573РР3А, КМ573РР3БЭ
Следующим логичным шагом после
копирования 2816 (2к х 
стала разработка
отечественной 2864 (8к х 8). И вот перед нами 573РР3.
Напряжение программирования 21 В, время выборки адреса
300 нс, время хранения информации до 10 000
часов, число циклов программирования до 10 000.
Надо сказать, что РР3 явилась
пределом возможности нашей промышленности
в области Flash-памяти. Дальше 64 килобит у нас
пройти так и не смогли. Да и эта, судя по
всему, далась с трудом, ибо редка и почти не
отражена в литературе. Тем не менее, она
была даже и в военном исполнении.
Определенный интерес
представляет образец с буквой «Э» в
названии. Пока не ясно что она означает.
Микросхемы для построения оперативной памяти
| ИМС | Тип корпуса | Примечание |
|---|---|---|
|
|
||
| К132РУ3А | 4112.16-2 | Статическое ОЗУ 1К×1; 60 нс |
| К132РУ3Б | 4112.16-2 | Статическое ОЗУ 1К×1; 110 нс |
|
|
||
| КМ132РУ3А | 201.16-8 | Статическое ОЗУ 1К×1; 60 нс |
| КМ132РУ3Б | 201.16-8 | Статическое ОЗУ 1К×1; 110 нс |
| КМ132РУ5А | 2104.18-1 | Статическое ОЗУ 4К×1; 60 нс |
| КМ132РУ5В | 2104.18-1 | Статическое ОЗУ 4К×1; 55 нс |
| КМ132РУ8А | 2104.18-1 | Статическое ОЗУ 1К×4; 60 нс |
| КМ132РУ8Б | 2104.18-1 | Статическое ОЗУ 1К×4; 100 нс |
| КМ132РУ9А | 2104.18-1 | Статическое ОЗУ 1К×4; 50 нс |
| КМ132РУ9Б | 2104.18-1 | Статическое ОЗУ 1К×4; 90 нс |
|
|
||
| КР132РУ3А | 2103.16-6 | Статическое ОЗУ 1К×1; 60 нс |
| КР132РУ3Б | 2103.16-6 | Статическое ОЗУ 1К×1; 110 нс |
| КР132РУ4А | 2103.16-6 | Статическое ОЗУ 1К×1; 33нс |
| КР132РУ4Б | 2103.16-6 | Статическое ОЗУ 1К×1; 50 нс |
| КР132РУ6А | 2140Ю.20-3 | Статическое ОЗУ 16К×1; 45 нс; 410 мВт |
| КР132РУ6Б | 2140Ю.20-3 | Статическое ОЗУ 16К×1; 70 нс; 410 мВт |
| КР132РУ7 | 2140Ю.20-3 | Статическое ОЗУ 2К×8; 250 нс |
|
|
||
| КМ185РУ7 | 2108.22-1 | ОЗУ 256×4; 75 нс; 495 мВт |
| КМ185РУ7А | 2108.22-1 | ОЗУ 256×4; 45 нс; 450 мВт |
| КМ185РУ8 | 2108.22-1 | ОЗУ 256×8; 45 нс; 925 мВт |
| КМ185РУ10 | 2108.22-1 | ОЗУ 16К×1; 50 нс; 750 мВт |
|
|
||
| КР185РУ7 | 210А.22-3 | ОЗУ 256×4; 75 нс; 495 мВт |
| КР185РУ7А | 210А.22-3 | ОЗУ 256×4; 45 нс; 450 мВт |
|
|
||
| КР188РУ2А | 238.16-1 | Статическое ОЗУ 256×1; 500 нс |
|
|
||
| К537РУ3А | 4116.18-1 | Статическое ОЗУ 4К×1; 250 нс |
| К537РУ3Б | 4116.18-1 | Статическое ОЗУ 4К×1; 160 нс |
| К537РУ4А | 4116.18-1 | Статическое ОЗУ 4К×1; 200 нс; 40мкВт (в режиме хранения информации) |
| К537РУ4Б | 4116.18-1 | Статическое ОЗУ 4К×1; 300 нс; 80мкВт (в режиме хранения информации) |
| К537РУ4В | 4116.18-1 | Статическое ОЗУ 4К×1; 500 нс; 80мкВт (в режиме хранения информации) |
| К537РУ13 | 427.18-2.02 | Статическое ОЗУ 1К×4; 150 нс; 60мкВт (в режиме хранения информации) |
|
|
||
| КМ537РУ1 | 201.16-15 | Статическое ОЗУ 1К×1; 300 нс |
|
|
||
| КР537РУ1 | 238.16-1 | Статическое ОЗУ 1К×1; 300 нс |
| КР537РУ2А | 2107.18-4 | Статическое ОЗУ 4К×1; 300 нс |
| КР537РУ2Б | 2107.18-4 | Статическое ОЗУ 4К×1; 430 нс |
| КР537РУ3А | 2107.18-1 | Статическое ОЗУ 4К×1; 250 нс; 100 мВт; 5 мкВт (в режиме хранения информации) |
| КР537РУ3Б | 2107.18-1 | Статическое ОЗУ 4К×1; 160 нс; 100 мВт; 250 мкВт(в режиме хранения информации) |
| КР537РУ5А | 210А.22-3 | Статическое ОЗУ 1К×4; 300 нс |
| КР537РУ5Б | 210А.22-3 | Статическое ОЗУ 1К×4; 400 нс |
| КР537РУ8А | 239.24-2 | Статическое ОЗУ 2К×8; 220 нс |
| КР537РУ8Б | 239.24-2 | Статическое ОЗУ 2К×8; 400 нс |
| КР537РУ10А | 239.24-2 | Статическое ОЗУ 2К×8; 200 нс |
| КР537РУ11А | 239.24-2 | Статическое ОЗУ 256×16; 440 нс; 1,5 мВт (в режиме хранения информации) |
| КР537РУ11Б | 239.24-2 | Статическое ОЗУ 256×16; 440 нс; 2,4 мВт (в режиме хранения информации) |
| КР537РУ13 | 2107.18-1 | Статическое ОЗУ 1К×4; 160 нс |
|
|
||
| К541РТ1 | 402.16-21 | ПЗУ 256×4; 80 нс; 400 мВт |
| К541РУ2 | 427.18-2.03 | Статическое ОЗУ 1К×4; 120 нс |
| К541РУ2А | 427.18-2.03 | Статическое ОЗУ 1К×4; 90 нс; 525 мВт |
|
|
||
| КР541РУ1 | 2107.18-1 | Статическое ОЗУ 4К×1; 100 нс; 490 мВт |
| КР541РУ1А | 2107.18-1 | Статическое ОЗУ 4К×1; 70 нс; 450 мВт |
| КР541РУ2 | 2107.18-1 | Статическое ОЗУ 1К×4; 120 нс; 550 мВт |
|
|
||
| КЕ565РУ1А | 2108.22-8 | Динамическое ОЗУ 4К×1; 400 нс; +5, -5, -12 В |
| КЕ565РУ1Б | 2108.22-8 | Динамическое ОЗУ 4К×1; 590 нс; +5, -5, -12 В |
|
|
||
| КР565РУ1А | 210А.22-3 | Динамическое ОЗУ 4К×1; 400 нс; +5, -5, -12В |
| КР565РУ1Б | 210А.22-3 | Динамическое ОЗУ 4К×1; 590 нс; +5, -5, -12В |
| КР565РУ5В | 2103.16-8 | Динамическое ОЗУ 64К×1; 150 нс; +5В; 195 мВт |
| КР565РУ5Г | 2103.16-8 | Динамическое ОЗУ 64К×1; 200 нс; +5В; 185 мВт |
| КР565РУ5Е | 2103.16-8 | Динамическое ОЗУ около 64К×1; 250 нс; +5В; 160 мВт |
| КР565РУ6Б | 2103.16-2 | Динамическое ОЗУ 64К×1; 120 нс; +5В; 140 мВт |
| КР565РУ6В | 2103.16-2 | Динамическое ОЗУ 64К×1; 150 нс; +5В; 120 мВт |
| КР565РУ6Г | 2103.16-2 | Динамическое ОЗУ 64К×1; 200 нс; +5В; 115 мВт |
| КР565РУ6Д | 2103.16-2 | Динамическое ОЗУ 64К×1; 250 нс; +5В; 110 мВт |
|
|
||
| К1500РУ073 | 4114.24-3 | ОЗУ 64×4, 6 нс; 990 мВт |
|
|
||
| КМ1603РУ1 | 210А.22-1 | Статическое ОЗУ 256×4; 360 нс; 75 мкВт (в режиме хранения информации) |
К565РУ3
Основная статья: К565РУ3
К565РУ3
К565РУ3 — электронный компонент, микросхема динамического ОЗУ с произвольным доступом, имеющая ёмкость 16384 бит и организацию 16384х1.
К565РУ7
Основная статья: К565РУ7
Микросхема К565РУ7 представляет собой выполненное по полупроводниковой технологии на n-канальных МОП-транзисторах устройство с произвольной выборкой динамического типа ёмкостью 262 144 бит (организация 262 144 ? 1 разряд).
Принципиальные электрические схемы микроволновых печей
25 декабря 2007 г.
Данный блок управления используется во многих
микроволновых печах российского производства, в частности:
«Электроника 23», «Фея», «Днепрянка» и т.д. Имеются две
разновидности этого блока, отличающихся цветом люминесцентного
индикатора и схемой подключения буферных усилителей между
контроллером и индикатором.
Принципиальная электрическая схема первого варианта «БУВИ-2»
приведена на рис. 1, второго на рис. 2. Список компонентов приведен
в таблицах 1 и 2 соответственно, а перечень характерных
неисправностей в таблице 3. При замене одного варианта на другой в
подводящем разъеме необходимо перепаять общий вывод с 8-й клеммы на
11-ю или наоборот. В противном случае печь будет работать, но
индикатор не будет светиться.
Рис. 1 Блок управления, ввода и индикации для
микроволновой печи «БУВИ-2» (1-й вариант)
Рис. 2 Блок управления, ввода и индикации для
микроволновой печи «БУВИ-2» (2-й вариант)
Сигнал «магнетрон», управляющий включением силового блока питания,
не может быть использован непосредственно, так как для включения
реле он не обладает достаточной мощностью, и включение симистора
требует развязки. Поэтому в печах предусмотрены дополнительные платы
коммутации, одна из которых приведена на рис. 3.
Рис. 3 Плата коммутации
Схема блока управления
«БУВИ-2» во многом схожа со схемой
управления от микроволновой печи «Электроника СП-25».
Таблица 1.
Перечень элементов блока управления «БУВИ-2» (1-й вариант)
| № п/п | Позиционное обозначение | Наименование | Примечание |
|---|---|---|---|
| 1 | D1 | Микросхема К155ЛН1 | |
| 2 | D2 | Микросхема КМ1816ВЕ48 | М5L8035LP |
| 3 | D3 | Микросхема К589ИР12 | |
| 4 | D4 | Микросхема К573РФ2 | К573РФ21 |
| 5 | D5 | Микросхема К580ВР43 | М5L8243Р |
| 6 | D6 | Микросхема КР142ЕН5В | |
| 7 | HG1 | Индикатор люминесцентный П586 | |
| 8 | BA1 | Звонок пьезокерамический ЗП-3 | |
| 9 | VT1 — VT21 | Транзистор n-p-n | КТ315В |
| 10 | VD1 | Диод КД522Б | |
| 11 | VD2 — VD7 | Диод КД212В | |
| 12 | VD8 | Диод КД522Б | |
| 13 | V1 | Выпрямительный мост КЦ407А | |
| 14 | Z1 | Резонатор пьезоэлектрический 4608 кГц | |
| 15 | С1, С2 | Конденсатор 20пФ | |
| 16 | С3 | Конденсатор электролитический 1 мкФ ,50 В | |
| 17 | С4 — С7 | Конденсатор 0,22 мкФ | |
| 18 | С8 | Конденсатор электролитический 100 мкФ, 10В | |
| 19 | С9 | Конденсатор электролитический 20 мкФ, 50 В | |
| 20 | С10 | Конденсатор электролитический 200 мкФ, 16 В | |
| 21 | С11 | Конденсатор 0.068 мкФ | |
| 22 | С12 | Конденсатор 0,047 мкФ | |
| 23 | С13 | Конденсатор электролитический 200 мкФ, 16В | |
| 24 | R1 — RЗ | Резистор 10 К, 0.125 Вт | |
| 25 | R4 | Резистор 100 К, 0.125 Вт | |
| 26 | R5—R9 | Резистор 10 К, 0.125 Вт | |
| 27 | R10 — R48 | Резистор 20 К, 0.125 Вт | |
| 28 | R49 | Резистор 2 К, 1 Вт | |
| 29 | R50 | Резистор 51 Ом, 2 Вт | |
| 30 | R51 | Резистор 3 Ом, 0.5 Вт | |
| 31 | R52 | Резистор 39 К, 0.125 Вт | |
| 32 | R53 | Резистор 1.1 К, 0.125 Вт | |
| 33 | R54 | Резистор 10 К, 0.125Вт | |
| 34 | ХТ1 | Колодка 0104.130.041-01 | |
| 35 | ХТ2 | Колодка 0104.130.041-06 |
Таблица 2. Перечень элементов блока управления
«БУВИ-2» (2-й
вариант)
| № п/п | Позиционное обозначение | Наименование | Примечание |
|---|---|---|---|
| 1 | D1 | Микросхема К155ЛН1 | |
| 2 | D2 | Микросхема КМ1816ВЕ48 | М5L8035LP |
| 3 | D3 | Микросхема К589ИР12 | |
| 4 | D4 | Микросхема К573РФ2 | К573РФ21 |
| 5 | D5 | Микросхема К580ВР43 | М5L8243Р |
| 6 | D6 | Микросхема КР142ЕН5В | |
| 7 | HG1 | Индикатор люминесцентный УИ13 | |
| 8 | ВА1 | Звонок пьезокерамический ЗП-3 | |
| 9 | VT1, VT21 | Транзистор n-р-n КТ315В | |
| 10 | VT2 — VT20 | Транзистор р-n-р КТ361 А | |
| 11 | VD1 | Диод КД522Б | |
| 12 | VD2—VD7 | ДиодКД212В | |
| 13 | VD8 | Диод КД522Б | |
| 14 | V1 | Выпрямительный мост КЦ407А | |
| 15 | Z1 | Резонатор пьезоэлектрический 4608 кГц | |
| 16 | С1, С2 | Конденсатор 20 пФ | |
| 17 | С3 | Конденсатор электролитический 1 мкФ, 50 В | |
| 18 | С4—С7 | Конденсатор 0,22 мкФ | |
| 19 | С8 | Конденсатор электролитический 100 мкФ, 10В | |
| 20 | С9 | Конденсатор электролитический 20 мкФ, 50 В | |
| 21 | С10 | Конденсатор электролитический 200 мкФ, 16В | |
| 22 | С11 | Конденсатор 0.068 мкФ | |
| 23 | С12 | Конденсатор 0.047 мкФ | |
| 24 | С13 | Конденсатор электролитический 200 мкФ, 16В | |
| 25 | R1 —RЗ | Резистор 10 К, 0.125 Вт | |
| 26 | R4 | Резистор 100 К, 0.125 Вт | |
| 27 | R5-R9 | Резистор 10 К, 0.125 Вт | |
| 28 | R10, R11 | Резистор 20 К, 0.125 Вт | |
| 29 | R12 — R15 | Резистор 68 К, 1 Вт | |
| 30 | R16 | Резистор 750 Ом, 2 Вт | |
| 31 | ХТ1 | Колодка 0104.130.041-01 | |
| 32 | ХТ2 | Колодка 0104.130.041-06 |
Таблица 3. Характерные неисправности блока управления
«БУВИ-2»
| № п/п | Перечень характерных неисправностей | Возможная причина неисправности и способы ее устранения. |
|---|---|---|
| 1 | Не работает клавиатура. Тест проходит нормально | Неисправна микросхема 580ВР43 |
| 2 | Сбиваются показания индикатора | Неисправен стабилизатор 5V. Возможно, вышел из строя конденсатор С10 |
| 3 | Не светится или не гаснет сегмент индикатора | Неисправен транзистор в соответствующем буферном усилителе |
| 4 | Мерцает индикатор | Вышел из строя один из диодов VD6, VD7 |
| 5 | При включении печи не проходит тест | Вышел из строя микропроцессор КР1816ВЕ35 или его аналог |
| 6 | Не работает часть кнопок на клавиатуре | Обрыв контактной дорожки. Вероятнее всего вблизи одного из разъемов |
| 7 | Не светится индикатор. В остальном печь работает нормально |
Вышел из строя диодный мост V1 |
Удачи в
ремонте!
К573РФ5
Микросхема как микросхема.
УФ ПЗУ 2к*8,
аналог .
Моё внимание привлекло то, что она выпускалась практически одновременно в
трёх (!) разных корпусах:
|
Разрабатывалась она в Киевском НИИМП:
«Серьезным испытанием для коллективов разработчиков и
технологов явилась
«Разработка электрически программируемого ПЗУ информационной емкостью 16
Кбит с УФ — стиранием информации (ОКР «Карат-2»). Для выполнения ОКР,
учитывая её сложность и сжатые сроки работы, кроме сотрудников лаборатории
Ярового С.И. Калитенко В.Ф., Забиржевского Л.И., были подключены и другие
специалисты отдела – Прокопенко А.М., Груданов Н.Б. В работе также принимали
участие сотрудники подразделений НИИ Троценко Ю.П., — начальник отдела, Галька
Л.В. – ст.инженер – зам.главного конструктора, Алексеев Ю.А. – начальник
лаборатории, Бондаренко В.А. – начальник лаборатории, Скрипка Н.А. – начальник
КБ, Федулов В.В. – начальник лаборатории и другие.
В 1982 году разработка была принята Госкомиссией.»
КР573РФ60А
Микросхема К573РФ6А
вполне обычна. Менее известны её четвертинки, К573РФ61…К573РФ64.
Что же такое К573РФ60? Собственно, это обычная ПЗУ 8к*8, аналогичная РФ6.
Но почему у неё двухзначный номер — я пока нигде не нашёл ответа на этот вопрос…
1. Каталог интегральных микросхем. Часть 1 (цифровые). Центральное конструкторское бюро. 1982.
2. Каталог интегральных микросхем. Том 1. Центральное конструкторское бюро. 1986.
3. Полупроводниковые БИС запоминающих устройств: Справочник / В. В.
Баранов, Н. В. Бекин, А. Ю. Гордонов и др.; Под ред. А. Ю. Гордонова и Ю. Н. Дьякова. — М.: Радио и связь, 1987
4. Каталог интегральных микросхем. Дополнение № 1 к базовому
Каталогу ИС 1986г. Центральное конструкторское бюро. 1987.
5. Каталог перспективных интегральных микросхем. — Москва, 1988.
6. Вениаминов В.Н., Лебедев О.Н., Мирошниченко А.И.. Микросхемы и их применение: Справ. пособие. — 3-е изд., перераб. и доп. — М.: Радио и связь, 1989 (Массовая радиобиблиотека; Вып. 1143)
7. Микросхемы интегральные народнохозяйственного назначения. Группа 6331. Сборник справочных листов РД 11 0435.4-90. Издание официальное. Всесоюзный научно-исследовательский институт «Электронстандарт». 1991.
8. Лебедев О. Н. Применение микросхем памяти в электронных устройствах: Справ. пособие. —
М.: Радио и связь, 1994. (Массовая радиобиблиотека; Выпуск 1199)
9. Однокристальные микроЭВМ. М.: МИКАП, 1994.
10. Диоды, тиристоры, транзисторы и микросхемы широкого применения.
Справочник / Б.Ф. Бессарабов, В.Д. Федюк, Д.В. Федюк. — Воронеж: ИПФ «Воронеж», 1994.
11. Каталог. Цифровые и аналоговые интегральные микросхемы. Часть 2. Условные графические обозначения,
назначения выводов и габаритные чертежи корпусов. — ГУП Центральное конструкторское бюро «Дейтон», 1998.
12. Пескова С.А., Гуров А.И., Кузин А.В. Центральные и периферийные устройства
электронных вычислительных средств/Под ред. О.П. Глудкина. — М.: Радио и связь, 1999.
13. Нефедов А.В. Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги: Справочник. Т. 6. — М.: КУбК-а, 2003
14. Стратегия выбора. — К.: «Корнiчук, 2012
Добыча драгоценных металлов из радиодеталей
В радиодеталях советского периода производства можно найти не только элементы, сделанные из золота, но также и серебряные, платиновые, иридиевые, родиевые и так далее. Причем здесь действует железное правило, чем более давний срок выпуска детали, тем больше вероятность найти нужное содержание драгметаллов в радиодеталях и тем выше там процент содержания искомых материалов. В электронике же современной такие детали встретить практически нереально, ведь сейчас драгметаллы в целях экономии заменяют более доступным вольфрамом.
Добыть драгметаллы, содержащиеся в различных деталях, можно в домашних условиях. Однако для этого надо обладать серьезными познаниями в химии, иначе вы рискуете заработать отравление парами кислот или же, просто нарушив технологию, потерять приличное количество добытого металла.
К тому же стоит помнить, что самостоятельная добыча драгметаллов из радиодеталей является делом противозаконным, так как нарушает установленный порядок утилизации электронной продукции.
Для первого способа вам потребуется 3 порции соляной кислоты и 1 порция серной. Причем плотность первой должна быть строго 1,9, а второй – 1,8 г/см. Далее раствор необходимо подогреть до температуры 60–70° C. Только при таких условиях золото в радиодеталях отделится от остальных элементов. Но чтобы это произошло, в полученный раствор необходимо добавить немного азотной кислоты. В результате все лишнее элементы и детали растворятся. После добавления восстановителя золото осядет. Но стоит помнить, что в раствор стоит опускать только максимально зачищенные от стеклянных, керамических, пластмассовых и других элементов детали.
Для медных и латунных деталей подойдет и метод электролиза, при котором не требуется нагревание кислот. Для этого через раствор необходимо пропустить ток плотностью от 0,1 до 1 А/дм². Катодом в данном случае может выступать свинец или железо. Когда сила тока резко снижается – процедуру стоит считать завершенной.
Микросхемы для построения постоянной памяти
| ИМС | Тип корпуса | Примечание |
|---|---|---|
|
|
||
| КР556РТ2 | 2121.28-1 | Матрица ПЗУ, 16 входных переменных, 48 конъюкций, 8 выходных переменных, ТС |
| КР556РТ4 | 238.16-2 | ПЗУ 256×4; ОК; 70нс; 683мВт |
| КР556РТ4А | 238.16-2 | ПЗУ 256×4; ОК; 45нс; 683мВт |
| КР556РТ5 | 239.24-2 | ПЗУ 512×8; ОК; 70нс; 1Вт |
| КР556РТ6 | 239.24-2 | ПЗУ 2Kx8; ОК; 80нс; 1Вт |
| КР556РТ7 | 239.24-2 | ПЗУ 2Kx8; ТС; 80нс; 1Вт |
| КР556РТ16 | 239.24-2 | ПЗУ 8Kx8; ТС; 85нс; 950мВт |
| КР556РТ18 | 239.24-2 | ПЗУ 2Kx8; ТС; 60нс; 900мВт |
| КР556РТ20 | 239.24-2 | ПЗУ 1Kx8; ТС; 30нс; 960мВт |
|
|
||
| КР558РР1 | 405.24-7 | ЭППЗУ 256×8; 5мкс; 370мВт |
| КР558РР2А | 405.24-7 | ЭППЗУ 2Кx8; 350нс; 490мВт |
| КР558РР2Б | 405.24-7 | ЭППЗУ 2Кx8; 700нс; 490мВт |
| КР558РР4 | 2121.28-5 | ЭППЗУ 8Кx8; 400нс; 400мВт |
| КР558ХП1 | 239.24-2 | 7-разрядный десятичный счетчик, ЭППЗУ, дешифратор двоичного кода |
| КР558ХП2 | 2103.16-6 | 24-разрядный сдвиговый регистр, ЭППЗУ 16×24; 310мВт |
|
|
||
| КР568РЕ1 | 2120.24-3 | ПЗУ статического типа 2Кx8; 700нс |
| КР568РЕ2 | 2121.28-5 | ПЗУ 8Кx8; 250нс; 420мВт |
| КР568РЕ3 | 2121.28-5 | ПЗУ 16Кx8; 550нс; 315мВт |
|
|
||
| КР568РЕ2 | 2121.28-5 | ПЗУ 8Кx8; 250нс; 420мВт |
| КР568РЕ3 | 2121.28-5 | ПЗУ 16Кx8; 550нс; 315мВт |
|
|
||
| К573РР2 | 2120.24-1.02 | ЭППЗУ 2Кx8; 350нс; +5В; 590мВт |
| К573РР21 | 2120.24-1.02 | ЭППЗУ 1Кx8; 350нс; +5В; 590мВт |
| К573РР22 | 2120.24-1.02 | ЭППЗУ 1Кx8; 350нс; +5В; 590мВт |
| К573РФ1 | 210Б.24-5 | ППЗУ с УФ-стиранием 1Кx8; 450нс; 820мВт |
| К573РФ2 | 210Б.24-5 | ППЗУ с УФ-стиранием 2Кx8; 450нс; 440мВт |
| К573РФ3 | 210Б.24-5 | ППЗУ с УФ-стиранием 4Кx16; 400нс; +5В; 200мВт |
| К573РФ3А | 210Б.24-5 | ППЗУ с УФ-стиранием 4Кx16; 550нс; +5В; 446мВт |
| К573РФ3Б | 210Б.24-5 | ППЗУ с УФ-стиранием 4Кx16; 800нс; +5В; 446мВт |
| К573РФ4А | 2121.28-8 | ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx8; 300нс; +5В; 650мВт |
| К573РФ4Б | 2121.28-8 | ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx8; 450нс; +5В; 650мВт |
| К573РФ5 | 210Б.24-5 | ППЗУ с УФ-стиранием 2Кx8; 450нс; +5В; 525мВт |
| К573РФ6А | 2121.28-6.04 | ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx8; 300нс; +5В; 790мВт |
| К573РФ6Б | 2121.28-6.04 | ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx8; 450нс; +5В; 790мВт |
| К573РФ7 | 2121.28-6 | ППЗУ с УФ-стиранием 32Кx8; 300нс; 600мВт |
| К573РФ11 | 210Б.24-5 | ППЗУ с УФ-стиранием 512×8; 450нс; 820мВт |
| К573РФ12 | 210Б.24-5 | ППЗУ с УФ-стиранием 512×8; 450нс; 820мВт |
| К573РФ13 | 210Б.24-5 | ППЗУ с УФ-стиранием 1Кx8; 450нс; 820мВт |
| К573РФ14 | 210Б.24-5 | ППЗУ с УФ-стиранием 1Кx8; 450нс; 820мВт |
| К573РФ21 | 210Б.24-5 | ППЗУ с УФ-стиранием 1Кx8; 450нс; 440мВт |
| К573РФ22 | 210Б.24-5 | ППЗУ с УФ-стиранием 1Кx8; 450нс; 440мВт |
| К573РФ23 | 210Б.24-5 | ППЗУ с УФ-стиранием 2Кx8; 450нс; 440мВт |
| К573РФ24 | 210Б.24-5 | ППЗУ с УФ-стиранием 2Кx8; 450нс; 440мВт |
| К573РФ31 | 210Б.24-5 | ППЗУ с УФ-стиранием 2Кx16; 400нс; 400мВт |
| К573РФ32 | 210Б.24-5 | ППЗУ с УФ-стиранием 2Кx16; 400нс; 400мВт |
| К573РФ33 | 210Б.24-5 | ППЗУ с УФ-стиранием 2Кx16; 400нс; 400мВт |
| К573РФ34 | 210Б.24-5 | ППЗУ с УФ-стиранием 1Кx16; 400нс; 400мВт |
| К573РФ41А | 2121.28-8 | ППЗУ с УФ-стиранием 4Кx8; 300нс; +5В; 650мВт |
| К573РФ41Б | 2121.28-8 | ППЗУ с УФ-стиранием 4Кx8; 450нс; +5В; 650мВт |
| К573РФ42А | 2121.28-8 | ППЗУ с УФ-стиранием 4Кx8; 300нс; +5В; 650мВт |
| К573РФ42Б | 2121.28-8 | ППЗУ с УФ-стиранием 4Кx8; 450нс; +5В; 650мВт |
| К573РФ43А | 2121.28-8 | ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx4; 300нс; +5В; 650мВт |
| К573РФ43Б | 2121.28-8 | ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx4; 450нс; +5В; 650мВт |
| К573РФ44А | 2121.28-8 | ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx4; 300нс; +5В; 650мВт |
| К573РФ44Б | 2121.28-8 | ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx4; 450нс; +5В; 650мВт |
| К573РФ61А | 2121.28-6.04 | ППЗУ с УФ-стиранием 4Кx8; 300нс; +5В; 790мВт |
| К573РФ61Б | 2121.28-6.04 | ППЗУ с УФ-стиранием 4Кx8; 450нс; +5В; 790мВт |
| К573РФ62А | 2121.28-6.04 | ППЗУ с УФ-стиранием 4Кx8; 300нс; +5В; 790мВт |
| К573РФ62Б | 2121.28-6.04 | ППЗУ с УФ-стиранием 4Кx8; 450нс; +5В; 790мВт |
| К573РФ63А | 2121.28-6.04 | ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx4; 300нс; +5В; 790мВт |
| К573РФ63Б | 2121.28-6.04 | ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx4; 450нс; +5В; 790мВт |
| К573РФ64А | 2121.28-6.04 | ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx4; 300нс; +5В; 790мВт |
| К573РФ64Б | 2121.28-6.04 | ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx4; 450нс; +5В; 790мВт |
Кто скупает радиодетали и зачем?
В случае если у вас нашлись радиодетали, содержащие драгметаллы, и вы хотите их реализовать, возникает резонный вопрос «как это сделать?». Проще всего пойти на радиорынок и обратиться к людям, которые стоят с соответствующими объявлениями, это так называемые скупщики. Они озвучат вам цену за конкретную деталь. Далее детали или просто пересчитываются, или взвешиваются
При этом важно, чтобы на детали было четко видна маркировка, ведь существует много современных деталей, внешне похожих на детали времен СССР
В старых приборах в паспорте всегда печаталась схема прибора, а также указывалось точное количество содержащегося метала в деталях, что упрощает процесс подсчета во время сдачи деталей в скупку.
Далее скупщики сдают оптом выкупленные детали на специальные заводы по переработке электронного лома. Вы также можете отправить свои радиодетали, содержащие золото, на специальные фирмы, которые принимают радиодетали с золотом, воспользовавшись почтой России.
Если же вы все-таки добыли драгметаллы из старых радиодеталей самостоятельно, то полученное сырье лучше всего сдать в ювелирный магазин в качестве лома или обменять на готовые украшения.
Однако перед тем как сдавать радиодетали или пытаться извлечь содержащиеся драгоценные металлы в радиодеталях, стоит проверить, а вдруг техника, которую вы хотите разломать, является ценным раритетом, за которым гоняются коллекционеры?
И помните, что не стоит ломать ради металла то, что еще может служить вам по назначению. А вот заработать на том, что собирает пыль, будет нелишним.
К573РФ2, КМ573РФ2
К (и КС) 573РФ2 — пожалуй, самая распространенная микросхема в этой
серии, УФ ПЗУ 2к*8 (шифр ОКР, кстати, дивный — «Ромашка-1П» :))).
Выпускалась огромными тиражами, стояла в самых разнообразных
изделиях, от военных до любительских. Казалось, что ничего необычного в ней быть не может…
Но недавно заполучил такой вот экземпляр. И:
во-первых, это единственная встреченная мной микросхема со Знаком
качества на ней. Нет, вообще таких микросхем было много, но знак всегда
присутствовал только в паспорте или этикетке. А вот чтоб прямо на корпусе —
такое вижу впервые.
а второе — микросхема имеет обозначение К573РФ2. Но от К-шной (это
тонкий корпус из белой керамики) у неё только нижняя часть, а верхняя половина
— от КС573РФ2. Подобные «бутерброды»
я встречал в середине 90-х, тогда говорили, что это от нехватки
керамических корпусов. Выходит, что
подобные вещи делали и в советское время…
Заводские паспорта на эти микросхемы,
военная и
гражданская версии.
Вот еще любопытный экземпляр:
Необычность здесь в товарном знаке. Он принадлежит некоему
Научно-производственному кооперативу «Квант», г.Краслава (Латвия); он же
АО МВМ, он же АО ИЦ «Электроника» ЛТД. Логотип кооператива замечен на самых разных
приборах — ПЗУ, гибридных микросборках, запчастях от стиральных
машин и т.д.
Тайна этой многопрофильной корпорации ещё не раскрыта…
