Транзистор П306: содержание, драгметаллы, особенности
Основными драгоценными металлами, применяемыми в транзисторе П306, являются платина, золото и серебро. Эти металлы обладают высокой электропроводностью, устойчивостью к окислению и обеспечивают надежные электрические контакты внутри прибора.
Кроме того, транзистор П306 имеет ряд особенностей, которые делают его предпочтительным выбором во многих схемах. Он обладает высокой коммутационной способностью, что позволяет использовать его в схемах с большими токовыми нагрузками. Также он характеризуется высоким коэффициентом усиления, что делает его полезным для усиления электрических сигналов.
Транзистор П306 также обладает стабильной работы в широком диапазоне температур и имеет низкий уровень шума. Это позволяет ему использоваться в различных условиях и обеспечивает надежность его работы.
В силу своих характеристик и особенностей, транзистор П306 широко применяется в различных электронных устройствах, включая радиоприемники, телевизоры, компьютеры и многие другие.
Содержание драгметаллов в транзисторе П306
Транзистор П306 представляет из себя полевой эффектный транзистор с управляющим электродом, который использовался в различных электронных схемах и устройствах. В процессе производства данного транзистора на его поверхности присутствуют драгоценные металлы.
Основным драгметаллом, содержащимся в транзисторе П306, является золото. Золото обладает высокой электропроводностью и стабильностью свойств, что делает его идеальным для применения в электронике. Оно используется в транзисторах для создания надежных и стабильных соединений между элементами транзистора.
Кроме золота, в составе транзистора П306 может присутствовать платина. Платина обладает высокой степенью устойчивости к окислению и коррозии, что делает ее ценным материалом в электронике. Она используется для создания соединений в критических участках транзистора, где требуется высокая надежность и стабильность работы.
Также в транзисторе П306 может содержаться родий. Родий обладает высокой степенью электропроводности и химической инертности. Он используется в транзисторах для создания контактов с другими элементами электронных схем, а также для защиты поверхности транзистора от коррозии и окисления.
Содержание драгметаллов в транзисторе П306 строго контролируется в процессе его производства. Это позволяет обеспечить высокую надежность и стабильность работы данного транзистора.
Транзистор П306: содержание драгметаллов
- Платина
- Золото
- Иридий
Эти металлы играют важную роль в электронике и имеют особые свойства, которые делают транзистор П306 надежным и эффективным. Драгоценные металлы используются в различных элементах П306, таких как электроды и контакты. Они обладают высокой электропроводностью и стойкостью к окружающей среде.
Платина – один из основных драгоценных металлов, используемых в транзисторе П306. Она обладает высокой электропроводностью, стойкостью к окислению и взаимодействию с другими веществами. Платиновые электроды обеспечивают стабильную работу транзистора и позволяют передавать электрический сигнал с высокой точностью.
Золото – еще один драгоценный металл, который используется в транзисторе П306. Оно также обладает высокой электропроводностью и стабильностью. Золото широко используется в электронике благодаря своему низкому сопротивлению и надежности. Золотые контакты обеспечивают надежную передачу сигнала и защищают транзистор от коррозии и окисления.
Иридий – третий драгоценный металл, используемый в транзисторе П306. Он обладает высокой степенью прочности и стойкостью к высоким температурам. Иридиевые электроды используются для обеспечения стабильности работы транзистора в условиях повышенной нагрузки и температуры.
Вместе, платина, золото и иридий создают транзистор П306, который обладает высокой надежностью, долговечностью и эффективностью. Они являются незаменимыми элементами в электронике и позволяют создавать современные и передовые устройства.
Применение транзисторов п306 в современных технологиях
Транзисторы п306, разработанные в СССР в 1960-х годах, имеют множество применений и до сих пор используются в современных технологиях. Эти транзисторы отличаются высокой надежностью, стабильностью работы и относительно низкой стоимостью, что делает их привлекательными для различных применений.
| Применение | Описание |
|---|---|
| Звуковая аппаратура | Транзисторы п306 используются в усилителях звуковой аппаратуры для усиления и обработки звуковых сигналов. Они обеспечивают высокую мощность и качество звука. |
| Радиосвязь | Транзисторы п306 применяются в радиопередатчиках и радиоприемниках. Они обеспечивают надежную передачу и прием сигналов на различных частотах. |
| Системы контроля и управления | Транзисторы п306 используются в различных системах контроля и управления, таких как робототехника, автоматизированные системы и устройства управления производственными процессами. |
| Электроника автомобилей | В автомобильной электронике транзисторы п306 применяются в системах зажигания, топливных системах, системах управления двигателем и других устройствах. |
| Источники питания | Транзисторы п306 используются в источниках питания для стабилизации и преобразования электрического тока. Они обеспечивают эффективное и надежное питание различных электронных устройств. |
Таким образом, транзисторы п306 находят широкое применение в современных технологиях и продолжают быть востребованными благодаря своим хорошим техническим характеристикам и доступной цене.
Особенности работы транзистора П306
- Высокое значение коэффициента усиления: Транзистор П306 обладает высоким значением коэффициента усиления, что позволяет использовать его в усилительных схемах, где требуется усиление сигнала.
- Низкое входное сопротивление: Входное сопротивление транзистора П306 очень низкое, что делает его удобным для применения в схемах с низким уровнем входного сигнала.
- Высокое выходное сопротивление: Выходное сопротивление транзистора П306 также является высоким, что позволяет использовать его в схемах с высоким уровнем выходного сигнала.
- Высокая надежность: Транзистор П306 характеризуется высокой надежностью работы и долгим сроком службы, что делает его популярным для использования в промышленных и потребительских устройствах.
В целом, транзистор П306 обладает рядом особенностей, которые делают его привлекательным и широко используемым в различных электронных устройствах. Его высокий коэффициент усиления, низкое входное сопротивление, высокое выходное сопротивление и высокая надежность делают его идеальным выбором для усилительных и других электронных схем.
Драгметаллы транзисторов, корпус ТО-92
Транзисторы в пластмассовом корпусе
ТО-92 (КТ-26) в большинстве содержат драгоценные металлы: золото (Зл.), серебро (Ср.) и палладий (Пд.). В перечне приведены данные по содержанию драгметаллов в миллиграммах (мг.).
| Транзистор в корпусе ТО-92 | Содержание драгоценных металлов | ||
| Зл. (мг.) | Ср. (мг.) | Пд. (мг.) | |
| КТ203АМ…ВМ | 0,89 | — | — |
| КТ203АМ…ВМ | 0,9915 | — | 0,0017 |
| КТ209А…М | 0,0567 | 2,1462 | — |
| КТ209А, Г, Ж, И, Л | 0,87 | — | — |
| КТ209Б, В, Д, Е, К, М | 0,9 | — | — |
| КТ209А…М | 1,048 | — | — |
| КТ315А1…И1 | 0,0446 | 2,1462 | — |
| КТ315Н1, Р1 | 0,0446 | 2,1462 | — |
| КТ316АМ…БМ | 1.1377 | — | — |
| КТ325АМ…ВМ | 0,9908 | — | — |
| КТ326АМ…БМ | 1,1275 | — | — |
| КТ326АМ…БМ | 1,2292 | — | 0,0014 |
| КТ326АМ | 1,11 | — | — |
| КТ326БМ | 0,89 | — | — |
| КТ337А…В | 1,2295 / 1,11 | — | — |
| КТ337АМ…ВМ | 1,1 | — | — |
| КТ339АМ | 1,0464 | — | 0,0014 |
| КТ339АМ | 0,8689 | — | 0,00146 |
| КТ339АМ | 0,89 / 1,1 | — | — |
| КТ342АМ…БМ | 0,991 | — | 0,0014 |
| КТ342АМ…ВМ | 0,89 | — | — |
| КТ345А…В | 1,229 / 1,11 | — | — |
| КТ349А…В | 1,11 | — | — |
| КТ349АМ…ВМ | 1,229 / 1,11 | — | — |
| КТ350А | 1,229 / 1,11 | — | — |
| КТ351А | 1,229 / 1,11 | — | — |
| КТ352А | 1,229 / 1,11 | — | — |
| КТ355АМ | 0,991 | — | — |
| КТ361А2…Н2 | 0,0446 | 2,1462 | — |
| КТ363АМ…БМ | 1,128 / 1.11 | — | — |
| КТ368АМ…БМ | 0,0443 | 2.146 | — |
| КТ368АМ…БМ | 1,128 | — | — |
| КТ373А…Г | 1,128 | — | — |
| КТ375А…Б | 1,128 | — | — |
| КТ382А…Б | 1,128 | — | — |
| КТ399АМ | 0,976 / 0,89 | — | — |
| КТ3102АМ | 0,991 | — | 0,0014 |
| КТ3102АМ…ЕМ | 0,89 | — | — |
| КТ3102АМ…КМ | 0,0487 | 2,146 | — |
| КТ3102БМ…ЕМ | 0,868 | — | — |
| КТ3107А…Л | 0,0487 | 2,146 | — |
| КТ3107А…Ж | 1,04 | — | — |
| КТ3107А…И | 1,378 / 1,4 | — | — |
| КТ3107А…К | 1,089 | — | — |
| КТ3107Б | 1,128 / 1,255 | — | — |
| КТ3117А-1 | 0,8 | — | — |
| КТ3117А-1 | 0,057 | 2,1462 | — |
| КТ3126А…Б | 0,064 | — | — |
| КТ3126А…Б | 0,051 | 2,146 | — |
| КТ3128А1…Б1 | 0,8 | — | — |
| КТ3128А1…Б1 | 0,0487 | 2,146 | — |
| КТ3157А | 1,095 | — | — |
| КТ3157А | 0,0571 | 2,1462 | — |
| КТ3166А | 0,027 | — | — |
| КТ502А…Е | 0,0533 | 2,1462 | — |
| КТ502А…Е | 1,1577 | — | 0,0027 |
| КТ502А…Е | 0,9926 | — | 0,0014 |
| КТ502А…Е | 0,9 | — | — |
| КТ503А…Е | 0,9 | — | — |
| КТ503А…Е | 0,0533 | 2,1462 | — |
| КТ503А…Е | 1,1577 | — | 0,0027 |
| КТ632Б1 | 0,9 | — | — |
| КТ638А | 0,9 | — | — |
| КТ645А…Б | 0,9426 | — | — |
| КТ645А…Б | 0,0487 | 2,1462 | — |
| КТ646А…Б | 1,00 | — | — |
| КТ646А…Б | 3,7557 | — | — |
| КТ646А…В | 0,0925 | — | — |
| КТ660А…Б | 0,9997 | — | — |
| КТ660А…Б | 0,0566 | 2,1462 | — |
| КТ668А…В | 0,9 | — | — |
| КТ6109А…Д | 0,0537 | 2,1462 | — |
| КТ6110А…Д | 0,0537 | 2,1462 | — |
| КТ6111А…Г | 0,0469 | 2,1462 | — |
| КТ6112А…В | 0,0469 | 2,1462 | — |
| КТ6113А…Е | 0,0482 | 2,1462 | — |
| КТ6114А…Е | 0,0773 | 2,1462 | — |
| КТ6115А…Е | 0,0798 | 2,1462 | — |
| КТ6116А…Б | 0,0518 | 2,1462 | — |
| КТ6117А…Б | 0,0537 | 2,1462 | — |
| КТ… имп. аналоги | 1,00 | 10,00 | — |
| КП103Е1…М1 | 0,8663 / 1,019 | — | — |
| КП501А…В | 0,1975 | 2,146 | — |
| КП501А…Б | 16,3446 | 2,464 | — |
| 2П601Б | 16,36 | 2,46 | — |
| КП601А…Б | 16,36 | 2,46 | — |
| КП… импорт. аналоги | 1,00 | 10,00 | — |
Драгметаллов не содержат (данные уточняются):
Структура и принцип работы транзистора П306
Эмиттер является самым тонким и выходит на поверхность корпуса транзистора. Здесь происходит эмиссия электронов, которые затем переходят в базу. База находится между эмиттером и коллектором и представляет собой тонкий слой полупроводника с областью p-типа. Коллектор – это толстый слой полупроводника n-типа, который собирает электроны и переносит их во внешнюю цепь.
Принцип работы транзистора П306 основан на изменении проводимости базового слоя под воздействием управляющего напряжения. Когда на базу подается положительное напряжение, происходит открытие транзистора и ток начинает протекать от эмиттера к коллектору. Этот режим работы называется активным или усиливающим. Подача обратного напряжения на базу приводит к закрытию транзистора и отсутствию тока в коллекторной цепи. Этот режим называется блокирующим.
Транзистор П306 широко применяется в различных устройствах, включая радиоаппаратуру, телевизоры, компьютеры, медицинскую и научную аппаратуру. Благодаря своим характеристикам и надежности, он остается одним из наиболее востребованных полупроводниковых приборов в современной электронике.
Что такое транзисторы п306?
Транзисторы п306 обладают высокой надежностью и длительным сроком службы, что делает их популярными в различных областях применения. Они часто используются в усилительных схемах, источниках питания, аналоговых и цифровых интегральных схемах, телекоммуникационных системах и других устройствах.
Особенностью транзисторов п306 является их малый размер, что делает их удобными для многоэлементных схем. Они имеют низкое потребление энергии и могут работать при широком диапазоне температур.
Транзисторы п306 могут быть использованы в различных режимах работы, таких как ключевой или усилительный режим. Они обладают высокой проводимостью и низким сопротивлением, что позволяет эффективно управлять током и напряжением.
Схемы на транзисторах п306 могут быть различными, в зависимости от конкретной задачи. Они могут быть использованы для усиления, коммутации, формирования сигналов и других целей.
В заключение, транзисторы п306 являются важным элементом в современной электронике. Они обладают высокой надежностью, малыми размерами и множеством возможностей применения. Схемы на транзисторах п306 могут быть использованы для решения различных задач и обеспечения стабильной работы электронных устройств.
Преимущества использования транзистора П306
1. Высокая надежность: Транзистор П306 обладает высокой надежностью работы и долгим сроком службы. Он устойчив к перегрузкам, вибрациям и температурным изменениям, что делает его идеальным для использования в условиях экстремальных условий.
2. Большая мощность: Транзистор П306 обладает высокой мощностью и способен работать с большими токами и напряжениями. Это позволяет использовать его в таких областях, как электроника мощных устройств и систем управления электродвигателями.
3. Высокая эффективность: Транзистор П306 имеет высокую эффективность работы и низкие потери энергии. Это позволяет снизить затраты на электроэнергию и повысить эффективность системы, в которой он используется.
4. Небольшие габариты: Транзистор П306 имеет компактные размеры и малый вес, что делает его удобным для монтажа в ограниченном пространстве
Это особенно важно при разработке компактных электронных устройств
5. Широкий диапазон рабочих частот: Транзистор П306 имеет широкий диапазон рабочих частот, что позволяет использовать его в различных приложениях, включая радиоэлектронику, связь и усиление сигналов.
6. Простота использования: Транзистор П306 легко подключить и использовать в схеме благодаря его простому и понятному строению. Это делает его доступным для широкого круга разработчиков и специалистов в области электроники.
В целом, транзистор П306 представляет собой надежное, мощное и удобное в использовании устройство, которое находит широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Драгметаллы в составе Транзистора П306
Одним из драгметаллов, присутствующих в составе транзистора П306, является золото. Золото широко используется в электронике, так как оно обладает отличной проводимостью и стабильностью. В транзисторе П306 золото используется для создания электрических контактов и соединений.
Также в составе транзистора П306 присутствуют другие драгоценные металлы, такие как серебро и платина. Серебро используется для создания надежных электрических соединений, а платина – для повышения стабильности работы устройства.
Важно отметить, что использование драгметаллов в составе транзистора П306 обусловлено не только их электротехническими свойствами, но и их относительной редкостью на Земле. В связи с этим, драгметаллы являются ценными и дефицитными ресурсами, их использование требует экономного и рационального подхода
| Драгметалл | Роль в транзисторе П306 |
|---|---|
| Золото | Создание электрических контактов и соединений |
| Серебро | Создание надежных электрических соединений |
| Платина | Повышение стабильности работы устройства |
Структура транзистора П306
Основные элементы структуры транзистора П306:
| Элемент структуры | Описание |
|---|---|
| Коллектор | Изготовлен из тонкого слоя планируемого P-проводника, который представляет собой монокристаллическую кремниевую пластину с приемлемой высотой и шириной. |
| Эмиритер | Представляет собой N-проводник, внедренный в коллекторную базу. Имеет очень большую площадь пересечения с базой, чтобы обеспечить высокую эффективность эмиттерно-базового перехода. |
| База | Тонкий слой P-проводника, разделенный на две части: базовый эпитаксиальный полупроводниковый слой и барьерный слой, который обладает более высокой концентрацией примесей, позволяющей управлять током базы. |
Транзистор П306 применяется в широком спектре устройств и систем, особенно в радиоэлектронике и микроэлектронике, благодаря своим высоким рабочим характеристикам и надежности.
Сравнение транзисторов п306 с другими аналогичными схемами
Транзисторы п306 представляют собой электронные элементы, которые успешно применяются в различных схемах и устройствах. Они обладают рядом особенностей и преимуществ, которые отличают их от других аналогичных схем.
- Высокая надежность: Транзисторы п306 обладают высокой стабильностью работы и долгим сроком службы. Они отлично справляются с повышенными нагрузками и не подвержены быстрому износу.
- Широкий температурный диапазон: Транзисторы п306 могут работать в широком диапазоне температур, что позволяет использовать их в различных климатических условиях и в экстремальных ситуациях.
- Низкое потребление энергии: Транзисторы п306 имеют низкое энергопотребление, что позволяет их использовать в энергоэффективных устройствах и снижает затраты на электроэнергию.
- Удобная установка и подключение: Транзисторы п306 имеют стандартные размеры и контакты, что облегчает их установку и подключение. Они легко интегрируются в различные схемы и устройства.
- Широкий спектр применения: Транзисторы п306 могут быть использованы в различных схемах, включая усилители звука, источники питания, модуляторы и т.д. Они обладают универсальностью, что делает их привлекательными для различных инженерных решений.
Взяв во внимание эти особенности и преимущества, транзисторы п306 становятся незаменимыми компонентами для многих электронных схем и устройств
P605 Datasheet (PDF)
0.1. ndp605a ndp605b ndp606a ndp606b.pdf Size:116K _njs
0.2. dmp6050ssd.pdf Size:377K _diodes
DMP6050SSD 60V DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID Low On-Resistance V(BR)DSS RDS(on) max TC = +25C Low Input Capacitance -11.3A 55m @ VGS = -10V Fast Switching Speed -60V -9.1A 70m @ VGS = -4.5V Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) De
0.3. dmp6050sfg.pdf Size:551K _diodes
DMP6050SFG 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI Product Summary Features and Benefits Low RDS(ON) Ensures On State Losses Are Minimized ID max V(BR)DSS RDS(ON) max Small Form Factor Thermally Efficient Package Enables Higher TA = +25C Density End Products 50m @ VGS = -10V -4.8A Occupies Just 33% of The Board Area Occupied by SO-8 -60V
0.4. p605a p606a.pdf Size:1177K _russia
0.5. cep6056 ceb6056.pdf Size:629K _cet
CEP6056/CEB6056N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES60V, 100A, RDS(ON) = 6.2m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) STO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise notedPa
0.6. aop605.pdf Size:579K _aosemi
AOP605Complementary Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description Featuresn-channel p-channelThe AOP605/L uses advanced trench technology to VDS (V) = 30V -30Vprovide excellent RDS(ON) and low gate charge. TheID = 7.5A (VGS = 10V) -6.6A (VGS = -10V)complementary MOSFETs form a high-speed powerinverter, suitable for a multitude of applications.RDS(ON)AOP605 and
0.7. stp605d.pdf Size:962K _stansontech
STP605D P Channel Enhancement Mode MOSFET -15.0A DESCRIPTION STP605D is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. The STP607D has been designed specially to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been
0.8. ndp6051.pdf Size:261K _inchange_semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor NDP6051FEATURESDrain Current I =48A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =50V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =0.022(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.ABS
Продажа специализированным предприятиям
Эпоха хмурых торговцев, которые, как правило, стояли вблизи валютчиков на стихийных и организованных рынках
с табличкой «Куплю б/у телевизоры, радиоаппаратуру…», канула в лета.
В любом случае, сдать радиодетали, содержащие драгоценные металлы, целесообразно предприятиям, которые занимаются рециклингом на официальном уровне – то есть, имеют необходимые лицензии
, другие нормативные документы.
Выгода очевидна.
Во-первых, исключается мошенничество: предприятие, как официальный скупщик, не будет обманывать на весе сданного сырья.
Во-вторых, сборщик утилизированных радиоэлементов получит справедливую цену за свой «товар».
В третьих, сделка с официальным предприятием имеет документальное сопровождение
.
Найти необходимое предприятие можно на просторах Всемирной паутины: в поисковую строчку забиваем название города и аффинажное предприятие (как вариант, объявления в местных газетах, радио, телевидении).
Относительно цены, здесь все зависит от маркировки радиодеталей, которые сдает сборщик «электронного мусора». Если речь идет о конденсаторах (зарубежного или отечественного производства), то кило, два такого «товара» обеспечат безбедную жизнь на достаточно долгий срок
.
Описание данной электронной схемы
Основным преимуществом схемы П306 является ее надежность и универсальность. Она может использоваться в различных сферах, включая телекоммуникации, автоматизацию производства, электронику и другие области. Кроме того, данная схема имеет низкое потребление энергии и обладает высокими быстродействием.
Принцип работы схемы П306 основан на использовании транзисторов в качестве управляющих элементов. Внешние сигналы поступают на входы схемы, затем происходит обработка этих сигналов в соответствии с заданными логическими правилами. Результат обработки на выходе может быть использован в дальнейшем для управления другими устройствами или выполнения других операций.
Особенностью данной схемы является возможность комбинирования нескольких индивидуальных схем П306 для получения более сложных логических функций. Это делает ее гибкой и удобной в использовании в различных приложениях.
В заключение можно сказать, что схема на транзисторах П306 представляет собой надежное и универсальное решение для выполнения логических операций. Ее применение может быть полезно в разных областях и позволяет получить высокую производительность при низком потреблении энергии.
Особенности и преимущества схем на транзисторах п306
Особенности схем на транзисторах п306 включают:
- Высокая надежность. Транзисторы п306 имеют стабильные параметры работы, что обеспечивает стабильность работы схемы в целом.
- Низкое энергопотребление. Такие схемы являются энергоэффективными и могут работать на низком напряжении.
- Высокая частота переключения. Транзисторы п306 позволяют создавать схемы с высокой частотой переключения, что позволяет использовать их в радиосистемах и других высокочастотных устройствах.
- Малый размер и масса. Транзисторы п306 имеют компактные размеры и низкую массу, что делает возможным создание устройств с малыми габаритами и весом.
- Широкий температурный диапазон работы. Схемы на транзисторах п306 могут работать в широком диапазоне температур, что позволяет использовать их в различных условиях и окружениях.
Преимущества схем на транзисторах п306 включают:
- Простота использования и монтажа. Схемы на транзисторах п306 отличаются простотой монтажа и настройки, что упрощает их использование и интеграцию в различные устройства.
- Доступность и низкая стоимость. Транзисторы п306 являются широко доступными и имеют низкую стоимость, что делает их привлекательным решением для многих проектов и устройств.
- Низкий уровень шума. Схемы на транзисторах п306 имеют низкий уровень шума, что позволяет использовать их в чувствительных приложениях, где требуется высокая точность и надежность.
- Хорошая стабильность работы. Транзисторы п306 обеспечивают стабильную работу схемы в широком диапазоне условий и нагрузок, что является важным преимуществом для многих устройств.
В целом, схемы на транзисторах п306 предоставляют множество возможностей для создания различных устройств и систем. Их особенности и преимущества делают их привлекательными для использования в различных областях электроники.
Заключение
Кратко обобщим все сказанное и предложенное к просмотру выше.
Знание – сила. Неизвестно, сколько этой метафоре лет, но она не утратила свою актуальность. Владея информацией, в каких радиодеталях содержится наибольшее количество драгоценных элементов, можно значительно сузить круг поиска
и сэкономить огромное количество времени.
Кроме этого, становится очевидным, что реализация деталей официальному аффинажному предприятию – наиболее выгодное мероприятие.
Ведь для кустарной «добычи» золота или других благородных металлов потребуются не только реактивы
, но и специальное оборудование: теги, колбы, горелки и т.д., а также средства индивидуальной защиты, что в целом потребует существенных инвестиций.
Теперь вы знаете, в каких деталях есть драгоценные металлы, с какой маркировкой советские или импортные конденсаторы, переключатели, предохранители и другие радиодетали содержат ценные вещества.
Кроме аффинажа еще можно попробовать .
Транзистор — это самый распространенный компонент электронной техники — основа любой микросхемы. Только в одном процессоре современного ноутбука их количество превышает полтора миллиарда штук и с каждым годом продолжает увеличиваться. Такие радиодетали как транзистор — самые распространенные из этой группы.
Историческая справка
16 декабря 1947 года Уолтер Браттейн и Джон Бардин сделали первую модель точечного транзистора. Эта дата считается днем рождения транзистора. В 1956 году Бардину, Браттейну и Шокли за это открытие была присуждена Нобелевская премия по физике (Уильям Шокли создал теорию p-n-перехода и плоскостного транзистора).
Начало использования золота
в транзисторе приходится на конец 1958 года, когда в технологии производства транзисторов стали применять легирование коллекторов золотом (Жан Эрни). Это был прорыв в технологии производства транзисторов.
Сколько драгметаллов в транзисторах
Использование драгметаллов в транзисторах определяется исключительно технологической необходимостью. По мере расширения знания о физике металлов и освоения новых технологий, доля содержания драгметаллов в транзисторах постоянно снижается. Максимальное содержание драгметаллов в радиодеталях и в частности в транзисторах приходится на середину 60-х и до конца 80-х годов выпуска. Так содержание золота в некоторых типах транзисторах может доходить до 2,5%.
Все эти компоненты ценятся в компании DETALTORG и мы всегда покупаем радиодетали производства 60-х — 80-х годов, предлагая за них высокую цену.
Больше золота и серебра используют в транзисторах с военной приемкой. Отличить транзисторы для широкого применения от военного просто. Для военной приемки маркировка начинается с цифры, например: 2Т342, 2Т912, а обозначения для общего применения соответственно — КТ342 и КТ912.
Но это утверждение — не правило. Можно лишь сказать, что из всего перечня транзисторов в одном изделии с военной приемкой (маркировка начинается на 1, 2, 3) золота и серебра в среднем содержится примерно в два раза больше, чем в изделии общего применения.
Получить точные данные о содержания драгметаллов в радиодеталях и их цену вы можете у нас в любое время — позвоните нам, пишите нам.
Обобщая, можно лишь сказать, что содержание драгметаллов в транзисторах в среднем распределяется следующим образом:
Подчеркнем — это усредненные данные и для некоторых серий транзисторов эти значения значительно отличаются от приведенных, а в некоторых сериях — драгметаллов практически нет. Например в КТ315, КТ316 содержание золота на 1000 шт. составляет 0,07 г, а в КТ966 золота 29,11 и серебра 58,03 г.
В таблице показано содержание драгметаллов в транзисторах, значение золота в которых выше 50 г на 1000 штук.
|
Наименование |
Золото |
Серебро |
Платина |
Палладий |
Разобраться во всем многообразии компонентов довольно сложно, а тем более определить их реальную стоимость. Покупка радиодеталей для нашей компании — это часть нашей профессиональной деятельности и поэтому DETALTORG можно доверять.
Звоните и пишите нам — ответим на любые ваши вопросы. Наши цены — всегда выгодны.