551 их смело ставим взамен вышедшему из строя s8050.

Максимально допустимый коллекторный ток составляет 700 мА (mA), поэтому можно управлять только нагрузками, которые находятся в пределах 0,7 А.;
Максимальное напряжение, которое этот транзистор может пропустить через контакты коллектора и эмиттера, составляет 20 В (V), поэтому вы можете использовать его только в цепях, которые работают под напряжением 20 В(V);
Нормальное значение коэффициента усиления по току транзистора равно 110 hFE, а максимальное значение 400 hFE;
Максимальное значение усиления показывает максимальное усиление сигнала, которое Вы можете получить от транзистора в электронной схеме.

Применение

Транзисторы S8050 чаще всего применяются в качестве усилителя сигналов (обычно в усилителях класса B), двуконтактных схемах с комплементарным транзистором S8550, в качестве электронного ключа для небольших нагрузок, например:

Где и как мы можем использовать ? Транзистор S8050 это идеальный компонент для выполнения небольших и общих задач в электронных схемах. Вы можете использовать его в качестве переключателя в электронных цепях для включения нагрузок до 700 Ма (mA). 700 мА (mA) достаточно для работы с различными незначительными нагрузками. Его также используют в качестве усилителя на малых ступенях усиления или в качестве отдельного усилителя на малых сигналах.

Характеристики транзистора С2655

С2655 имеет низкий напряжение насыщения коллектора-эмиттера (Vce (sat)) в типичном диапазоне 0,5-1 В при токе коллектора до 10 А. Он также обладает высокой переизбыточной емкостью коллектора-эмиттера до 25 пФ.

Коэффициент усиления тока (hFE) транзистора С2655 составляет примерно 25-100 для коллекторного тока в диапазоне от 1 мА до 10 А. Он также имеет низкое входное сопротивление (R1è) около 2,5-5,0 Ом.

Транзистор С2655 может работать в широком диапазоне температур от -65°C до +150°C, что делает его надежным компонентом для различных применений.

Характеристики транзистора С2655 делают его подходящим для использования в схемах усилителей, стабилизаторах напряжения, ключевых устройствах и других электронных устройствах, где требуется управление сигналом и усиление тока.

Основные параметры транзистора C2655

Тип корпуса: TO-92
Максимальное постоянное обратное напряжение коллектор-эмиттер, Vcbo: 60 В
Максимальное обратное напряжение коллектор-база, Vcbo: 60 В
Максимальное постоянное напряжение эмиттер-база, Vebo: 5 В
Максимальный коллекторный ток, Ic: 150 мА
Максимальная мощность потери, Pc: 400 мВт
Номинальный ток коллектора, Ic: 50 мА
Коэффициент передачи тока, hFE: 120-700
Частота переключения, ft: 100 МГц

Транзистор C2655 широко используется в различных электронных устройствах, таких как усилители, источники питания, стабилизаторы напряжения и других схемах, требующих управления и усиления сигнала.

Характерные особенности

Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер: U_CE₍_sat₎≤ 1 В при I_C = 3 А.
Высокая скорость переключений: время спадания импульса t_f ≤ 1 мкс при I_C = 3 А.
Расширенная область безопасной работы транзистора при обратном смещении в цепи управления (базы): U_CEX₍_sus₎₁≥ 450 В I_C = 3 А.

Характеристика	Обозначение	Величина
Напряжение коллектор – база транзистора, В	V_CBO	500
Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, В	V_CEO	400
Напряжение эмиттер – база транзистора, В	V_EBO	7
Ток коллектора постоянный, А	I_C	7
Ток коллектора импульсный, А	I_CP٭	15
Ток базы постоянный, А	I_B	3,5
Рассеиваемая мощность (T_a = 25°C), Вт	P_C	1,5
Рассеиваемая мощность (T_c = 25°C), Вт	P_C	40
Предельная температура полупроводниковой структуры, °С	T_j	150
Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С°	T_stg	-55…+150

٭ — измерено при длительности импульса тока 300 мкс и скважности 10%

Подробное описание транзистора C2655

Тип: NPN
Максимальное постоянное обратное напряжение коллектор-база: 60 В
Максимальное постоянное обратное напряжение коллектор-эмиттер: 50 В
Максимальный постоянный коллекторный ток: 150 мА
Максимальная мощность коллектора: 400 мВт
Ток утечки коллектора-эмиттер: 50 нА
Коэффициент усиления по току: 70 — 700
Максимальная рабочая температура: 150 °C
Корпус: TO-92

Транзистор C2655 предоставляет возможность усилить электрический сигнал или выполнять функцию коммутации. Он широко используется в радиоэлектронике, аудиоусилителях, источниках питания и других электронных устройствах.

Технические характеристики транзистора C2655

Основные параметры:

Максимальное рабочее напряжение Vceo: 60 В
Максимальный коллекторный ток Ic: 0.15 А
Максимальная мощность P: 0.4 Вт
Коэффициент усиления hfe: от 100 до 350
Максимальная рабочая частота fT: 90 МГц

Транзистор C2655 может работать в диапазоне температур от -55 до +150 градусов Цельсия, что обеспечивает его надежную работу в различных условиях.

Схема подключения транзистора C2655 состоит из трех выводов: базы (B), эмиттера (E) и коллектора (C), что обеспечивает простоту использования и установку в различных электрических схемах.

Преимущества использования транзистора C2655 включают высокую скорость переключения, низкий уровень шума и низкие потери мощности.

Применение:

Транзистор C2655 широко используется в электронике для усиления, коммутации и стабилизации сигналов в различных устройствах, включая радиоприемники, усилители низкой частоты, телевизионные и аудиоусилители.

Characteristics curves of 2SC2655 transistor

2SC2655 transistor characteristics

The figure shows the 2SC2655 transistor characteristics, the graph is plotted with collector current vs collector to emitter voltage.

At different base current values, the current variations happen at the transistor with respect to the collector to emitter voltages.

current gain characteristics of the 2SC2655 transistor

The figure shows the current gain characteristics of the 2SC2655 transistor, the graph is plotted with dc current gain vs collector current.

At a fixed collector to emitter voltages, the gain variation is plotted at different temperature values.

2SC2655-Y Datasheet (PDF)

0.1. 2sc2655-y.pdf Size:405K _mcc

6.1. 2sc2655-o.pdf Size:405K _mcc

7.1. 2sc2655.pdf Size:148K _toshiba

7.2. 2sc2655l-y.pdf Size:385K _mcc

7.3. 2sc2655l-o.pdf Size:385K _mcc

7.4. 2sc2655.pdf Size:254K _utc

7.5. 2sc2655.pdf Size:212K _secos

7.6. 2sc2655 to-92l.pdf Size:251K _lge

7.7. 2sc2655 to-92mod.pdf Size:276K _lge

7.8. 2sc2655.pdf Size:277K _wietron

7.9. 2sc2655.pdf Size:204K _inchange_semiconductor

Модификации и группы транзистора C3198

Модель	P_C	U_CB	U_CE	U_BE	I_C	T_J	f_T	C_C	h_{FE ٭}	NF (типовое) dB	Корпус
C3198	0,625	60	50	5	0,15	150	80	3,5	25…700	≤ 10	TO-92
C SC3198 (O, Y, GR, BL)	0,625	60	50	5	0,15	125	80	3,5	25…700	≤ 10	TO-92
FTC3198	0,625	60	50	5	0,15	150	80	3,5	25…700	≤ 10	TO-92
KTC3198	0,625	60	50	5	0,15	150	80	3,5	25…700	≤ 10	TO-92
KTC3198A	0,4	60	50	5	0,15	150	80	2	25…700	1	TO-92
KTC3198L ٭٭	0,625	60	50	5	0,15	150	80	2	25…700	0,5 (1) 0,2 (2)	TO-92

٭ — диапазон значений параметра h_FE разделяется производителями во всех модификациях на четыре подгруппы (O, Y, GR, BL).

٭٭ — значения коэффициента шума транзистора KTC3198L: 0,5 (1) и 0,2 (2) определены при частотах сигнала соответственно 100 Гц и 1 кГц.

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Зависимость времени задержки t_d и времени нарастания импульса t_r от коллекторной нагрузки I_C.

Характеристика снята при напряжении питания U_CC = 125 В, температуре п/п структуры T_j = 25°C, и соотношении токов I_C/ I_B = 5.

При измерении времени задержки t_d установлено напряжение смещения U_BE₍_OFF₎ = 5 В.

Рис. 2. Зависимость времени сохранения t_s и времени спадания импульса t_f от величины коллекторной нагрузки I_C.

Рис. 3. Зависимость статического коэффициента усиления h_FE транзистора в схеме с общим эмиттером от величины коллекторной нагрузки I_C.

Зависимость снята для различных значений температуры структуры T_j и напряжений коллектор-эмиттер U_CE.

Рис. 4. Изменение падения напряжения на транзисторе U_CE при изменении управляющего тока базы I_B. Зависимости сняты при различных нагрузках I_C и температуре структуры T_j = 25°C.

Рис. 5. Изменение напряжения насыщения на базовом переходе U_BE₍_sat₎ при разных нагрузках I_C и разных температурах структуры T_j. Соотношение токов I_C / I_B = 3.

Пунктиром показано изменение напряжения включения U_BE₍_ON₎ при напряжении на коллекторе U_CE = 2 В.

Рис. 6. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер U_CE(sat) от коллекторного тока I_C при различных температурах и соотношении токов I_C/ I_B = 3.

Рис. 7. Область выключения транзистора. Зависимость коллекторного тока I_C от напряжения база-эмиттер U_BE.

Характеристика снята при разных температурах T_j структуры и напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 250 В.

FORWARD – напряжение база-эмиттер приложено в прямом направлении.

REVERS — напряжение база-эмиттер приложено в обратном направлении.

Рис. 8. Зависимости входной емкости C_ib перехода эмиттер-база и выходной емкости C_ob коллекторного перехода от величины обратного приложенного напряжения. Температура структуры T_j= 25°С.

Рис. 9. Область безопасной работы транзистора при резистивной нагрузке.

Предельные токи ограничены: значением максимального постоянного тока I_C = 1,5 А и максимального импульсного тока I_CM = 3,0 А.

При этих значениях тока разрушаются паяные соединения подводящих проводов со слоями п/п структуры. Показано штрихпунктирной линией.

Предельные напряжения ограничены максимальным рабочим напряжением U_CEO₍_SUS₎= 400 В.

Общее тепловое разрушение структуры наступает при превышении ограничений по току и напряжений, показанных пунктирной линией.

Сплошная линия обозначает ограничения, связанные с вторичным необратимым пробоем п/п структуры транзистора. Во всех режимах работы линии нагрузки транзистора (зависимости I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE) не должны превышать обозначенных ограничений.

Рис. 10. Ограничение величины рассеиваемой мощности (нагрузки) транзистора при возрастании температуры окружающей среды T_a.

Характеристика снята для условий работы на резистивную нагрузку.

Рис. 11. Область безопасной работы транзистора с обратным смещением для случая с введенными ограничениями перенапряжений.

Предельное ограничение по напряжению (перенапряжению) U_CLAMP = 700 В.

Величины напряжений обратного смещения U_BE₍_OFF₎соответственно 9 В, 5 В, 3 В и 1,5 В.

Характеристики построены для температуры структуры в пределах 100°С и при токе базы I_B₁ = 1 А.

Такая ОБР с обратным смещением характерна для схем работы транзистора на индуктивную нагрузку.

В этих режимах работы, линии нагрузки транзистора (зависимости I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE) не должны превышать обозначенных ОБР ограничений.