Содержание драгоценных металлов в 6-жильных кабелях

Содержание драгметаллов в транзисторах

Транзистор, использующийся для преобразования или усиления электрических сигналов, как и остальные радиоприборы, содержит в себе некоторое количество драгоценного металла. Транзисторы сами по себе являются достаточно маленькими деталями, от 5мм до 2см в диаметре. Однако, наибольшим количеством драгоценного металла, что содержится в транзисторах, является золото, поэтому их малый размер компенсируется этим приятным фактом.

Ниже вы можете видеть таблицу с наиболее ценными типами транзисторов старого образца. В нее включены детали с наибольшим содержанием драгоценного металла. Количество драгметалла в транзисторах указано в граммах на одну тысячу штук данных деталей.

Рубрики

• new
• Авторские статьи
• Акустические системы
• Гитарные усилители
• Ламповые радиоприёмники
• Ламповый фонокорректор
• Микрофонный усилитель
• Питание
• Питание усилителей
• Программы
• Программы для Аудио
• Радиолампы
  • Октальные
    • Пентоды
    • Тетроды
    • Триоды
  • Пальчиковые
    • Пентоды
    • Триоды

      Двойные триоды

• Схемы усилителей
  • Гибридные усилители
  • Ламповые
    • Трансформаторы для ламповых усилителей
    • Усилители PP
    • Усилители SE

      Усилители для наушников

  • Предварительные усилители, тембра, эквалайзеры

    Ламповые тембра

  • Транзисторные
    • Транзисторные класса «AB»
    • Транзисторные класса «А»
    • Усилители на IGBT транзисторах
  • Усилители для наушников ламповые
• Усилитель для наушников
• Фазоинверторы
• Фонокорректоры

Несколько слов о деталях:

При сборке усилителя, в качестве конденсаторов постоянной ёмкости (помимо электролитических), желательно применять слюдяные конденсаторы. Например типа КСО, такие, как ниже на рисунке.

Транзисторы МП40А можно заменить на транзисторы МП21, МП25, МП26. Транзисторы ГТ402Г – на ГТ402В; ГТ404Г – на ГТ404В;
Выходные транзисторы ГТ806 можно ставить любых буквенных индексов. Применять более низкочастотные транзисторы типа П210, П216, П217 в этой схеме не рекомендую, поскольку на частотах выше 10кГц они здесь работают плоховато (заметны искажения), видимо, из-за нехватки усиления тока на высокой частоте.

Площадь радиаторов на выходные транзисторы должна быть не менее 200 см2, на предоконечные транзисторы не менее 10 см2.
На транзисторы типа ГТ402 радиаторы удобно делать из медной (латунной) или алюминиевой пластины, толщиной 0,5 мм, размером 44х26.5 мм.

Пластина разрезается по линиям, потом этой заготовке придают форму трубки, используя для этой цели любую подходящую цилиндрическую оправку (например сверло).
После этого заготовку (1) плотно надевают на корпус транзистора (2) и прижимают пружинящим кольцом (3), предварительно отогнув боковые крепёжные ушки.

Кольцо изготовляется из стальной проволоки диаметром 0,5-1,0 мм. Вместо кольца можно использовать бандаж из медной проволоки.
Теперь осталось загнуть снизу боковые ушки для крепления радиатора за корпус транзистора и отогнуть на нужный угол надрезанные перья.

Подобный радиатор можно также изготовить и из медной трубки, диаметром 8мм. Отрезаем кусок 6…7см, разрезаем трубку вдоль по всей длине с одной стороны. Далее на половину длины разрезаем трубку на 4 части и отгибаем эти части в виде лепестков и плотно надеваем на транзистор.

Так как диаметр корпуса транзистора где-то 8,2 мм, то за счёт прорези по всей длине трубки, она плотно оденется на транзистор и будет удерживаться на его корпусе за счёт пружинящих свойств.
Резисторы в эмиттерах выходного каскада – либо проволочные мощностью 5 Вт, либо типа МЛТ-2 3 Ом по 3шт параллельно. Импортные пленочные использовать не советую – выгорают мгновенно и незаметно, что ведет к выходу из строя сразу нескольких транзисторов.

P605 Datasheet (PDF)

0.1. ndp605a ndp605b ndp606a ndp606b.pdf Size:116K _njs

0.2. dmp6050ssd.pdf Size:377K _diodes

DMP6050SSD 60V DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID Low On-Resistance V(BR)DSS RDS(on) max TC = +25C Low Input Capacitance -11.3A 55m @ VGS = -10V Fast Switching Speed -60V -9.1A 70m @ VGS = -4.5V Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) De

 0.3. dmp6050sfg.pdf Size:551K _diodes

DMP6050SFG 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI Product Summary Features and Benefits Low RDS(ON) Ensures On State Losses Are Minimized ID max V(BR)DSS RDS(ON) max Small Form Factor Thermally Efficient Package Enables Higher TA = +25C Density End Products 50m @ VGS = -10V -4.8A Occupies Just 33% of The Board Area Occupied by SO-8 -60V

0.4. p605a p606a.pdf Size:1177K _russia

 0.5. cep6056 ceb6056.pdf Size:629K _cet

CEP6056/CEB6056N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES60V, 100A, RDS(ON) = 6.2m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) STO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise notedPa

0.6. aop605.pdf Size:579K _aosemi

AOP605Complementary Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description Featuresn-channel p-channelThe AOP605/L uses advanced trench technology to VDS (V) = 30V -30Vprovide excellent RDS(ON) and low gate charge. TheID = 7.5A (VGS = 10V) -6.6A (VGS = -10V)complementary MOSFETs form a high-speed powerinverter, suitable for a multitude of applications.RDS(ON)AOP605 and

0.7. stp605d.pdf Size:962K _stansontech

STP605D P Channel Enhancement Mode MOSFET -15.0A DESCRIPTION STP605D is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. The STP607D has been designed specially to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been

0.8. ndp6051.pdf Size:261K _inchange_semiconductor

isc N-Channel MOSFET Transistor NDP6051FEATURESDrain Current I =48A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =50V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =0.022(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.ABS

Драгметаллы транзисторов, корпус ТО-92

Транзисторы в пластмассовом корпусе

ТО-92 (КТ-26) в большинстве содержат драгоценные металлы: золото (Зл.), серебро (Ср.) и палладий (Пд.). В перечне приведены данные по содержанию драгметаллов в миллиграммах (мг.).

Драгметаллов не содержат (данные уточняются):