ФТ-1
| Панорамная камера ФТ (ФТ-1) была создана в 1948 году и выпущена в небольшом количестве в 1948–1949 годах. Автор прототипа — Ф.В. Токарев, известный советский конструктор стрелкового оружия. Используя свои связи в Министерстве оборонной промышленности СССР, он буквально «продавил» выпуск своей камеры на КМЗ. Прототип Токарева был существенно переработан Е.В. Соловьёвым.Год разработки: 1948 г.Конструкция: Ф.В. Токарев, Е.В. СоловьёвПроизводство: опытноеКоличество: 10 штукГоды производства: 1949 г.Угол панорамирования: 120°Используемая плёнка: тип 135Размер кадра: 24×105 ммКоличество кадров: 12Объектив: Индустар-22 3,5/50Выдержка: 1/50 сГабаритные размеры (в/ш/г): 70×130×90 ммМасса: 1,03 кг |
Панорамный фотоаппарат ФТ |
Схемы подключения биполярных фототранзисторов
Схема с общим эмиттером
По этой схеме создается сигнал выхода, переходящий от высокого состояния в низкое, при падении лучей света.
Эта схема выполнена с помощью подключения сопротивления между коллектором транзистора и источником питания. Напряжение выхода снимают с коллектора.
Схема с общим коллектором
Усилитель , подключенный с общим коллектором, создает сигнал выхода, переходящий от низкого состояния в высокое, при попадании света на полупроводник.
Эта схема образуется подключением сопротивления между отрицательным выводом питания и эмиттером. С эмиттера снимается выходной сигнал.
В обоих вариантах транзистор может работать в 2-х режимах:
- Активный режим.
- Режим переключения.
Активный режим
В этом режиме фототранзистор создает сигнал выхода, зависящий от интенсивности падающего света. Когда уровень освещенности превосходит определенную границу, то транзистор насыщается, и сигнал на выходе уже не будет повышаться, даже если увеличивать интенсивность лучей света. Такой режим действия рекомендуется для устройств с функцией сравнения двух порогов потока света.
Режим переключения
Действие полупроводника в этом режиме значит, что транзистор будет реагировать на подачу света выключением или включением. Такой режим необходим для устройств, в которых необходимо получение выходного сигнала в цифровом виде. Путем изменения значения резистора в схеме усилителя, можно подобрать один из режимов функционирования.
Для эксплуатации фототранзистора в качестве переключателя чаще всего применяют сопротивление более 5 кОм. Напряжение выхода повышенного уровня в переключающем режиме будет равно питающему напряжению. Напряжение выхода малого уровня должно равняться менее 0,8 В.
Проверка фототранзистора
Такой транзистор легко проверяется мультитестером, даже без наличия базы транзистора. Если подключить мультитестер к участку эмиттер-коллектор, то его сопротивление при любой полярности будет большим, так как транзистор закрыт. Если луч света попадает на чувствительный элемент, то измерительный прибор покажет низкое значение сопротивления, так как транзистор в этом случае открылся, благодаря свету, при правильной полярности питания.
Так ведет себя обычный транзистор, но он открывается сигналом электрического тока, а не лучом света. Кроме силы света, большую роль играет спектральный состав света.
Усиление фототранзистора
Диапазон работы фототранзистора напрямую зависит от интенсивности его освещения, поскольку от этого зависит положительный потенциал базы.
Базовый ток от падающих фотонов усиливается с коэффициентом усиления транзистора, который варьируется от нескольких сотен до нескольких тысяч единиц. Следует отметить, что фототранзистор с коэффициентом усиления от 50 до 100 более чувствителен, чем фотодиод.
Дополнительное усиление сигнала может быть обеспечено с помощью фототранзистора Дарлингтона. Фототранзистор Дарлингтона представляет собой фототранзистор, выход которого (эмиттер) соединен с базой второго биполярного транзистора. Схематическое изображение фототранзистора Дарлингтона:
Это позволяет обеспечить высокую чувствительность при низких уровнях освещения, так как это дает фактическое усиление равное усилению двумя транзисторами. Два каскада усиления может образовать коэффициент усиления до 100 000 . Однако необходимо учесть, что фототранзистор Дарлингтона имеет более медленную реакцию, чем обычный фототранзистор.
Фототранзисторы
Фототранзисторы отличаются от фотодиодов дополнительным усилением фототока на эмяттерном р-п переходе. Фототранзисторы могут работать как фотодиоды (режим с плавающей базой), так и в транзисторном режиме с источником смещения в базовой цепи. Вывод эмиттера фототранзистора маркируется цветной точкой на корпусе или цветной меткой на проволочном выводе. Фототранзисторы выпускают в металлостеклянном корпусе с входным окном базы в двух конструктивных оформлениях, как с отдельным электрическим выводом базы, так и без него. Основные параметры фототранзисторов приведены в таблице, внешний вид фототранзисторов показан на рисунке 1. Тип
| Площадь фото-чувстви-тельного элемента, мм2 | Основные параметры при температуре 20±5°С | |||||||
| Диапазон спектральной характеристики дельта лямбда,мкм | Максимальная спектральная характеристика дельта лямбда, max, мкм | Рабочее напряжение Uр, В | Темновой ток Iт, мкА | Интегральная токовая чувствительность S1 инт, мкА/Лк, не менее | Ипульсная постоянная времени tи, с, не более | Масса, г не более | ||
| ФТ-1К | 2,8 | 0.5 … 1.12 | 0.8 … 0.9 | 5 | 3 | (0.4) | 8e-5 | 0.9 |
| ФТ-2К | 2,8 | 0.5 … 1.12 | 0.8 … 0.9 | 5 | 3 | (0.4) | 8e-5 | 0.9 |
| ФТ-1Г | 3 | 0.4 … 1.8 | 1.5 … 1.6 | 1 … 5 | 300 | 0.2 | 2e-4 | 1.5 |
| ФТ-2Г | 1 | 0.4 … 1.8 | 1.5 … 1.6 | 12 … 24 | 500 | 2 | 1e-5 | 1.5 |
| ФТ-3Г | 3 | 0.4 … 1.8 | 1.5 … 1.6 | 10 … 12 | 1000 | 2 … 7 | 1e-4 | 1.5 |
| ФТГ-3 | 3 | 0.4 … 1.8 | 1.5 … 1.55 | 5 … 10 | 60 | 1 | 1(2 … 10)e-5 | 1.8 |
| ФТГ-4 | 3 | 0.4 … 1.8 | 1.5 … 1.55 | 5 … 10 | 40 | 3 | 3(2 … 10)e-5 | 1.8 |
| ФТГ-5 | 3 | 0.4 … 1.8 | 1.5 … 1.55 | 5 … 10 | 50 | 1 | (1 … 2)e-5 | 1.8 |
Щелкните мышью для увеличения
| ТИП | Фототок IF,мкА | Темновой ток IT,мкА | Время нарастания импульса tн,нС | Обратное напряжение UОБР(UНАС) В | Режим Измерения |
| КТФ102А | 200 | 1.0 | 500 | 50 (0.5) | Ее=60мВт/ср RНАГР=15 кОм |
| КТФ102А1 | 800 | 0,5 | |||
| КТФ102А2 | |||||
| КТФ104А | 150 | 1.0 | 800 | 0,5 | Ее=7 Лк |
| КТФ104Б | 100 | 5.0 | |||
| КТФ104В | 50 |
Импортные фототранзисторы
| Наименование | Описание | |
| 1 | L-610MP4BT/BD | NPN черный пластиковый фототранзистор |
| 2 | L-32P3C | T-1 (3мм) фототранзистор с кристальной линзой |
| 3 | L-51P3C | T-1 3/4 (5мм) фототранзистор с кристальной линзой |
Pin Map[edit]
FT1 pinout.
Pin Descriptionedit
| Signal | Type | Description |
|---|---|---|
| M_ADD | O-IO-S | DRAM Column/Row Address |
| M_BANK | O-IO-S | DRAM Bank Address |
| M_CAS_L | O-IO-S | DRAM Column Address Strobe |
| M_CKE | O-IO-S | DRAM Clock Enable |
| M_CLK_H/L | O-IO-S | DRAM Differential Clock |
| M_DATA | B-IO-S | DRAM Data Bus |
| M_DM | O-IO-S | DRAM Data Mask |
| M_DQS_H/L | B-IO-D | DRAM Differential Data Strobe |
| M_EVENT_L | I-IO-S | DRAM Thermal Event |
| M_RAS_L | O-IO-S | DRAM Row Address Strobe |
| M_RESET_L | O-IO-S | DRAM Reset Pin for Suspend-to-RAM Power Management Mode |
| M_VREF | VREF | Memory Interface Voltage Reference |
| M_WE_L | O-IO-S | DRAM Write Enable |
| M0_CS_L, M1_CS_L | O-IO-S | DRAM Chip Selects |
| M0_ODT, M1_ODT | O-IO-S | DRAM Enable Pin for On Die Termination |
| M_ZVDDIO_MEM_S | A | DRAM Interface Drive-Strength Compensation Resistor to VDDIO |
| P_GPP_RXP/RXN | I-PCIe-D | General Purpose External PCIe Receive Data Differential Pairs |
| P_GPP_TXP/TXN | O-PCIe-D | General Purpose External PCIe Transmit Data Differential Pairs |
| P_UMI_RXP/RXN | I-PCIe-D | Unified Media Interface Receive Data Differential Pairs |
| P_UMI_TXP/TXN | O-PCIe-D | Unified Media Interface Transmit Data Differential Pairs |
| P_ZVDD_10 | A | PCIe Drive-Strength Compensation Resistor to P_VDD_10 Power Supply |
| P_ZVSS | A | PCIe Drive-Strength Compensation Resistor to VSS |
| LTDP0_TXP/TXN | O-PCIe-D | LVDS/TMDS DisplayPort 0 Differential Transmitter |
| TDP1_TXP/TXN | O-PCIe-D | TMDS DisplayPort 1 Differential Transmitter |
| LTDP0/TDP1_AUXP/AUXN | B-IO33-D | DisplayPort Auxiliary Channel |
| LTDP0/TDP1_HPD | I-IO33-S | DisplayPort Hot Plug Detect |
| DP_BLON | O-IO33-S | Display Panel Backlight Enable |
| DP_DIGON | O-IO33-S | Display Panel Power Enable |
| DP_VARY_BL | O-IO33-S | Display Backlight Brightness Control |
| DP_ZVSS | A | DP Drive-Strength Compensation Resistor to VSS |
| DAC_RED, DAC_REDB | A | Red for Video Monitor Output |
| DAC_GREEN, DAC_GREENB | A | Green for Video Monitor Output |
| DAC_BLUE, DAC_BLUEB | A | Blue for Video Monitor Output |
| DAC_HSYNC, DAC_VSYNC | O-IO33-S | Display Horizontal, Vertical Sync |
| DAC_SCL | O-IO33-OD | I2C Clock for Display (to video monitor) |
| DAC_SDA | B-IO33-OD | I2C Data for Display |
| DAC_ZVSS | A | DAC Drive-Strength Compensation Resistor to DAC Ground Pin |
| CLKIN_H/L | I-IO18-D | 100 MHz PLL Differential Reference Clock |
| DISP_CLKIN_H/L | I-IO18-D | 100 MHz Display Controller Reference Clock |
| DMAACTIVE_L | I-IO18-S | Indicated System DMA Activity |
| PWROK | I-IO18-S | Voltages and CLKIN have reached specified operation |
| RESET_L | I-IO18-S | Processor Reset |
| ALERT_L | O-IO33-OD | Programmable pin that can indicate different events, including a SB-TSI interrupt |
| PROCHOT_L | B-IO33-OD | Processor in HTC-active state |
| SIC | I-IO33-S | Sideband Interface (SB-TSI) Clock |
| SID | B-IO33-OD | Sideband Interface Data |
| THERMTRIP_L | O-IO33-OD | Thermal Sensor Trip Output |
| DBREQ_L | I-IO18-S | Debug Request |
| DBRDY | O-IO18-S | Debug Ready |
| TCK | I-IO18-S | JTAG Clock |
| TDI | I-IO18-S | JTAG Data Input |
| TDO | O-IO18-S | JTAG Data Output |
| TMS | I-IO18-S | JTAG Mode Select |
| TRST_L | I-IO18-S | JTAG Reset |
| TEST* | Test signal | |
| SVC | O-IO18-S | Serial VID Interface Clock |
| SVD | B-IO18-OD | Serial VID Interface Data |
| VDDCR_CPU | S | Core Power Supply |
| VDDCR_CPU_SENSE | A | VDDCR_CPU Voltage Monitor Pin |
| VDDCR_NB | S | Northbridge Power Supply |
| VDDCR_NB_SENSE | A | VDDCR_NB Voltage Monitor Pin |
| VDDIO_MEM_S | S | DRAM I/O Ring Power Supply |
| VDDIO_MEM_S_SENSE | A | VDDIO_MEM_S Voltage Monitor Pin |
| VDD_10 | S | 1.05 V Supply Pins |
| VDDPL_10 | S | 1.05 V Supply Pin for System PLL |
| VDD_18 | S | 1.8 V Supply Pins |
| VDD_18_DAC | S | 1.8 V Supply Pin for DAC |
| VDD_33 | S | 3.3 V Supply Pin |
| VSS | S | Ground |
| VSS_SENSE | A | VSS Voltage Monitor Pin |
| VSSBG_DAC | S | DAC Ground |
| RSVD | Reserved |
Pin Typesedit
| I/O-PCIe-D | Input / Output, PCIe Voltage Domain, Differential |
| I/O/B-IO-D/S/OD | Input / Output / Bidirectional, VDDIO_MEM_S, Differential / Single-Ended / Open Drain |
| I/O/B-IO18-D/S/OD | Input / Output / Bidirectional, VDD_18, Differential / Single-Ended / Open Drain |
| I/O/B-IO33-D/S/OD | Input / Output / Bidirectional, VDD_33, Differential / Single-Ended / Open Drain |
| A | Analog |
| S | Supply Voltage |
Фототранзисторы. Основные схемы включения.
Различают две основные схемы включения фототранзисторов: с отключенной базой и с присоединенной. В обеих преобразователь включается по схеме с общим эмиттером.
В первой, являющейся наиболее простой, фототранзистор применяется как двухполюсник. Фотоприемник обладает, наибольшим усилением, но невысоким быстродействием и температурной стабильностью.
Включение фототранзистора с присоединенной базой позволяет управлять положением рабочей точки, а также уменьшить темновой ток через коллекторный переход и повысить граничную частоту. Кроме того, фототранзистор может функционировать как фотодиод. Для этого обычно используют переход коллектор-база, площадь которого больше площади перехода эмиттер-база. В зависимости от напряжения, приложенного к переходу, получают фотодиодный или фотогальванический режимы работы.
По сравнению с фотодиодами фототранзисторы редко используются для работы со слабыми сигналами, для прецизионных аналоговых измерений, а в случае приема модулированных сигналов строгие требования предъявляются к стабилизации рабочей точки. Напротив, достаточно высокое усиление фототока, в результате чего нередко отпадает необхрдимость в промежуточных усилителях, успешная работа с немодулированными сигналами, высокими уровнями излучения, схемотехническая гибкость предопределили широкое применение фототранзисторов в различных пороговых схемах автоматики, оптронах. л ж.
Фототранзисторы могут непосредственно управлять работой маломощных электромеханических реле, тиристоров. Необходимым условием при построении таких схем является превышение тока коллектора, который устанавливается под действием на преобразователь лучистого потока, над порогом срабатывания ключевого элемента. Назначение диода — защита фотоприемника от индуцированной э.д.с. в момент запирания. Порог срабатывания тиристора устанавливается сопротивлением Ri. Конденсатор С препятствует отпиранию тиристора при кратковременных изменениях освещенности, скачках напряжения или тока в сети. При коммутации более мощных цепей, а также в фотореле с большей чувствительностью фототранзисторы нередко включают по схеме Дарлингтона. Общий коэффициент усиления первичного фототока схем равен произведению коэффициентов усиления фотоприемника и транзистора. Реле Р срабатывает при освещении фототранзисторов В схемах с тиристорами делители задают напряжение на коллекторах транзисторов, которое обычно значительно меньше величины напряжения Е. Фотореле срабатывает при засветке фототранзистора, а фотореле при его затемнении.
Включение по схеме Дарлингтона применяется в составном фототранзисторе. В корпусе этого фотоприемника на одном кристалле кремния размещаются транзистор и фототранзистор, причем на последний с помощью линзы фокусируется световой поток.
Аналогично фотодиодам фототранзисторы используются для управления работой усилительных каскадов на транзисторах. В зависимости от соотношения выходного сопротивления фотоприемника с входным сопротивлением усилителя может быть управление по току либо по напряжению. Выходной (коллекторный) ток фототранзи стора задает режим на базе транзистора. Резистор служит для ограничения тока через фотоприемник. Значение сопротивления выбирается так, чтобы ограничить мощность рассеивания, которая не должна превышать допустимой мощности рассеивания фототранзистора при работе с интенсивными засветками. Обычно сопротивление Ri значительно меньше сопротивления нагрузки. Выходное напряжение Схемы падает с ростом освещенности. Разброс параметров фотоприемников компенсируется регулировкой сопротивления.
Следующая
РазноеЧто такое активная мощность?
ФТ-2
|
Официально заводом серийно выпускалась только камера ФТ-2 в двух модификациях — с 1958 по 1960 и до 1965 года, соответственно. В 1958 году фотоаппарат на Брюссельской всемирной выставке и в том же году он стал поступать в продажу. Продавался и на внешнем рынке под дистрибьютеров: Spiratone, Panorama (США), Spaceview (Франция) и под собственным именем: FT-2.Год разработки: 1950 г.Конструкция: Е.В. СоловьёвПроизводство: серийноеКоличество: 16662 штукиГоды производства: с 1958 по 1965 год, в 1950 году была выпущена опытная партия в количестве 10 штук.Угол панорамирования: 120°Используемая плёнка: тип 135.Размер кадра: 24×110 ммКоличество кадров: 12Перемотка: обратная перемотка отсутствуетВидоискатель: рамочныйОбъектив: изначально: Индустар-22, в серии: Индустар-50 5/50 (ограниченный до относительного отверстия 1:5)Фокусировка: нет, объектив установлен на гиперфокальное расстояниеВыдержки: 1/100, 1/200, 1/400 с |
ФТ-2 |
||
Принципиальная схема панорамного фотоаппарата «ФТ-2» приведена на рисунке и описана в книге С.В. Кулагина «Фотография и фотоаппаратура» так:
|
Устройство ФТ-2 |
Принцип работы фототранзистора
Обычный транзистор состоит из коллектора, эмиттера и базы. В работе фототранзистора, как правило, вывод базы остается отключенным, так как свет генерирует электрический сигнал, позволяющий току протекать через фототранзистор.
При отключенной базе, коллекторный переход фототранзистора смещен в обратном, а эмиттерный переход — в прямом направлении. Фототранзистор остается неактивным до тех пор, пока свет не попадает на базу. Свет активирует фототранзистор, образуя электроны и дырки проводимости — носители заряда, в результате чего через коллектор — эмиттер протекает электрический ток.
