КМ155АГ3

Содержание драгметаллов в радиодеталях: список деталей и микросхем

Назначение, параметры, аналоги

Категория Микросхемы отечественные

Микросхема К155АГ3 представляет собой сдвоенный одновибратор с повторным запуском.

Содержит 156 интегральных элементов.

Корпус у К155АГ3 типа 238.16-1, масса не более 2 г, у КМ155АГ3 типа 201.16-5, масса не более 2,5 г.

Внешний вид корпусов показан на рисунках

Обозначение на схеме

Назначение выводов

1 — вход информационный ; 2 — вход D1; 3 — вход «установка нуля» R1; 4 — выход ;5 — выход Q2;6 — выход «емкость внешняя» Cвн2; 7 — выход Rвн2/Cвн2 ; 8 — общий;9 — вход ;10 — вход D2;11 — вход «установка нуля» R2;12 — выход ;13 — выход Q1;14 — выход Cвн1;15 — выход Rвн1/Cвн1 ;16 — напряжение питания;

Электрические параметры

1 Номинальное напряжение питания 5 В 5 %
2 Выходное напряжение низкого уровня 0,4 В
3 Выходное напряжение высокого уровня 2,4 В
4 Входной ток низкого уровня  по инфориационным входам 1,2,9,10  по входам установки нуля 3,11 — 1,6 мА — 3,2 мА
5 Входной ток высокого уровня  по инфориационным входам 1,2,9,10  по входам установки нуля 3,11 0,04 мА 0,08 мА
6 Входной пробивной ток 1 мА
7 Ток короткого замыкания -10…-40 мА
8 Ток потребления 66 мА
9 Потребляемая мощность 346,5 мВт
10 Время задержки распространения при включении  по входам 1,9  по входам 2,10  по входам 3,11 40 нс 36 нс 27 нс
11 Время задержки распространения при выключении  по входам 1,9  по входам 2,10  по входам 3,11 33 нс 28 нс 40 нс
12 Максимальная длительность импульса на выходе (Cвн)= 0 65 нс
13 Максимальная длительность импульса на выходе (Cвн)= 1000 пФ 2,76…3,37 мкс
14 Емкость нагрузки 200 пФ

Рекомендации по применению

Внешние резисторы (5…25 кОм) и конденсатор (величина не ограничена) необходимо подключать непосредственно к выводам 6,7,14,15. Емкость монтажа для выводов 7 и 15 не более 50 пФ.Длительность импульсов входных сигналов должна быть не менее 40 нс. Длительность выходного импульса определяется значением номиналов внешних резисторов Rвн и конденсатора Свн.Если внешняя емкость больше 1000 пФ, то длительность выходного импульса определяется по формуле:t=28Cвн(Rвн+700 Ом). Время между повторным запускающим импульсом в режиме повторного сигнала и задним фронтом выходного импульса определяется по формуле: t1=t+tphl, где tphl — время задержки распространения при включении.В режиме повторного запуска минимальная длительность между запускающими фронтами определяется по формуле: tmin=0,22Cвн.Зарубежные аналоги

SN74123N, SN74123J

Литература

Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги: Справочник. Том 2./А. В. Нефедов. — М.:ИП РадиоСофт, 1998г. — 640с.:ил.

Отечественные микросхемы и зарубежные аналоги Справочник. Перельман Б.Л.,Шевелев В.И. «НТЦ Микротех», 1998г.,376 с. — ISBN-5-85823-006-7

Понравилась статья? Поделиться с друзьями:
Пафос клуб
Добавить комментарий

;-) :| :x :twisted: :smile: :shock: :sad: :roll: :razz: :oops: :o :mrgreen: :lol: :idea: :grin: :evil: :cry: :cool: :arrow: :???: :?: :!: